內存芯片廠商提出新設計欲破摩爾定律

　　很多廠商都設計出了未來的閃存技術，但誰能夠首先推出產品呢?

　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術，這一技術為閃存產業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。

　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經生產出了采用電荷捕獲技術的閃存芯片。Spansion已經啟動了一項營銷活動，希望向其它制造商許可一些技術。

　　伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術有很大的興趣。我們擁有這一技術的一些基礎性專利，這不是一種很容易就開發(fā)出來的技術，我們開發(fā)它已經有數年時間了。

　　電荷捕獲技術能夠被應用到NOR和NAND閃存芯片中。盡管AMD在2002年就開始生產采用電荷捕獲技術的芯片，其中許多基礎技術都來自以色列的Saifun。

　　如果Spansion能夠在電荷捕獲技術方面取得成功，這會大大改進其財務狀況。第三季度，Spansion銷售收入為6.11億美元，虧損了7200萬美元。芯片廠商通常不愿意許可技術，尤其是來自競爭對手的技術。

　　NAND專利有非常高的價

　　值，因為消費者電子產品和手機的需求仍然在不斷增長。盡管價格會有波動，但NAND閃存的產量卻每年都在增長。事實上，許多制造商現在都在升級生產線，它們首先考慮的是滿足NAND需求，過去，許多制造商都在新工廠中生產DRAM或其它芯片。

　　一些NAND芯片廠商在努力使它們的產品打進筆記本電腦和刀片服務器中，取代硬盤。Applied Materials的CEO邁克說，NAND是一種獲得極大成功的應用。

　　閃存領域的大多數官員和科研人員都表示，閃存將面臨摩爾定律式的危機。簡而言之就是，如果在架構上沒有重大突破，制造商將無法繼續(xù)縮小芯片。芯片的尺寸不縮小，制造商就無法降低成本、提高產品性能。

　　Objective Analysis總裁吉姆表示，當存儲單元縮小到一定程度時，傳統(tǒng)閃存就會遭遇真正的問題。在發(fā)展到45納米或35納米工藝時，傳統(tǒng)閃存就會遇到極限。閃存芯片將不再能夠使用相同的材料。

　　45納米工藝的閃存芯片將于未來1-2年問世。其它一些非揮發(fā)性存儲技術已經遭遇了這一問題，例如MRAM目前只能縮小到65納米工藝。

　　Spansion面臨的一個大問題是獲得業(yè)界的認同。每家廠商在未來的存儲技術方面都有自己的想法，但是目前，哪種技術能夠勝出的前景還很不明朗。相互競爭的技術包括東芝的3D內存芯片、Numonyx的相變內存芯片、Grandis的STT-RAM。

　　伯特蘭斷言，與上邊列出的技術相比，電荷捕獲技術有二個重要的優(yōu)點。一是人們已經掌握了制造采用這種技術芯片的方法，這會降低部署這種技術的風險;其二，實驗室的試驗表明，電荷捕獲技術芯片的尺寸能夠繼續(xù)縮小。

　　他說，我們在實驗室已經制造出了采用20納米工藝的芯片。如果能夠縮小芯片尺寸，我們的產品就是最便宜的。芯片的尺寸越小，性能就越高，制造成本也就越低。

　　20納米工藝內存芯片要到2012年或晚些時候才會上市銷售。

　　伯特蘭表示，與采用相同工藝的其它類型內存相比，電荷捕獲內存單元的尺寸也更小，這會進一步降低成本。他說，電荷捕獲將未來10年的一項重要技術。

　　伯特蘭指出，到2016年，相變技術可能是一項重要的技術，但這還需要10年時間。一些相變技術的支持者表示，相變內存芯片可能在未來數年問世。其實，早在1970年代，相變技術內存的概念就已經被提出來了。

　　與相變或3D內存相比，電荷捕獲技術更容易部署。一些大公司也表達了對電荷捕獲技術的興趣，但是，是否必須向Spansion支付費用還是一個問題。