OMNIVISION 顛覆數字影像世界 推出OmniBSITM 架構

　　全球最大的 CMOS（互補金屬氧化物半導體）影像傳感器供應商 OmniVision Technologies, Inc. (NASDAQ: OVTI) 今天推出了 OmniBSITM 架構，這種新型傳感器的設計采用了與傳統 CMOS 影像傳感器技術截然不同的方法。OmniBSI 采用背面照度 (BSI) 技術，使得 OmniVision 能夠在提供更出色影像質量的同時將其像素尺寸降低到0.9微米，這是數字影像技術不斷小型化的關鍵。在其長期鑄造和工藝技術合作伙伴臺灣積體電路制造股份有限公司 (Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation) 的支持下，OmniVision 開發出了 OmniBSI 架構。

　　BSI技術顛倒 CameraChip™ 傳感器的上下層，因此傳感器可以通過原本是傳感器底層的硅基來收集光線。這種方法與傳統的前面照度 (FSI) 影像傳感器不同，在 FSI 影像傳感器上，到達感光區的光線在某種程度上被傳感器中能將光子轉換成電子的金屬和介電層所限制。FSI 方法會阻礙光線到達像素或使光線偏離像素，最終降低填充系數，并帶來像素之間串擾等其它問題。BSI 顛倒了各層之間的安排，從而使得金屬和介電層位于傳感器陣列的下方，為光線提供了到達像素最直接的通道。這種新方法優化了光線吸收，使得 OmniVision 能夠建立一種超過1.4微米所有性能指標的1.4微米 BSI 像素，甚至超過大多數1.75微米 FSI 像素。

　　OmniBSI 架構提供了多項超越 FSI 的性能改進，包括每單位區域更強的靈敏度、更高的量子效率以及減少串擾和光響應非均勻性，所有這些改進都能夠顯著改善影像質量。由于光線直接到達硅基，因此影像傳感器的填充系數獲得了顯著改善，從而可以提供同類最佳的微光敏感度。顯著增高的主光線角度能夠實現更短的鏡頭高度，從而可支持更薄的相機模塊，這種模塊是新一代超薄手機的理想之選。最后，BSI 技術可支持更大的孔徑尺寸，從而可實現更低的光圈系數 (f stops)，憑借出眾的相機性能推動性能更卓越相機模塊的開發。

　　OmniVision 工藝設計副總裁 Howard Rhodes 表示：“根據現行設計規則，將 FSI 像素架構縮小至1.4微米或以下帶來了一些真正的挑戰，因為金屬線和晶體管正不斷使像素光圈接近其物理極限——光的波長。要想利用傳統 FSI 像素技術解決這一問題將需要轉換為 65 nm 銅工藝技術，這會大大增加生產的復雜性和成本。由于支持三層以上的金屬，BSI 實現了巨大的生產優勢，同時無需轉變為更小的工藝節點。這意味著可簡化布線，且與 FSI 傳感器相比，芯片尺寸更小，同時不會帶來因轉變為更小的工藝節點而產生的復雜性和額外成本。”

　　臺灣積體電路制造股份有限公司的主流技術營銷高級總監 Ken Chen 博士表示：“雖然背面照度概念已經研究了20多年，但迄今還沒有誰能夠成功開發出商業化并大批量 CMOS 傳感器的生產工藝。通過將 OmniVision 的成像專長與臺灣積體電路在工藝開發方面的豐富經驗相互結合，我們已經提供一種能夠影響未來數字成像發展的真正先進技術。”

　　Rhodes 總結道：“BSI 使 OmniVision 能夠在繼續采用我們所被公認的產品0.11微米工藝技術的同時，進一步鞏固其在數字成像技術領域的競爭優勢。這為 OmniVision，并最終為我們的客戶創造巨大的成本與性能優勢。”

　　OmniVision 目前正展示一款8百萬像素的 OmniBSI CameraChip 傳感器，并預計將在6月底之前開始首批產品的出樣。