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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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解析IGBT的工作原理及作用

　　本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f(shuō)，IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。　
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

IGBT模塊封裝底板的氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響分析

本文簡(jiǎn)介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程，并在相同的實(shí)驗(yàn)條件下，對(duì)兩組不同氧化程度的模塊分別進(jìn)行超聲波無(wú)損檢測(cè)掃描，將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計(jì)分析軟件，通過(guò)對(duì)比兩組空洞率數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)：非氧化底板焊接空洞率較低，氧化底板的焊接空洞率普遍偏大。基于本實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，本文建議IGBT模塊在封裝之前，應(yīng)對(duì)散熱底板做好防腐處理，以確保底板不被氧化。
關(guān)鍵字： IGBT 底板氧化空洞率超聲波檢測(cè) 201605

工業(yè)強(qiáng)基：工信部今年打算怎么干？

　　工業(yè)基礎(chǔ)能力不強(qiáng)，關(guān)鍵核心零部件受制于人，工業(yè)發(fā)展如何補(bǔ)短板?解放日?qǐng)?bào)·上海觀察從國(guó)家工信部12日發(fā)布的《工業(yè)強(qiáng)基2016專項(xiàng)行動(dòng)實(shí)施方案》獲悉，今年工信部將推動(dòng)重點(diǎn)領(lǐng)域發(fā)展，實(shí)施“一攬子”突破行動(dòng)，重點(diǎn)突破40種左右標(biāo)志性核心基礎(chǔ)零部件(元器件)、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝。　　 ? 　　“工業(yè)大而不強(qiáng)”，是我國(guó)工業(yè)發(fā)展的總體現(xiàn)狀。上海機(jī)床廠剛剛下線的國(guó)內(nèi)首臺(tái)進(jìn)入汽車主機(jī)廠發(fā)動(dòng)機(jī)生產(chǎn)線的“MK8220/S
關(guān)鍵字： IGBT 中國(guó)制造2025

三菱電機(jī)應(yīng)用于電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)的模塊解決方案

　　電動(dòng)汽車的運(yùn)行條件不同于工業(yè)應(yīng)用條件，對(duì)電驅(qū)動(dòng)用逆變器的核心元器件功率模塊不僅要求體積小、重量輕、效率高、冷卻方法簡(jiǎn)單等，而且要求更高的可靠性、更長(zhǎng)的壽命以及安全無(wú)故障運(yùn)行?！　∽鳛槿蚴准议_(kāi)發(fā)汽車級(jí)功率模塊的三菱電機(jī)從1997年起就將汽車級(jí)功率模塊成功地應(yīng)用于電動(dòng)汽車中，迄今為止，已具有20年成功開(kāi)發(fā)汽車級(jí)功率模塊的豐富經(jīng)驗(yàn)?！　?jù)介紹，三菱電機(jī)最早推出的是客戶定制型的汽車級(jí)IGBT模塊和智能功率模塊(IPM)，隨后推出了非定制型的J-series汽車級(jí)功率模塊T-PM，它是一種采用壓注模封裝的2i
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) IGBT

IGBT關(guān)斷特性的提升

???????IGBT現(xiàn)在存在的一個(gè)比較大的問(wèn)題是關(guān)斷特性比較差，這對(duì)應(yīng)用限制比較多。英飛凌是如何解決這樣的問(wèn)題的?　　英飛凌科技(中國(guó))公司工業(yè)功率控制事業(yè)部中國(guó)區(qū)總監(jiān)?于代輝　　以前，半導(dǎo)體廠家主要從產(chǎn)品的角度如電子學(xué)角度來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的更新?lián)Q代。最近，英飛凌提出PToS，也就是從產(chǎn)品到系統(tǒng)。英飛凌從系統(tǒng)的角度，通過(guò)與用戶更多的溝通，比如UPS，包括太陽(yáng)能、風(fēng)能也存在導(dǎo)通電阻、工作溫度的問(wèn)題。我們從用戶、系統(tǒng)和應(yīng)用的角度來(lái)反觀
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT

新型大功率模塊助你在日益火爆的充電樁搶占先機(jī)

　　新能源汽車隨著相關(guān)技術(shù)的日趨成熟而越來(lái)越受歡迎，同時(shí)其清潔環(huán)保的特點(diǎn)已經(jīng)越來(lái)越受到大眾的喜愛(ài)。只是受制于動(dòng)力系統(tǒng)(電池等)的限制，新能源汽車的續(xù)航與動(dòng)力艙的體積一直為人詬病。由此可見(jiàn)，新能源汽車優(yōu)勢(shì)非常明顯，但弱點(diǎn)也比較突出，因此如何才能充分利用這種新技術(shù)，使之不雞肋呢?增加配套基礎(chǔ)設(shè)施(像燃料動(dòng)力車一樣，增加“加油站”即充電樁/充電機(jī))毫無(wú)疑問(wèn)成為推動(dòng)電動(dòng)車發(fā)展的最強(qiáng)助力。這個(gè)配套基礎(chǔ)設(shè)施的潛力有多大?可以這么說(shuō)，有路的地方就有機(jī)會(huì)!由此，我們可以看到大量的企業(yè)信心滿滿地殺入這個(gè)市場(chǎng)?！　∧敲磫?wèn)題來(lái)
關(guān)鍵字： Vincotech IGBT

驅(qū)動(dòng)電路頻率不足導(dǎo)致的IGBT失效分析

　　在IGBT的使用過(guò)程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路工作頻率相對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)頻率不足時(shí)，導(dǎo)致的IGBT失效問(wèn)題。只有對(duì)IGBT失效原因進(jìn)行正確全面的分析，才能找出問(wèn)題的根源順利解決。幫助大家理解這種失效原因背后的原理?！　⊥ǔ?lái)說(shuō)，限制輸出頻率的因素是響應(yīng)速度和耗散功率。但是相比之下很多驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的規(guī)定輸出頻率上限卻顯得小了很多。這是為什么呢?原因之一，是驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)一次輸出翻轉(zhuǎn)后并不能馬上恢復(fù)穩(wěn)態(tài)。如果在驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入穩(wěn)態(tài)前再次輸出翻轉(zhuǎn)，則會(huì)引發(fā)一些可靠性問(wèn)題?！　”?/li>
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電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向

節(jié)能環(huán)保離不開(kāi)高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無(wú)線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請(qǐng)部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場(chǎng)動(dòng)向及新產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車電池 USB Type-C 無(wú)線充電能量收集數(shù)據(jù)中心 201604

瑞薩電子推出第8代IGBT，以行業(yè)領(lǐng)先的超低損耗特性，提升系統(tǒng)功率

　　瑞薩第8代IGBT：G8H系列2016年3月10日，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)，于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產(chǎn)品，其可將用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器中的轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并減少不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的逆變器應(yīng)用。推出的六種新產(chǎn)品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、4
關(guān)鍵字：瑞薩 IGBT

淺析IGBT的檢測(cè)方法

　　IGBT有三個(gè)電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)　　一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別　　(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極　　根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wàn)用表
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【E課題】PWM“死區(qū)”的概念及基本原理

　　死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開(kāi)下半橋或在下半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開(kāi)上半橋，從而避免功率元件燒毀?！　WM脈寬調(diào)制　　在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。以兩電平為例，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件，比如igbt。這兩個(gè)igbt不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。因此，設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說(shuō)，當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過(guò)一段死區(qū)，這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通。　　死區(qū),簡(jiǎn)單解釋　　通常,大功率電機(jī)、變頻器等，末端都是由大功率管
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Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包括大型家用電器的驅(qū)動(dòng)電機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)以及電動(dòng)自行車和無(wú)人駕駛飛機(jī)等以電池供電的運(yùn)載工具。新產(chǎn)品還適用于超過(guò)600W的電源，以及燃料電池、太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用的反相器。　　DGD21xx系列具有可自舉到高達(dá)600V的浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，使之適用于在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及電源常見(jiàn)
關(guān)鍵字： Diodes IGBT