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          海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2009-10-13
				來源：驅(qū)動(dòng)之家
				
				
				
				
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          　　據(jù)報(bào)道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會(huì)在本月開始投入量產(chǎn)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/98821.htm

          　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號(hào)稱是目前主流1Gb DDR3市場(chǎng)上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場(chǎng)份額已經(jīng)達(dá)到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場(chǎng)上的主流。
          

          　　根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、超級(jí)計(jì)算機(jī)或其它對(duì)電池續(xù)航要求較高的移動(dòng)產(chǎn)品都可采用這種低功耗芯片。
          

          　　此次1Gb DDR3內(nèi)存芯片的設(shè)計(jì)理念還將應(yīng)用于未來的40nm 2Gb DDR3芯片設(shè)計(jì)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            海力士
                        內(nèi)存芯片
                        54nm
                        DDR3
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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