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一款并聯(lián)諧振逆變電源的設(shè)計(jì)方案
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 并聯(lián)諧振逆變電源 PWM斬波控制 三相不控整流橋 直流斬波器 IGBT
國(guó)產(chǎn)IGBT前景光明 突破之路曲折
- 隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國(guó)市場(chǎng)，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場(chǎng)。 據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%。2011年IGBT銷售額將達(dá)到8.59億美元，2015年有望達(dá)到13億美
- 關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體器件 太陽能
DSP平臺(tái)的數(shù)控逆變中頻電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 摘要：應(yīng)用數(shù)字處理技術(shù)，研究了基于DSP的數(shù)字化控制的中頻逆變電源。給出了基于IGBT的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，分析了其控制原理，采用基于TMS320F2407型DSP為核心的控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)串聯(lián)諧振中頻逆變電源的數(shù)字化控制，以滿足系統(tǒng)控制的實(shí)時(shí)性和靈活性要求。研制了一臺(tái)10kW/10kHz的逆變電源樣機(jī)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的有效性和可行性。
- 關(guān)鍵字： 逆變電源 DSP IGBT 串聯(lián)諧振 DPLL 201310
高鐵有了“中國(guó)芯”
- 中國(guó)北車集團(tuán)日前在西安對(duì)外發(fā)布：大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過專家鑒定并投入批量生產(chǎn)。中國(guó)自此有了完全自主產(chǎn)權(quán)的大功率IGBT“中國(guó)芯”。 據(jù)介紹，作為新一代半導(dǎo)體器件，IGBT是自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應(yīng)用在軌道交通裝備行業(yè)、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽能、電動(dòng)汽車和家電產(chǎn)業(yè)中。此前，國(guó)內(nèi)高端IGBT芯片基本依賴進(jìn)口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國(guó)高鐵、動(dòng)車組等軌道交通裝備及其他相關(guān)行業(yè)提供強(qiáng)勁的“中國(guó)芯
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體器件 IGBT
IGBT保護(hù)電路的過流保護(hù)設(shè)計(jì)方案
- IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就
- 關(guān)鍵字： IGBT 保護(hù)電路 過流保護(hù) 設(shè)計(jì)方案
可再生能源應(yīng)用加持IGBT市場(chǎng)前景一片光明
- 據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告，IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器(MotorDrive)、不斷電動(dòng)力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力來源。IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后，Yole分析師預(yù)期今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步，具體而言，市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。在Yole的報(bào)告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用，區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT
- 關(guān)鍵字： 可再生能源 IGBT
英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5
- 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì)上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來，已經(jīng)獲得了巨大的市場(chǎng)關(guān)注，它被認(rèn)為是一種革新的技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 TRENCHSTOP IGBT
安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級(jí)性能的IGBT，擴(kuò)充產(chǎn)品陣容
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場(chǎng)截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性，降低損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。 安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
- 關(guān)鍵字： 安森美，IGBT
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