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          設(shè)計(jì)全數(shù)字IGBT后極高頻機(jī)的全過程

          • 本機(jī)采用高性能單片機(jī)處理數(shù)據(jù)性能指標(biāo):1、功率800W可調(diào)。2、IGBT后級,適應(yīng)性強(qiáng)。3、后極單...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  高頻機(jī)  

          EiceDRIVERTM 系列新品:1EDI Compact驅(qū)動器

          • 2013年12月4日,英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼:IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼:IFNNY)宣布,在今年的電氣自動化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上,英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動器。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  驅(qū)動器  IGBT  MOSFET  

          探討逆變焊機(jī)IGBT炸管的原因及保護(hù)措施

          • 限于對開關(guān)器件及主電路結(jié)構(gòu)工作原理的理解及檢測手段的缺乏,大功率逆變焊機(jī)開關(guān)器件工作的可靠性是整機(jī)設(shè)計(jì)...
          • 關(guān)鍵字: 逆變焊機(jī)  IGBT  

          國產(chǎn)IGBT前景看好,但突破之路頗曲折

          • 隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展,IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用,成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國市場 ...
          • 關(guān)鍵字: 國產(chǎn)  IGBT  

          一種逆變H橋IGBT單管驅(qū)動以及工作保護(hù)方案

          • 大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?,同樣電流容量的IGBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變H橋里...
          • 關(guān)鍵字: 逆變H橋  IGBT  單管驅(qū)動  

          針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動器設(shè)計(jì)

          • 引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

          利用安森美IGBT實(shí)現(xiàn)高能效的高性能開關(guān)應(yīng)用

          • 今天,不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開關(guān)應(yīng)用,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)都可以提供有效的解決方案,以實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上,電子設(shè)計(jì)人員首選可以實(shí)現(xiàn)高能效的器件,而且要針對不同應(yīng)用選擇合適的IGBT。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  太陽能  逆變器  電機(jī)驅(qū)動  

          功率MOSFET的由來及結(jié)構(gòu)原理淺談

          • 什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制...
          • 關(guān)鍵字: 功率MOSFET  IGBT  二極管  

          淺析讓IGBT更快的技巧

          • IGBT關(guān)斷損耗大;拖尾是嚴(yán)重制約高頻運(yùn)用的攔路虎。這問題由兩方面構(gòu)成:1)IGBT的主導(dǎo)器件—GTR的基區(qū)儲...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  開關(guān)損耗  

          揭秘IGBT市場成長的動力來源

          • 據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報告,IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后,今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言,市場預(yù)估將從今年的36億美元,在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動器(MotorDrive)、不斷電動力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場的成長動力來源。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  晶圓  馬達(dá)驅(qū)動器  

          IGBT在電力電子行業(yè)中占有重要地位

          •   要實(shí)現(xiàn)“十一五”規(guī)劃中提出的“單位國內(nèi)生產(chǎn)總值能源消耗比‘十五’期末降低20%左右”的目標(biāo),關(guān)鍵是要有效降低工業(yè)生產(chǎn)過程中那些大電流和高電壓應(yīng)用的功耗,如交流電機(jī)控制、逆變器、繼電器、開關(guān)電源、變頻器、工業(yè)傳動裝置、機(jī)車與列車用電源以及供暖系統(tǒng)傳動裝置等工業(yè)自動化應(yīng)用的能耗。   所有這些交流控制應(yīng)用都需要能夠產(chǎn)生大電流和高電壓的核心功率器件,作為新型電力電子器件的代表,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)越來越受到業(yè)界的重視。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  電力電子  

          對IGBT驅(qū)動的理解

          • IGBT器件如何開通和關(guān)閉,速度是快是慢,其實(shí)到如今為止,并沒有一個明確結(jié)論,最終取決實(shí)際應(yīng)用環(huán)境。一、...
          • 關(guān)鍵字: IGBT驅(qū)動  IGBT  

          IGBT模塊應(yīng)用指南

          • IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生,九十年代迅速發(fā)展起來的新...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

          • 飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號: FCS),全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計(jì)和模擬工具,可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計(jì)–進(jìn)一步強(qiáng)化,引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  IGBT  整流器  

          大功率IGBT模塊PCB抄板及芯片解密研究

          •   據(jù)悉,我國大功率IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化啦!這不僅打破了我國在高端IGBT模塊長期依賴進(jìn)口的局面,而且還是國內(nèi)第一個反向創(chuàng)新基礎(chǔ)上真正具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的高壓大功率電力電子核心器件。為了發(fā)展我國的IGBT模塊,深圳聯(lián)邦科技反向技術(shù)研究中心早就實(shí)施在國際尖端科技攻關(guān)成果的基礎(chǔ)上,進(jìn)行了系列化IGBT模塊PCB抄板及板上芯片解密研究,并在吸收了國內(nèi)外同類產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上反向創(chuàng)新設(shè)計(jì),二次開發(fā)升級產(chǎn)品。   IGBT模塊重要應(yīng)用及項(xiàng)目微創(chuàng)新   IGBT作為自動控制和功率變
          • 關(guān)鍵字: IGBT  PCB  
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          igbt介紹

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