IR推出更小的集成式開(kāi)關(guān)(6.29)

　　功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出高效、低成本強(qiáng)化集成開(kāi)關(guān)IRIS系列，將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi)，可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，減少了印制電路板尺寸及25%的元件數(shù)目。與交流-直流開(kāi)關(guān)電源的分立電路相比，效率相同，甚至更佳。

　　全新IRIS集成開(kāi)關(guān)系列將一個(gè)低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個(gè)雙電壓及電流控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi)，適用于通用輸入及單輸入60W至180W開(kāi)關(guān)電源的反激變換技術(shù)。

　　對(duì)于批量生產(chǎn)的消費(fèi)電子產(chǎn)品，新器件可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，降低成本，縮減尺寸并減輕重量。由于簡(jiǎn)化了功率轉(zhuǎn)換電路，顯示器、DVD機(jī)、傳真機(jī)、打印機(jī)及機(jī)頂盒等產(chǎn)品可以設(shè)計(jì)得更平滑、更精簡(jiǎn)。

　　IR利用超絕緣材料的貼膜芯片工藝(專(zhuān)利尚待通過(guò))，進(jìn)一步降低集成開(kāi)關(guān)封裝的雜散電感，同樣大小的封裝內(nèi)組裝更大的MOSFET晶片，從而提高效率及功率級(jí)。IR嶄新的貼膜芯片工藝還可簡(jiǎn)化器件組裝步驟，使得以這些器件制成的開(kāi)關(guān)電源比分立方案更具成本競(jìng)爭(zhēng)力。新技術(shù)還通過(guò)了超出業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的溫度壽命測(cè)試。

　　IRIS系列集成開(kāi)關(guān)可在準(zhǔn)諧振或脈寬調(diào)制模式下工作。在準(zhǔn)諧振模式下，開(kāi)關(guān)在漏極電壓到達(dá)最低振蕩點(diǎn)時(shí)才起作用，以便降低開(kāi)關(guān)損耗，從而在高負(fù)荷狀態(tài)下提高整體效率。脈沖比控制模式則更適用于需要小電流休眠模式的應(yīng)用。工作中器件在這兩種模式間轉(zhuǎn)換，以達(dá)到更高效率及降低開(kāi)關(guān)損耗。

　　為支持更為靈活并耐用的設(shè)計(jì)，全新IRIS系列器件具有過(guò)電壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)及可變過(guò)電流保護(hù)功能。另外，這些器件還具有耐用的全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET。