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摘要：提出采用同一臺指針式萬用電表某一電壓擋，通過串聯(lián)電阻方法，準(zhǔn)確測算負(fù)載端電壓和電源的電動 勢及其內(nèi)阻。介紹用某一電流擋通過并聯(lián)電阻方法準(zhǔn)確測算負(fù)載電流和電源電動勢及其內(nèi)阻。統(tǒng)稱為半值法。 從而排除了由于電源內(nèi)阻......
2022 年 9 月 21 日，北京——是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布，是德科技幫助及云科技完成緊湊型電池測試系統(tǒng)的搭建以及調(diào)試工作。是德科技提供先進(jìn)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案，旨在加速創(chuàng)新，創(chuàng)造一個安全互聯(lián)的世界......
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源......
半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展迅猛而廣泛，目前已經(jīng)滲透并影響到我們生活的方方面面。半導(dǎo)體器件已經(jīng)應(yīng)用在我們的汽車、便攜式電子產(chǎn)品、辦公設(shè)備、醫(yī)療儀器、工業(yè)機(jī)械、通信基礎(chǔ)設(shè)施和無數(shù)的其他方面，幾乎無處不在。盡管最近發(fā)生的影響廣泛的全球事......
碳基半導(dǎo)體材料，是在碳基納米材料的基礎(chǔ)上發(fā)展出來的。所謂的納米材料，是指三維空間尺度至少有一維處于納米量級(1-100nm)的材料，包括：零維材料 – 量子點(diǎn)、納米粉末、納米顆粒；一維材料 – 納米線或納米管；二維材料 ......
到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將會發(fā)熱的IC安裝得過于密集，就會......
· 無縫協(xié)作促進(jìn)了持續(xù)的產(chǎn)品創(chuàng)新和質(zhì)量改進(jìn)，進(jìn)而提升了行業(yè)測試標(biāo)準(zhǔn)· 在供應(yīng)鏈?zhǔn)芟迼l件下，共同的質(zhì)量承諾推動兩家公司快速交付行業(yè)領(lǐng)先的動態(tài)基礎(chǔ)測試解決方案· &......
進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個生命周期。基于雙脈沖測試獲得的器件開關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過對開關(guān)過程的分析驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)方案并提出改進(jìn)方向、提取開關(guān)......
摘要：針對單片機(jī)開發(fā)學(xué)習(xí)過程中實(shí)物硬件短缺或易損，以及仿真軟件庫中缺少元器件模型，實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象不明 顯等問題，提出了基于Proteus的半物理電路仿真的設(shè)想和方法，即由PC機(jī)上的Proteus仿真軟件作為上位機(jī)，實(shí) 物硬......
溫度是過程控制系統(tǒng)中的一個關(guān)鍵測量指標(biāo)，它可以是直接測量，例如測量化學(xué)反應(yīng)的溫度；它也可以是補(bǔ)償測量，例如壓力傳感器的溫度補(bǔ)償。對于任何系統(tǒng)設(shè)計(jì)，準(zhǔn)確、可靠、穩(wěn)健的溫度測量都很重要。對于某些終端設(shè)計(jì)，檢測系統(tǒng)故障至關(guān)重要......
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呂炳仁（北京聯(lián)合大學(xué)自動化學(xué)院，北京 100020） 2022-09-21
馮飛，李國利，趙恒，孫幸懿（金陵科技學(xué)院機(jī)電工程學(xué)院，江蘇南京 211169） 2022-08-24
