?半導(dǎo)體文章進(jìn)入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

我國(guó)首次制備大規(guī)模鍺基石墨烯助推半導(dǎo)體工業(yè)

　　將助推石墨烯在半導(dǎo)體工業(yè)界廣泛應(yīng)用　　記者從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，該所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI課題組與超導(dǎo)課題組，采用化學(xué)氣相淀積法，在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質(zhì)量單層石墨烯。相關(guān)成果日前發(fā)表于《自然》雜志子刊《科學(xué)報(bào)告》。　　石墨烯在機(jī)械、電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)方面的優(yōu)異性能，使其具有巨大的應(yīng)用前景。目前，化學(xué)氣相沉積法是制備高質(zhì)量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是，在石墨烯的生長(zhǎng)過(guò)程中，金屬基底是必不可少的催化劑，而隨后的應(yīng)用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉(zhuǎn)移到所需要的絕緣或者半
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寬禁帶半導(dǎo)體新時(shí)代的來(lái)臨

　　第三代半導(dǎo)體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出，最有發(fā)展前景。第三代半導(dǎo)體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石，其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導(dǎo)率和更成熟的技術(shù)，而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點(diǎn)則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢(shì)決定了應(yīng)用范圍上的差異，在光電領(lǐng)域，GaN占絕對(duì)的主導(dǎo)地位，而在其他功率器件領(lǐng)域，SiC適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域。目前來(lái)看，未來(lái)2
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半導(dǎo)體、電子設(shè)備：電子行業(yè)整體運(yùn)行狀況

　　電子板塊五個(gè)交易日上漲2.46%，排在23個(gè)行業(yè)中第4位，成交金額512.70億元，資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為：億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環(huán)旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為：華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。　　行業(yè)動(dòng)態(tài)觸控筆記本OGS面板低價(jià)版問(wèn)世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國(guó)內(nèi)液晶電視面板自給率超過(guò)3成
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半導(dǎo)體巨頭搶入20納米設(shè)備廠(chǎng)新一輪搶單

　　隨著臺(tái)積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠(chǎng)將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代，設(shè)備廠(chǎng)也展開(kāi)新一波的搶單計(jì)劃。　　在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后，另一設(shè)備大廠(chǎng)科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠(chǎng)已搶進(jìn)臺(tái)積電及英特爾供應(yīng)鏈，對(duì)于國(guó)內(nèi)設(shè)備廠(chǎng)漢微科來(lái)說(shuō)競(jìng)爭(zhēng)壓力大增。　　雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)下半年景氣能見(jiàn)度不高，但是包括臺(tái)積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
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半導(dǎo)體搶入16/14nm FinFET制程業(yè)者掠地

　　EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠(chǎng)積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開(kāi)發(fā)商也亦步亦趨，并爭(zhēng)相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來(lái)的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。　　16/14奈米(nm)先進(jìn)制程電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)市場(chǎng)戰(zhàn)火正式點(diǎn)燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)結(jié)構(gòu)不僅提升晶片設(shè)計(jì)困難度(圖1)，更可能拖累產(chǎn)品出貨時(shí)程，為協(xié)助客戶(hù)能突破Fi
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莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？

　　推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線(xiàn)圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀(guān)察近期的報(bào)道，似乎已無(wú)異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩爾定律快“壽終正寢”的聲音已不容置辯，但是14nm的步伐仍按期走來(lái)，原因究竟是什么? 　　傳統(tǒng)光刻技術(shù)與日俱進(jìn) 　　當(dāng)尺寸縮小到22/20nm時(shí)，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已無(wú)能力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)。　　提高光刻的分辨率有3個(gè)途徑：縮短曝光波長(zhǎng)、增大鏡頭數(shù)值孔徑NA
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半導(dǎo)體技術(shù)扮推手　醫(yī)療保健設(shè)備邁向智能化

　　半導(dǎo)體技術(shù)正推動(dòng)醫(yī)療保健產(chǎn)業(yè)變革。在半導(dǎo)體業(yè)者的努力下，MEMS感測(cè)器和致動(dòng)器、低功耗微控制器，以及無(wú)線(xiàn)收發(fā)器的效能不斷提升，且功耗大幅降低，因而有助電子產(chǎn)品制造商為可攜式醫(yī)療電子設(shè)備增添智慧化功能，從而加速行動(dòng)醫(yī)療及遠(yuǎn)距照護(hù)發(fā)展。　　意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨大中華與南亞區(qū)總裁紀(jì)衡華　　過(guò)往醫(yī)療設(shè)備體積龐大，占滿(mǎn)整個(gè)房間，現(xiàn)今醫(yī)療設(shè)備已不斷變小、變輕，并創(chuàng)造許多新的應(yīng)用，例如很多新的穿戴式醫(yī)療設(shè)備已被設(shè)計(jì)得十分隱蔽，不易被人發(fā)現(xiàn)。如同智慧型手機(jī)和游戲機(jī)一樣，可攜式醫(yī)療設(shè)備可全天候工作，讓病患與醫(yī)
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國(guó)際半導(dǎo)體展聚焦3D IC綠色制程

　　SEMICON Taiwan 2013國(guó)際半導(dǎo)體展下月起跑，今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機(jī)械及系統(tǒng)級(jí)封裝等為主題，另有LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極體)制程特展，同時(shí)也將舉辦15場(chǎng)國(guó)際論壇及邀請(qǐng)多家知名企業(yè)主參與，預(yù)料將成注目焦點(diǎn)。　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，今
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融資渠道成關(guān)鍵 IC代工業(yè)需有序進(jìn)步

　　中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)究竟要實(shí)現(xiàn)什么樣的目標(biāo)?有宏大的目標(biāo)如“建立自主可控的中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)體系”。由于自主與可控的范圍太大，離目前產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平還稍有點(diǎn)遠(yuǎn)，我們可以把它稱(chēng)之為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的終極目標(biāo)。還有一個(gè)目標(biāo)即中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的“十二五”規(guī)劃，簡(jiǎn)要概括是實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售額3300億元，以及國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到30%，還有諸如銷(xiāo)售額達(dá)到多少億元的芯片生產(chǎn)線(xiàn)共有多少條等。站在不同立場(chǎng)，對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)理解可能不盡相同。實(shí)際上IC國(guó)產(chǎn)化率才是反映中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力提高的主要指
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半導(dǎo)體巨頭搶入20納米設(shè)備廠(chǎng)新一輪搶單

　　隨著臺(tái)積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠(chǎng)將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代，設(shè)備廠(chǎng)也展開(kāi)新一波的搶單計(jì)劃。　　在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后，另一設(shè)備大廠(chǎng)科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠(chǎng)已搶進(jìn)臺(tái)積電及英特爾供應(yīng)鏈，對(duì)于國(guó)內(nèi)設(shè)備廠(chǎng)漢微科來(lái)說(shuō)競(jìng)爭(zhēng)壓力大增。　　雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)下半年景氣能見(jiàn)度不高，但是包括臺(tái)積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
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IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革面臨三大難題

　　半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開(kāi)始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時(shí)在10nm徘徊。除非等到EUV技術(shù)成熟，制程才能再繼續(xù)縮小下去。依目前的態(tài)勢(shì)，即便EUV成功也頂多還有兩個(gè)臺(tái)階可上，即7nm或者5nm。因?yàn)榘蠢碚摐y(cè)算，在5nm時(shí)可能器件已達(dá)到物理極限。　　工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標(biāo)。眾所周知，推動(dòng)市場(chǎng)進(jìn)步的是終端電子產(chǎn)品的市場(chǎng)需求，向著更
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國(guó)家首個(gè)半導(dǎo)體照明技術(shù)評(píng)價(jià)聯(lián)盟在京成立

　　近日，由中國(guó)照明電器協(xié)會(huì)、中國(guó)照明學(xué)會(huì)、中國(guó)質(zhì)量認(rèn)證中心、北京電光源研究所共同發(fā)起的“半導(dǎo)體照明技術(shù)評(píng)價(jià)聯(lián)盟”在北京成立。該聯(lián)盟為我國(guó)首個(gè)半導(dǎo)體照明技術(shù)評(píng)價(jià)領(lǐng)域的社會(huì)組織。　　該聯(lián)盟的主要任務(wù)是技術(shù)評(píng)價(jià)，規(guī)范半導(dǎo)體照明產(chǎn)品接口，增強(qiáng)產(chǎn)品之間的互換性，引導(dǎo)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明技術(shù)進(jìn)步，制定與國(guó)際先進(jìn)規(guī)范(標(biāo)準(zhǔn))接軌的聯(lián)盟規(guī)范。　　浙江省標(biāo)準(zhǔn)化院與浙江陽(yáng)光照明電器集團(tuán)股份有限公司、橫店集團(tuán)得邦照明股份有限公司、杭州宇中高虹照明電器有限公司、杭州浙大三色儀器有限公司等10余家浙江企
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iSuppli顧文軍：中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展魔咒

　　芯夢(mèng) 中國(guó)夢(mèng)---中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展十個(gè)最關(guān)鍵的問(wèn)題　　引言篇：中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的“西緒福斯”魔咒　　在多古希臘神話(huà)中，西緒福斯(Sisyphus，又譯西齊佛)推石頭的故事給我留下了深刻的印象。西緒福斯因?yàn)樵谔焱シ噶朔?，被宙斯懲。?duì)他的懲是：要推一塊巨石上山。每天，西緒福斯都要費(fèi)好大的力氣把那塊石頭推到山頂，可是石頭又會(huì)自動(dòng)滾下來(lái)，于是西緒福斯又要把那塊石頭往山頂上推。日復(fù)一日，周而復(fù)始。　　猶如西緒福斯推動(dòng)巨石，歷史是循環(huán)的，又是進(jìn)步的。在半導(dǎo)體業(yè)的輪回中，中國(guó)的半導(dǎo)體
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體集成電路

iSuppli顧文軍：中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展魔咒

　　在多古希臘神話(huà)中，西緒福斯(Sisyphus，又譯西齊佛)推石頭的故事給我留下了深刻的印象。西緒福斯因?yàn)樵谔焱シ噶朔?，被宙斯懲。?duì)他的懲是：要推一塊巨石上山。每天，西緒福斯都要費(fèi)好大的力氣把那塊石頭推到山頂，可是石頭又會(huì)自動(dòng)滾下來(lái)，于是西緒福斯又要把那塊石頭往山頂上推。日復(fù)一日，周而復(fù)始。　　猶如西緒福斯推動(dòng)巨石，歷史是循環(huán)的，又是進(jìn)步的。在半導(dǎo)體業(yè)的輪回中，中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)卻似乎“循環(huán)”大于“進(jìn)步”，彷佛陷入了“西緒福斯”推石
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半導(dǎo)體大廠(chǎng)低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計(jì)劃

　　英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠(chǎng)計(jì)劃自2013年1月起「順利展開(kāi)」，該座代號(hào)為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠(chǎng)已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。　　據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠(chǎng);該公司在2012年12月就透露正準(zhǔn)備擴(kuò)充D1X廠(chǎng)區(qū)，以「容納新的制造技術(shù)」，但該訊息僅低調(diào)地在美國(guó)奧勒岡州當(dāng)?shù)孛襟w曝光，并沒(méi)有公布在公司官網(wǎng)。　　英特爾D1X廠(chǎng)的第一期工程預(yù)期會(huì)是該公司第一條以12寸晶圓生產(chǎn)14奈米 FinFET 晶片的生產(chǎn)線(xiàn);而
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