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          功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)

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          作者:安森美半導(dǎo)體 Francois LHERMITE 時(shí)間:2008-04-01 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/81041.htm

            施加到上的電壓源提供對(duì)電壓有負(fù)90°相移的電流。所以當(dāng)電流上升到零點(diǎn)時(shí),電壓便對(duì)應(yīng)于其峰值。所述的Soxyless技術(shù)包含檢測(cè)正柵極電流的過(guò)零檢測(cè)器(ZCD)以確定“谷點(diǎn)”的出現(xiàn)。

            本文將從SMPS初級(jí)側(cè)接地點(diǎn)流出的電流通過(guò)下部柵極驅(qū)動(dòng)器流向功率MOSFET柵極的方向定義為負(fù)。

            在半導(dǎo)體技術(shù)中,驅(qū)動(dòng)并測(cè)量這樣的負(fù)電流并非易事。

            功率MOS柵極上產(chǎn)生的電流與漏極電壓和之間的關(guān)系可表述成如下:

           

           

            其中Zc為阻抗:

           

           

            此柵極電流的大小取決于MOSFET、諧振頻率F和在平坦電壓末端漏極上的電壓擺幅(Vring)。

            谷點(diǎn)發(fā)生在諧振周期的一半處:

             



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