散熱表現(xiàn)將成功率半導體業(yè)者決勝關鍵

　　隨著英飛凌宣布并購IR之后，使得全球功率半導體市場的氛圍更顯緊張，但盡管如此，既有的高功率應用仍然有著相當高度的進入門檻，相關的功率半導體業(yè)者仍然持續(xù)推動新技術到市場上，快捷半導體(Fairchild)即是一例。

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　　快捷半導體臺灣區(qū)總經(jīng)理暨業(yè)務應用工程資深總監(jiān)李偉指出，功率半導體方案的發(fā)展方向并不是提升轉(zhuǎn)換效率而已，散熱表現(xiàn)也是功率半導體相當重要的因素。所以不管是在新一代的功率模組或是高壓切換元件，都將提升散熱的表現(xiàn)的設計加以導入。

　　首先是智慧功率模組，該款產(chǎn)品的目標應用是在工業(yè)逆變器、泵浦與三相規(guī)格的工業(yè)馬達等就相當適合，眾所皆知，馬達是全球能源的消耗比重最高的應用領域，如同李偉所談到的，除了能源效率外，散熱也是一大課題，所以快捷采用DBC(Direct Bonding Copper;直接覆銅)封裝技術，除了提升散熱表現(xiàn)外，也一并縮小整體的PCB(印刷電路板)的面積。根據(jù)快捷指出，為了因應三相馬達應用，該功率模組搭載六顆IGBT晶片與三顆驅(qū)動晶片。

　　然而，以SiC(碳化矽)為基礎的功率開關元件，也開始在市場上逐漸嶄露頭角，對此，快捷接下來是否有打算采用SiC來開發(fā)功率模組?李偉進一步談到，目前快捷已經(jīng)有了SiC為主的BJT(bipolar junction transistor)產(chǎn)品，接下來也有意推出Didoe的產(chǎn)品線，至于開關元件方面，的確有在規(guī)劃當中。從目前市場的需求來看，功率模組的設計采用IGBT的設計應以足夠，還沒有聽到市場有SiC的需求。他也談到，客戶除了在意元件尺寸與轉(zhuǎn)換效率外，對于價格也相當敏感，若推出以SiC為基礎的功率模組，即便在系統(tǒng)整體表現(xiàn)上相當?shù)伢@人，但價格過高，客戶一樣不會買單。

　　同樣的，英飛凌收購PCB制造商Schweizer Electronic股份，其目的之一也是為了散熱表現(xiàn)。李偉本人不愿意發(fā)表太多看法，但他直言，很明顯的，接下來功率半導體業(yè)者會將注意力放在“散熱”表現(xiàn)上，這也將是功率半導體業(yè)者們的決戰(zhàn)點之一。