igbt 文章進(jìn)入 igbt技術(shù)社區(qū)

IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國(guó)“芯”希望

　　2017年開年以來有這樣一些事件進(jìn)入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營(yíng)晶閘管等功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國(guó)家科技重大專項(xiàng)(02專項(xiàng))實(shí)施管理辦公室驗(yàn)收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”項(xiàng)目。④5月17日,國(guó)電南瑞公布非公開發(fā)行預(yù)案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。　　一直以來,IGBT技術(shù)被國(guó)外半導(dǎo)體廠商壟斷,截至2015年我國(guó)IGBT市
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基于風(fēng)電系統(tǒng)單體變流器的結(jié)構(gòu)應(yīng)用設(shè)計(jì)

本文介紹了風(fēng)電變流器核心組成部分的單體變流器在機(jī)柜結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點(diǎn)，本文進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)分析。主要內(nèi)容包括：?jiǎn)误w變流器的組成布局、功率器件維護(hù)、結(jié)構(gòu)受力，以及可維護(hù)性等。
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求

　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用：　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。　　IGBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷?！　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
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小小一顆IGBT如何撬動(dòng)電動(dòng)汽車逆變器？

本文設(shè)計(jì)一種驅(qū)動(dòng)供電電源，并通過實(shí)際測(cè)試證明其可用性。常見的驅(qū)動(dòng)電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)。
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基于IGBT模塊的電能質(zhì)量治理設(shè)備能耗狀況及節(jié)能分析

本文重點(diǎn)研究了基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備的能耗狀況及節(jié)能路徑。首先，對(duì)典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進(jìn)行了分析，確定了主要耗能部分;隨后，分析了 IGBT模塊能耗機(jī)理及降耗可行性路徑;最后，總結(jié)出現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備降低自身工作能耗的重點(diǎn)改進(jìn)方向。
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Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT

　　中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動(dòng)IC的擴(kuò)展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應(yīng)用。它們也適用于最新的三電平拓?fù)涔夥孀兤?，以及采?500 V新直流母線標(biāo)準(zhǔn)的光伏陣列。擴(kuò)展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動(dòng)器方案。
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【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上
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提升IGBT自給率給工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域一顆“中國(guó)芯”

　　半導(dǎo)體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場(chǎng)巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)廣闊，而中國(guó)IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國(guó)產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。　　IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。　　不過當(dāng)前全球IGBT市場(chǎng)，仍被日、歐、美等IDM
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三菱電機(jī)第7代IGBT技術(shù)

為了應(yīng)對(duì)補(bǔ)貼下降帶來的影響，市場(chǎng)對(duì)光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強(qiáng)。目前來看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會(huì)很大程度上彌補(bǔ)支付補(bǔ)貼的下降。因此，隨著市場(chǎng)的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會(huì)加快進(jìn)入到市場(chǎng)的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應(yīng)提高，以提高光伏電站的產(chǎn)出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護(hù)成本。因此，新技術(shù)在光伏電站和光伏逆變器中的應(yīng)用需求將不斷加強(qiáng)，并且將促進(jìn)光伏發(fā)電行業(yè)的良性競(jìng)爭(zhēng)和健康發(fā)展。
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全新62mm封裝模塊實(shí)現(xiàn)更高功率密度

　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應(yīng)歸功于將更大面積的芯片和經(jīng)改良的DCB襯底應(yīng)用于成熟的62 mm封裝而得以實(shí)現(xiàn)。1200 V阻斷電壓模塊的典型應(yīng)用包括：變頻器、太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)，1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器?！　?200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達(dá)到600A，1700 V
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“e星球”領(lǐng)先展商系列報(bào)導(dǎo)——Alpha and Omega

　　Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設(shè)計(jì)、開發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,AOS提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產(chǎn)品系列。其在器件物理，工藝技術(shù)，電路設(shè)計(jì)及封裝設(shè)計(jì)上擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。通過將這些經(jīng)驗(yàn)整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競(jìng)爭(zhēng)中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線設(shè)計(jì)的目標(biāo)是滿足日益增長(zhǎng)的高產(chǎn)量，高效能產(chǎn)品的應(yīng)用需求，包括手提電腦、平板電視、
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英飛凌徐輝：半導(dǎo)體是未來技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展的基礎(chǔ)

　　1月14日-15日，2017中國(guó)電動(dòng)汽車百人會(huì)論壇在釣魚臺(tái)國(guó)賓館舉行，騰訊汽車作為戰(zhàn)略合作媒體將進(jìn)行全程直播。會(huì)上，英飛凌科技(中國(guó))有限公司大中華區(qū)副總裁徐輝進(jìn)行了主題演講。　　以下為發(fā)言實(shí)錄：　　大家早上好!首先非常開心今天能再次來到百人會(huì)的論壇，能分享英飛凌對(duì)整個(gè)行業(yè)發(fā)展的看法和觀點(diǎn)。　　今天在吳主任的領(lǐng)導(dǎo)下，演講嘉賓分工比較明確，今天我想談一談半導(dǎo)體如何支持整個(gè)汽車行業(yè)創(chuàng)新。正好中車的丁總也把功率半導(dǎo)體IGBT這方面講了，我更多從我們的角度出發(fā)，功能安全和信息安全正好分開了，不用重
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中國(guó)工程院院士丁榮軍：汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢(shì)

　　我的匯報(bào)分三個(gè)部分。　　首先簡(jiǎn)單介紹汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢(shì)。　　功率半導(dǎo)體器件最早都是由晶閘管后來變成GTO到MOSFET，到現(xiàn)在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統(tǒng)的器件相比，主要是驅(qū)動(dòng)比較簡(jiǎn)單，同時(shí)損耗比較小，比較適合用于牽引傳動(dòng)包括電機(jī)控制器等。IGBT器件包括原來講的功率半導(dǎo)體器件，都被譽(yù)為傳統(tǒng)系統(tǒng)，在高鐵里一樣，把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點(diǎn)的轉(zhuǎn)換，是電機(jī)控制系統(tǒng)的CPU。　　目前電動(dòng)汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
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解析國(guó)內(nèi)IGBT增量需求主力何在

受益于新能源電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展，未來IGBT市場(chǎng)將迎來爆發(fā)。
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助力工業(yè)4.0發(fā)展世強(qiáng)創(chuàng)新應(yīng)用研討會(huì)圓滿舉行

傳統(tǒng)工業(yè)如何乘著工業(yè)4.0的東風(fēng)，加快智能制造裝備發(fā)展、加快構(gòu)建工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)、加強(qiáng)關(guān)鍵共性技術(shù)創(chuàng)新也成為現(xiàn)今的熱點(diǎn)問題，這次世強(qiáng)舉辦研討會(huì)，旨在幫助工程師了解工業(yè)4.0的相關(guān)器件產(chǎn)品、前沿技術(shù)方案，從而更好的解決其在創(chuàng)新時(shí)的問題。
關(guān)鍵字：工業(yè)4.0 IGBT