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          新的失效保護(hù)方法
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2009-06-18
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　解決方案
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/95416.htm

          　　該解決方案是實(shí)現(xiàn)一個(gè)能夠仿真熔斷器的I2-t特性的智能電路保護(hù)算法。這個(gè)概念可轉(zhuǎn)化為“曲線下面積”。在下圖(圖 7)中，曲線下面積(A區(qū))是保護(hù)算法的I2-t界限內(nèi)。B區(qū)所示是在一段時(shí)間內(nèi)的恒定超負(fù)載條件，其中，超負(fù)載電流小于智能開(kāi)關(guān)的限流值。在這個(gè)圖中，當(dāng)限流值超過(guò)曲線時(shí)，智能開(kāi)關(guān)不會(huì)被閉鎖。當(dāng)B區(qū)突破A區(qū)時(shí)，器件閉鎖。 這個(gè)原則適用于超負(fù)載在開(kāi)關(guān)激活后存在很長(zhǎng)時(shí)間的狀況。
          

          

          　　圖7：超負(fù)載與功率限制區(qū)比較
          
				
            
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            ST
                        BCM
                        熔斷器
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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