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使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率
- 本文將強調(diào)出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰(zhàn)。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
- 關鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT
東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。新型預驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
- 關鍵字： IGBT MOSEFT
Power Integrations出爐簡單易用的SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動器，適用于壓接式IGBT模塊
- 中高壓逆變器應用領域門極驅(qū)動器技術的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。1SP0351驅(qū)動器裝備了動態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
- 關鍵字： 門極驅(qū)動器 IGBT
工業(yè)電機用功率半導體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
- 關鍵字： 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?！ ￡P鍵詞：IGBT；
- 關鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
- 關鍵字： IGBT SiC GaN
同類最佳的超級結MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁
- 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認證的超級結MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
- 關鍵字： 超級結MOSFET IGBT 充電樁
隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性
- Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現(xiàn)場應用工程師） 摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性?！ ￡P鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅(qū)動器 在功率電子（例如驅(qū)動技術）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器
- 關鍵字： 201909 IGBT 隔離式 柵極驅(qū)動器
向小功率和大功率延伸 三菱電機五大新品看點
- 在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來越得到重視與應用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關鍵時期，對功率半導體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術演進，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
- 關鍵字： 三菱電機 PCIM亞洲展 IGBT
更換老化的柵極驅(qū)動光電耦合器
- 電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現(xiàn)驅(qū)動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現(xiàn)交流感應電機所需的正弦電流。在設計電機驅(qū)動器時，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務由驅(qū)動IGBT的柵極驅(qū)動
- 關鍵字： 電機 IGBT
安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器將在歐洲PCIM 2019推出
- 2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術，提供低導通損耗和開關損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
- 關鍵字： 安森美半導體 IGBT SiC肖特基二極管技術
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