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          吉利科技旗下晶能車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片

          • 近日,吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布,其自主設(shè)計研發(fā)的首款車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設(shè)計要求。吉利科技集團消息顯示,該款I(lǐng)GBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術(shù),通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和FS結(jié)構(gòu),兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導(dǎo)通/開關(guān)損耗,功率密度增大約35%,綜合性能指標達到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據(jù)悉,晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導(dǎo)體公司,聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新,發(fā)揮“芯片設(shè)計+模塊制
          • 關(guān)鍵字: 吉利科技  晶能  車規(guī)級  IGBT  

          吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片

          • IT之家 3 月 16 日消息,吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布,其自主設(shè)計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設(shè)計要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術(shù),通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu),兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導(dǎo)通 / 開關(guān)損耗,功率密度增大約 35%,綜合性能指標達到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示,一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導(dǎo)體占比接近 1/
          • 關(guān)鍵字: 吉利  IGBT  

          [向?qū)捊麕а葸M]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

          • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面,這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏,且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率,相當(dāng)于半導(dǎo)體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用,而且在汽車
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  

          基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

          • 隨著全球?qū)Νh(huán)保問題的重視,在汽車領(lǐng)域,新能源汽車肩負著構(gòu)建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿,汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術(shù)路線探索環(huán)保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術(shù)路線之一,其核心部件車載充電機(OBC)經(jīng)過幾年的發(fā)展技術(shù)日益成熟。但高效可靠,易于控制,高性價比一直是各家方案商以及零部件供應(yīng)商持續(xù)追求的目標。本方案是品佳集團聯(lián)合國內(nèi)高校共同設(shè)計,基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務(wù),功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
          • 關(guān)鍵字: Infineon  TC233LP  AIKW40N65DF5  OBC  Aurix  IGBT  

          如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

          • 尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強調(diào)的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中,芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加,進而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中,我們將探討如何調(diào)整模塊設(shè)計來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考,我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算

          • 與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度,有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件,兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)(開通和關(guān)斷)損耗,而二極管損耗
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  

          為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

          • 對于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓撲結(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇,如空調(diào)、加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)以及熱泵。理論上,在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下,通過IGBT反向續(xù)流永遠不會發(fā)生。然而,在輕負載或瞬態(tài)條件下,由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振,會有反向電流流過。這個諧振電流,iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓(VCE)可以得出:當(dāng)輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(Vin&l
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  CCM模式  

          如何手動計算IGBT的損耗

          • 現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成,節(jié)省了不少精力,不得不說這對工程師來說是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,好學(xué)的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子,詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形:IGBT的損耗可以分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,其中開關(guān)損耗又分為開通和關(guān)斷兩部分,下面我分別來看一下各部分的計算推導(dǎo)過程。開關(guān)損耗-開通部分我們先來看一下理想的
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          功率器件:新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

          • 功率半導(dǎo)體器件,也稱為電力電子器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變(直流轉(zhuǎn)換成交流)、整流(交流轉(zhuǎn)換成直流)、斬波(直流升降壓)、變頻(交流之間轉(zhuǎn)換)是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件,功率器件下游應(yīng)用十分廣泛,包括新能源(風(fēng)電、光伏、儲能和電動汽車)、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等,根據(jù)每個細分領(lǐng)域性能要求
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  IGBT  MOSFET  國產(chǎn)替代  

          瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC 用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

          • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  柵極驅(qū)動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

          IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

          • 針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析,著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán),分析結(jié)果可知,活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板,剝離強度25 MPa,(-40 ~150)℃熱循環(huán)達到1 500次,能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次,滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  AlN陶瓷基板  金屬化  可靠性應(yīng)用  202212  

          一文讀懂功率半導(dǎo)體

          • 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中,都會用到功率器件,MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端,為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中,20世紀50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  MOSFET  IGBT  

          10分鐘狂充80%電量!東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

          • 近日消息,從東風(fēng)汽車官方獲悉,東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成,將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車,實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高,除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求,作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體,碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代,從而實現(xiàn)10分鐘充電80%,并進一步提升車輛續(xù)航里程,降低整車成本。同時,總投資2.8億元的功率模塊二期項
          • 關(guān)鍵字: 東風(fēng)  碳化硅  功率模塊  IGBT  

          吉利也要自制IGBT功率模塊,一期年產(chǎn)60萬套

          • 吉利招標平臺發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項目監(jiān)理工程招標公告》。該公告指向,吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項目租賃樂坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬米,建設(shè)年產(chǎn)60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠,主要包括 3000 平方米的萬級潔凈室及實驗室,1000平方米的動力站,1000 平方米的倉庫及辦公區(qū)。本項目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū),杭州錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準設(shè)立,是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺”之一,是連接杭州城東智
          • 關(guān)鍵字: IGBT  功率模塊  吉利  

          半導(dǎo)體周期調(diào)整IGBT走強,頭部公司訂單飽滿紛紛擴產(chǎn)

          • 半導(dǎo)體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整,但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動,以IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)為代表的功率器件強勢增長,相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿,產(chǎn)能供不應(yīng)求。車規(guī)級IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭,斯達半導(dǎo)今年前三季度實現(xiàn)凈利潤達到5.9億元,同比增長1.21倍,增速超過營業(yè)收入,銷售毛利率達到41.07%,環(huán)比提升。在12月5日斯達半導(dǎo)三季度業(yè)績說明會上,公司高管介紹,近幾個季度營收增長主要驅(qū)動力來自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲能、風(fēng)電等行業(yè)持續(xù)快速放量,市場份額不斷提高;隨著規(guī)?;?yīng)
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