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          全球閃存市場達254億美元 廠商Q4投身30nm制程
          
						
          
				作者：芳草地
				時間：2008-06-30
				來源：搜狐IT 
				
				
				
				
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          　　據(jù)外電報道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進30納米制程技術(shù)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/84986.htm

          　　根據(jù)美光預(yù)估，今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模，除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲存驅(qū)動器)、記憶卡等應(yīng)用外，也相當(dāng)看好移動儲存市場的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

          　　為降低生產(chǎn)成本，強化競爭力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電子則預(yù)計，明年下半年制程技術(shù)將由42納米推進至30納米時代。
          

          　　Toshiba與SanDisk陣營同樣預(yù)計，明年下半年由43納米提升至30納米時代制程技術(shù)；Hynix與Numonyx陣營則將于明年上半年由48那么提升到41納米制程技術(shù)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            閃存
                        NAND
                        Flash
                        移動儲存
                        30納米
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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