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東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSEFT
Power Integrations出爐簡單易用的SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動器，適用于壓接式IGBT模塊
- 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。1SP0351驅(qū)動器裝備了動態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
- 關(guān)鍵字： 門極驅(qū)動器 IGBT
工業(yè)電機用功率半導(dǎo)體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機。 關(guān)鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應(yīng)用 （例如電動工具），
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)。基于對公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性。 關(guān)鍵詞：IGBT；
- 關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡化設(shè)備設(shè)計
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當(dāng)前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫（TC=100℃）條件下的導(dǎo)通損耗特性進行了改進，而且新款I(lǐng)GBT還有助于降低設(shè)備功耗。該產(chǎn)品的結(jié)殼熱阻為0
- 關(guān)鍵字： IGBT 分立
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
同類最佳的超級結(jié)MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁
- 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應(yīng)用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關(guān)重要。常用的半導(dǎo)體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導(dǎo)體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
- 關(guān)鍵字： 超級結(jié)MOSFET IGBT 充電樁
隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性
- Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現(xiàn)場應(yīng)用工程師） 摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅(qū)動器 在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時間。然而，快速開關(guān)同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器
- 關(guān)鍵字： 201909 IGBT 隔離式 柵極驅(qū)動器
向小功率和大功率延伸 三菱電機五大新品看點
- 在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一的功率半導(dǎo)體器件越來越得到重視與應(yīng)用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵時期，對功率半導(dǎo)體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 PCIM亞洲展 IGBT
IGBT場效應(yīng)管的工作原理及檢測方法
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
- 關(guān)鍵字： IGBT 場效應(yīng)管
更換老化的柵極驅(qū)動光電耦合器
- 電機用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應(yīng)電機在這種應(yīng)用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現(xiàn)驅(qū)動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現(xiàn)交流感應(yīng)電機所需的正弦電流。在設(shè)計電機驅(qū)動器時，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應(yīng)考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務(wù)由驅(qū)動IGBT的柵極驅(qū)動
- 關(guān)鍵字： 電機 IGBT
安森美半導(dǎo)體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器將在歐洲PCIM 2019推出
- 2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，用于多方面的電源應(yīng)用，包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
- 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體 IGBT SiC肖特基二極管技術(shù)
意法半導(dǎo)體的先進IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計 可提高家電感應(yīng)加熱效率
- 意法半導(dǎo)體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實現(xiàn)最佳的導(dǎo)通和開關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效?！ ⌒翴H系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。除新的IH系列外，意法半導(dǎo)體的軟開關(guān)用溝柵式場截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 IGBT
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