功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
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對(duì)于前兩點(diǎn)，常規(guī)的閉塞技術(shù)使下部的NMOS和PNP一起觸發(fā)。設(shè)定時(shí)間結(jié)束之后，NMOS關(guān)斷，只有PNP保持導(dǎo)通。采用典型的5ms閉塞窗口。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/81041.htm在閉塞窗口內(nèi)，下部NMOS的導(dǎo)通電阻接近于10W。Toff之后的電壓振蕩創(chuàng)建了非常強(qiáng)的振蕩電流(峰-峰值為幾十毫安)。因此出現(xiàn)在DRV上的電壓可達(dá)幾百毫伏。
此殘留電壓觸發(fā)Soxyless檢測器，因?yàn)樗M(jìn)行所需的“谷點(diǎn)”檢測。如有閉塞窗口可不考慮這些錯(cuò)誤的信號(hào)。
產(chǎn)生漏極電壓變化的振鈴電流是替代方案。
·正向自由振鈴柵極電流通過PNP流到地。因此，飽和電壓的范圍為1.5V。電壓大大低于功率MOSFET的柵極門限，因此不會(huì)使其導(dǎo)通。
·負(fù)向自由振鈴柵極電流由鉗位Q2 N FET通過電流鏡像進(jìn)行處理。
此有源負(fù)向鉗位的目的是確保在器件驅(qū)動(dòng)輸出上建立虛擬地。
這種電路的第一個(gè)難點(diǎn)，一方面是接近+/-15mA的電流容量，另一方面是要檢測100mA范圍內(nèi)的微小電流。
Soxyless檢測系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍約為150。
在負(fù)電流情況下，電壓不能遠(yuǎn)低于2V，以免使體二極管導(dǎo)通。Q2的自啟動(dòng)必須精確。
強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)電流容量不能影響速度檢測。Q2柵極的有源偏置可以自調(diào)整鉗位電路。
電流鏡像可以方便地處理Soxyless電流信號(hào)。
快速比較器檢測到ZCD時(shí)刻，然后提供“谷點(diǎn)”信號(hào)。
試驗(yàn)結(jié)果
Soxyless技術(shù)已經(jīng)在硅集成上實(shí)現(xiàn)。驅(qū)動(dòng)器控制典型的準(zhǔn)諧振SMPS。
評(píng)論