功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)
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作者：安森美半導(dǎo)體 Francois LHERMITE
時(shí)間：2008-04-01
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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其中：Lp是變壓器初級(jí)電感；Cdrain是MOSFET漏極上的總電容。此電容包括緩沖電容(如有)，變壓器繞組雜散電容和MOSFET寄生電容。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/81041.htm功率MOSFET模型
MOSFET的物理結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其端口之間形成電容。金屬氧化物柵極結(jié)構(gòu)決定了柵極到漏極(Cgd)以及柵極到源極(Cgs)的固有電容。漏極和源極之間的PN結(jié)(Cds)是因P+體的存在而產(chǎn)生，其中MOS單元建立在N+襯底頂部上的外延層附近。
Cgd和Cgs電容在高溫中非常穩(wěn)定，因?yàn)槠浣殡姴牧嫌刹Ａе瞥伞?/p>
圖4為功率MOSFET的器件模型。該模型顯示存在3個(gè)電源電容，如圖4所示。此種表示法更像是出自于器件工程師之手，而非應(yīng)用工程師。實(shí)際上，在應(yīng)用中使用的功率MOSFET的參數(shù)應(yīng)是可從功率器件接入節(jié)點(diǎn)處測(cè)得的全局性代表參數(shù)。這意味著應(yīng)用數(shù)據(jù)表中使用了其他電容定義，是內(nèi)部電容的組合。
作為例子，表1顯示了安森美半導(dǎo)體MTD1N60E數(shù)據(jù)表上的不同電容。
表1 功率MOS特性數(shù)據(jù)表
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