?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區(qū)
漲知識！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，對不同半導(dǎo)體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對比說明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝（一）器件結(jié)構(gòu)對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計帶來了機(jī)會
- 氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍(lán)光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長足進(jìn)步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場效應(yīng)晶體管 (FET) 上實(shí)現(xiàn)商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的細(xì)分市場之一，復(fù)合年增長率估計在 25% 至 50% 之間，其驅(qū)動力來自對能效更高設(shè)備的需求，以期實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和電氣化目標(biāo)。與硅晶體管相比，氮化鎵晶體管可以設(shè)計出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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這家GaN外延工廠開業(yè)!
- 作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項(xiàng)目建設(shè)等動作，不時有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目方面，上個月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項(xiàng)目取得新進(jìn)展。5
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
- 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN?平臺的系統(tǒng)級封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和T
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國際首次 中國成功研制出氮化鎵量子光源芯片
- 《科技日報》19日報導(dǎo)，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室透露，該實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊近日與北京清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學(xué)「銀杏一號」城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺，取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，相關(guān)成果發(fā)表在《物理評論快報》上。據(jù)了解，量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件，可以看作點(diǎn)亮「量子房間」的「量子燈泡」，讓互聯(lián)網(wǎng)使用者擁有進(jìn)行量子信息交互的能力。研究團(tuán)隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技
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我國研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片
- 據(jù)天府絳溪實(shí)驗(yàn)室官微消息，近日，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心與清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學(xué)“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，也是天府絳溪實(shí)驗(yàn)室在關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域取得的又一創(chuàng)新成果。據(jù)悉，研究團(tuán)隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn) Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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SEMICON2024收官，第三代半導(dǎo)體賽道競爭激烈！
- 3月20日，春分時期，萬物復(fù)蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕。現(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達(dá)90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司
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德州儀器計劃大規(guī)模將GaN芯片生產(chǎn)由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸
- 根據(jù)韓國媒體THE ELEC的報導(dǎo)，模擬芯片大廠德州儀器(TI)的一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產(chǎn)的6英寸氮化鎵(GaN)芯片，轉(zhuǎn)移到8英寸晶圓廠來生產(chǎn)。報導(dǎo)指出，德州儀器韓國公司經(jīng)理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發(fā)布會上表示，德州儀器正在達(dá)拉斯和日本會津準(zhǔn)備興建8英寸晶圓廠，這將使其能夠提供更具價格競爭力的GaN芯片JeromeShin指出，人們普遍認(rèn)為GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂貴，但這種看法自2022年以來發(fā)生了轉(zhuǎn)變。因?yàn)榈轮輧x器正在將其生產(chǎn)由6英寸晶圓廠轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓廠
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GaN企業(yè)，出售！
- 近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導(dǎo)體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術(shù)開發(fā)高壓功率開關(guān)元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進(jìn)半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應(yīng)晶體管。償還貸款和交易費(fèi)用后，公司預(yù)
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四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計的中壓應(yīng)用
- 引言隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲以及人工智能(AI)，服務(wù)器的需求也在呈指數(shù)級增長。鑒于這些趨勢，設(shè)計人員面臨著一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)：如何在持續(xù)提升設(shè)計效率的同時，在相同的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率。這一挑戰(zhàn)已經(jīng)推動了氮化鎵(GaN)在高壓電源設(shè)計中的廣泛應(yīng)用，原因在于GaN具有兩大優(yōu)勢：●? ?提高功率密度。GaN的開關(guān)頻率較高，使設(shè)計人員能夠使用體積更小的無源器件（
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全球GaN最新應(yīng)用進(jìn)展！
- 自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費(fèi)電子領(lǐng)域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當(dāng)前，GaN消費(fèi)電子產(chǎn)品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用現(xiàn)狀，相關(guān)企業(yè)開始尋求新的增量市場，GaN技術(shù)應(yīng)用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應(yīng)用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費(fèi)電子之外的多個領(lǐng)域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
- 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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