?半導(dǎo)體文章進(jìn)入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體板塊走強(qiáng) 半導(dǎo)體ETF（512480）漲近4%

芯片股全線走強(qiáng)，南財(cái)金融終端主題庫(kù)顯示，第三代半導(dǎo)體主題漲超2%。相關(guān)ETF——半導(dǎo)體ETF(512480)漲近4%。成分股中，芯源微漲超12%，通富微電漲停，安吉科技、中微公司、明微電子、北方華創(chuàng)跟漲?！　∈讋?chuàng)證券認(rèn)為，看好舉國(guó)體制發(fā)展下半導(dǎo)體自主創(chuàng)新進(jìn)程加速。在海外對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展日益嚴(yán)格的限制下，舉國(guó)體制強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量，有望為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能，半導(dǎo)體領(lǐng)域的自主創(chuàng)新有望在國(guó)家的大力支持下快速發(fā)展。看好半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈自主創(chuàng)新進(jìn)程加速，其中，半導(dǎo)體設(shè)備、材料領(lǐng)域未取得技術(shù)突破的有望
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俄羅斯16nm 48核處理器性能接近7nm華為鯤鵬920！可惜沒(méi)法造了

10月16日消息，近日外媒techspot曝光了俄羅斯芯片設(shè)計(jì)廠商貝加爾電子（Baikal Electronics）最新設(shè)計(jì)完成的48核的服務(wù)器處理器——S1000?？上У氖?，在美國(guó)及其盟國(guó)的制裁之下，這款芯片恐怕再也無(wú)法進(jìn)入市場(chǎng)了。過(guò)去多年來(lái)，俄羅斯的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直非常依賴國(guó)外的技術(shù)。根據(jù)聯(lián)合國(guó)商品貿(mào)易（United Nations Comtrade）資料庫(kù)，2020 年俄羅斯進(jìn)口了4.4 億美元半導(dǎo)體設(shè)備和12.5 億美元的芯片，相關(guān)半導(dǎo)體進(jìn)口主要來(lái)自沒(méi)有對(duì)其實(shí)施制裁的亞洲國(guó)家。其實(shí)在自俄烏沖突爆發(fā)之
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?半導(dǎo)體迎資本支出下修潮，美光、臺(tái)積電后輪到誰(shuí)？

受疫情、全球芯片需求放緩等因素影響，半導(dǎo)體市場(chǎng)遭遇“寒風(fēng)”沖擊，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入調(diào)整時(shí)期，包括美光、臺(tái)積電等在內(nèi)多家大廠紛紛下修資本支出計(jì)劃，涉及存儲(chǔ)器、晶圓代工兩大領(lǐng)域。01存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)挑戰(zhàn)前所未見(jiàn)？美光、南亞科削減投資計(jì)劃今年9月30日美光科技表示，目前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的挑戰(zhàn)是“前所未見(jiàn)”的，但是公司管理層相信，企業(yè)規(guī)模優(yōu)勢(shì)將幫助美光度過(guò)這一難關(guān)。展望未來(lái)，美光認(rèn)為未來(lái)的存儲(chǔ)芯片需求和公司經(jīng)營(yíng)將面臨更嚴(yán)重的困難，美光將削減投資計(jì)劃。據(jù)悉，此前美光已經(jīng)大幅削減了資本開(kāi)支，現(xiàn)在預(yù)計(jì)2023財(cái)年的資本開(kāi)支規(guī)模將是80億
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“北溪”管道泄漏沖擊波：特斯拉上調(diào)充電價(jià)、有車企欲外遷生產(chǎn)線

北京工商大學(xué)商業(yè)經(jīng)濟(jì)研究所所長(zhǎng)洪濤向貝殼財(cái)經(jīng)記者分析稱，歐洲缺乏天然氣，必然會(huì)對(duì)總部位于德國(guó)的大眾汽車、奔馳等車企產(chǎn)生負(fù)面影響。受影響的不僅是汽車制造業(yè)，發(fā)熱、發(fā)電、鋼鐵、陶瓷、玻璃等行業(yè)也受到影響。新華社10月4日消息，瑞典檢察院宣布封鎖“北溪”管道泄漏點(diǎn)附近海域，并展開(kāi)刑事調(diào)查?！氨毕?1”管道于2011年建成，東起俄羅斯，向德國(guó)輸氣。“北溪-2”管道去年建成，尚未投入使用。目前上述兩條管道上共發(fā)現(xiàn)4個(gè)泄漏點(diǎn)。大國(guó)博弈，企業(yè)首當(dāng)其沖。受到上述兩條天然氣管道泄漏影響，歐洲天然氣價(jià)格大幅上漲。而從9月下旬
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能源上漲需求,芯片半導(dǎo)體板塊今年還能上漲嗎？

據(jù)wind數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，6月以來(lái)半導(dǎo)體指數(shù)漲幅達(dá)到23.84%！（wind，20210601-20210713）作為一個(gè)匯集國(guó)家戰(zhàn)略、市場(chǎng)需求、資本青睞等“三千寵愛(ài)于一身”的產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體板塊最近受到不少投資者的青睞。但是隨著漲幅不斷超預(yù)期，不少“局外投資者”卻坐立難安：想加倉(cāng)又恐高，不加倉(cāng)又心癢癢。為何半導(dǎo)體板塊會(huì)大火呢？投資它又應(yīng)該注意什么？今天我們來(lái)聊一聊。半導(dǎo)體板塊火爆的背后原因首先，我們來(lái)看下今年半導(dǎo)體板塊大火的背后原因。四個(gè)字概括，那就是供不應(yīng)求。從供給端來(lái)看，多方面因素導(dǎo)致產(chǎn)能不足。第一，受新冠疫
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半導(dǎo)體投資放緩，今年有3400多家芯片公司消失了

　數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至8月30日前8個(gè)月內(nèi)，中國(guó)吊銷、注銷芯片相關(guān)企業(yè)達(dá)到3470家，超過(guò)往年全年企業(yè)數(shù)量。這意味著，隨著新冠疫情反復(fù)、消費(fèi)需求低迷等因素，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)無(wú)法撐住，最終陸續(xù)退出賽道。（圖片來(lái)源：Unsplash）　　近兩年中國(guó)芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資熱潮，如今出現(xiàn)“寒冬”跡象?！　♀伱襟wApp?日前從企查查處獨(dú)家獲得的一份數(shù)據(jù)顯示：2017-2021年，中國(guó)吊銷、注銷芯片相關(guān)企業(yè)分別為461家、715家、1294家、1397家、3420家。2022年1月至8月30日前8個(gè)月內(nèi)，
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半導(dǎo)體8寸晶圓行情“急轉(zhuǎn)直下”，少數(shù)晶圓廠已同意延期拉貨

　　據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》，半導(dǎo)體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。業(yè)界人士透露，近期8寸硅晶圓市況“急轉(zhuǎn)直下”，后續(xù)12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊，環(huán)球晶、臺(tái)勝科、合晶等臺(tái)廠警戒。其中，合晶8吋矽晶圓產(chǎn)品比重最高，恐率先感受市況波動(dòng)，環(huán)球晶、臺(tái)勝科也將逐步受影響。受半導(dǎo)體市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)弱沖擊，業(yè)界人士指出，有部分矽晶圓廠商已同意一些下游長(zhǎng)約客戶的要求，可延后拉貨時(shí)程。　　業(yè)界人士透露，近期8寸晶圓市況突然急轉(zhuǎn)直下，估計(jì)后續(xù)可能蔓延到12寸記憶體用硅晶圓，再延伸到12寸邏輯IC應(yīng)用，預(yù)期客戶端于第四季度到明年第
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半導(dǎo)體人才流入低于其他行業(yè)，60%高管認(rèn)為公司品牌形象較差

　　日前，麥肯錫公司發(fā)布調(diào)查文章《半導(dǎo)體制造商如何將人才挑戰(zhàn)轉(zhuǎn)化為競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)》，解讀行業(yè)內(nèi)人才困境。研究顯示，目前存在于半導(dǎo)體行業(yè)的三大關(guān)鍵挑戰(zhàn)在于人才獲取、留住人才和組織健康。　　過(guò)去一年的芯片短缺，讓世界上一些最重要的行業(yè)放緩了前進(jìn)步伐。汽車制造、電力和醫(yī)療保健等行業(yè)，都因?yàn)榘雽?dǎo)體資源匱乏而導(dǎo)致生產(chǎn)和創(chuàng)新受阻。作為響應(yīng)，幾家大型芯片制造商已承諾在美國(guó)和歐洲建立新工廠，旨在減輕亞洲生產(chǎn)商的壓力。然而，有一個(gè)因素可能會(huì)破壞他們的計(jì)劃：在激烈的競(jìng)爭(zhēng)中，半導(dǎo)體公司發(fā)現(xiàn)吸引和留住人才比以往任何時(shí)候都更加困難?！　?/li>
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印度出臺(tái)半導(dǎo)體激勵(lì)計(jì)劃預(yù)計(jì)至少投資250億美元

　　9月22日消息，印度信息技術(shù)部副部長(zhǎng)拉杰夫·錢(qián)德拉塞卡(Rajeev Chandrasekhar)周三宣布，印度政府計(jì)劃增加對(duì)新半導(dǎo)體和顯示設(shè)備制造行業(yè)的支持力度，預(yù)計(jì)將爭(zhēng)取至少250億美元的總投資。　　在他公布上述消息的幾個(gè)小時(shí)前，印度政府將對(duì)新半導(dǎo)體設(shè)施的財(cái)政支持提高到項(xiàng)目成本的50%，并表示將取消允許投資的最高上限，以激勵(lì)顯示器本地制造?！　「鶕?jù)總規(guī)模達(dá)100億美元的芯片和顯示器生產(chǎn)激勵(lì)計(jì)劃，印度總理納倫德拉·莫迪(Narendra Modi)領(lǐng)導(dǎo)的政府正在尋求吸引更多大額投資，旨在使印度成為全
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鴻海印度半導(dǎo)體合資廠有譜傳落腳地已拍板

鴻海集團(tuán)（2317）和印度大型跨國(guó)集團(tuán)Vedanta在半導(dǎo)體的合作布局有譜，傳已完成選址作業(yè)，相中的廠地落腳在印度總理莫迪（Narendra Modi）家鄉(xiāng)古吉拉特邦（Gujarat），且最快在本周就將簽訂MOU（合作備忘錄），算是為「兩年內(nèi)啟動(dòng)首批生產(chǎn)」的內(nèi)部規(guī)畫(huà)，跨出了成功的第一步。據(jù)悉為了促成此投資計(jì)劃，Vedanta曾派員造訪印度西部馬哈拉什特拉省（Maharashtra）普那市（Pune），勘查了一塊占地達(dá)160公頃的土地，并將該處設(shè)定為設(shè)廠首選。除此之外，Vedanta也將鄰近的古吉拉特邦（G
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KLA談5G對(duì)半導(dǎo)體及制造工藝的挑戰(zhàn)

1. 5G發(fā)展會(huì)帶來(lái)的影響和好處有哪些？ 5G 的發(fā)展會(huì)為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)哪些挑戰(zhàn)？5G，即第五代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，為移動(dòng)電話帶來(lái)超高速率（數(shù)據(jù)傳輸比 4G LTE 快 100-200 倍），在流媒體應(yīng)用上響應(yīng)更快、延遲更少，并為人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí) (VR)、混合現(xiàn)實(shí)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、自動(dòng)駕駛、精密的云應(yīng)用程序服務(wù)、機(jī)器間連接、醫(yī)療保健服務(wù)等領(lǐng)域的發(fā)展鋪平了道路。然而，為了充分實(shí)現(xiàn) 5G 的潛在應(yīng)用場(chǎng)景，我們需要許多其他的組件來(lái)支持該全新的基礎(chǔ)設(shè)施，其中半導(dǎo)體設(shè)備的比重也不斷增加。其包括高容量
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瞄準(zhǔn) 3D 結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體制造封裝需求，尼康力圖實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)出貨量倍增

集微網(wǎng)消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，尼康公司日前提出半導(dǎo)體光刻設(shè)備新的業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)，即到 2026 年 3 月為止的財(cái)年，將光刻機(jī)年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報(bào)道稱，尼康將積極開(kāi)拓除英特爾以外的其他客戶，特別是日本本土和中國(guó)地區(qū)客戶，計(jì)劃將英特爾在光刻機(jī)設(shè)備營(yíng)收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應(yīng) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)器件如存儲(chǔ)半導(dǎo)體、圖像傳感器制造需求的光刻機(jī)新產(chǎn)品，已提高其在成熟制程設(shè)備市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，目前，該公司平均每年售出 16 臺(tái) ArF 光刻機(jī)（含二手翻新）。
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電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的材料——氧化鎵（Ga2O3）

可以說(shuō)，人類在20世界下半葉開(kāi)始，絕大部分的科技成果都建立在電子計(jì)算機(jī)之上，而半導(dǎo)體材料，就是各類現(xiàn)代信息技術(shù)的基石。自上世紀(jì)50年代，以硅和鍺為代表的第一代半導(dǎo)體材料為人類信息技術(shù)的高速發(fā)展走出了第一步；時(shí)間來(lái)到20世紀(jì)90年代，第二代半導(dǎo)體橫空出世，以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類在無(wú)線電通訊、微波雷達(dá)及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用；而近十年來(lái)，也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體，直接推動(dòng)了功率器件、短波長(zhǎng)光電器件、光顯示、光存儲(chǔ)、光探測(cè)、透明導(dǎo)電等領(lǐng)域的高速發(fā)
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俄公民被禁止考托福？美宣布新一輪對(duì)俄制裁，針對(duì)俄羅斯“硅谷”和半導(dǎo)體行業(yè)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二（8月2日），美國(guó)宣布了新一輪對(duì)俄羅斯的制裁，主要針對(duì)俄羅斯的金融和技術(shù)領(lǐng)域，尤其是俄羅斯的高科技和半導(dǎo)體行業(yè)。據(jù)悉，此次被制裁的對(duì)象包括被稱作“俄羅斯硅谷”的斯科爾科沃科技園（Skolkovo）、莫斯科物理技術(shù)學(xué)院（MIPT）、世界最大鋼鐵生產(chǎn)商之一馬格尼托哥爾斯克鋼鐵集團(tuán)公司（MMK）及其董事會(huì)主席等。此外，俄知名化工企業(yè)佛薩卡集團(tuán)的創(chuàng)始人安德烈·古里耶夫（Andrey Guryev）也在制裁名單內(nèi)。不過(guò)報(bào)道指出，該集團(tuán)本身暫未在制裁名單上。根據(jù)美國(guó)國(guó)務(wù)院發(fā)布的官方文件，被制裁的對(duì)象在美國(guó)
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東芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%，將在 8 月下旬量產(chǎn)

據(jù)東芝近日官網(wǎng)宣布，他們的第三代 SiC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管）計(jì)劃在今年 8 月下旬開(kāi)始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻，且開(kāi)關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約 20%。2020 年 8 月，東芝利用這項(xiàng)新技術(shù)量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結(jié)構(gòu)，將其與 PN 二極管并聯(lián)放置，能將可靠性提升 10 倍。雖然上述器件結(jié)構(gòu)可以顯著提升可靠性，可它卻有著無(wú)法規(guī)避的缺點(diǎn) —— 特定導(dǎo)通電阻和性能
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