?nand 文章進(jìn)入?nand技術(shù)社區(qū)

IC Insights：大陸半導(dǎo)體制造困難大，五年后自制率不過(guò)半

ICInsights最新報(bào)告顯示，大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠(yuǎn)低于政府的目標(biāo)。報(bào)告指出，2018年大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)為......
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韓媒：存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國(guó)企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐

根據(jù)韓國(guó)媒體Business Korea報(bào)道，由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來(lái)低迷，存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格下跌，各大存儲(chǔ)器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來(lái)，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑。　　無(wú)獨(dú)有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過(guò)。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國(guó)存儲(chǔ)器廠商又將面對(duì)怎樣的未來(lái)呢?　
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集邦咨詢(xún)：供需失衡態(tài)勢(shì)難止，NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

　　根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過(guò)于求，且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見(jiàn)起色，預(yù)計(jì)產(chǎn)能過(guò)剩難解。在此情況下，供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程，避免位元成長(zhǎng)過(guò)多導(dǎo)致過(guò)剩狀況加劇?！　RAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過(guò)于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無(wú)法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
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存儲(chǔ)器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤(pán)點(diǎn)2018

存儲(chǔ)器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表，它的表現(xiàn)也影響著整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲(chǔ)器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術(shù)上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至　　2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人。
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中天弘宇：攻克核心設(shè)計(jì)缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過(guò)，因?yàn)橹袊?guó)企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累，完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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半導(dǎo)體設(shè)備廠商競(jìng)爭(zhēng)格局生變？

　　半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒(méi)有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn)，排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危。　　自1990年以來(lái)，應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！　?016年，應(yīng)用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
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突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)

2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來(lái)”為主題的2018中國(guó)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京拉開(kāi)帷幕。作為中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)行業(yè)頂級(jí)的交流平臺(tái)，本次峰會(huì)匯集了全球近百位來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專(zhuān)家，就數(shù)據(jù)洪流時(shí)代下，企業(yè)如何實(shí)施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價(jià)值，變數(shù)據(jù)資源為實(shí)現(xiàn)更廣泛商業(yè)價(jià)值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開(kāi)深入探討。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù) 存儲(chǔ) 傲騰 QLC 3D NAND

AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌

　　全球DRAM市場(chǎng)上，三星一家獨(dú)大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購(gòu)之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見(jiàn)大巫。　　1　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內(nèi)存漲價(jià)超過(guò)9個(gè)季度之后，內(nèi)存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱(chēng)10月份DRAM現(xiàn)貨價(jià)格跌了10%，預(yù)計(jì)2019年還會(huì)繼續(xù)跌20%?！　∈艽擞绊?，全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
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存儲(chǔ)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

　　3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無(wú)法滿(mǎn)足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類(lèi)型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步，厚度開(kāi)始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來(lái)了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補(bǔ)這一問(wèn)題，這必然會(huì)提高成本，以至于在達(dá)到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)?！　　　?D NAND將思路從提高制造工藝轉(zhuǎn)
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晉華事件透視：存儲(chǔ)器壟斷暴利之痛如何終結(jié)？

壟斷加劇供求失衡，導(dǎo)致價(jià)格上漲，壟斷導(dǎo)致的暴利，是目前全球存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的最大問(wèn)題。
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存儲(chǔ)器原廠Q3業(yè)績(jī)搶眼，但漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4風(fēng)光難續(xù)

　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲(chǔ)器Bit出貨量增加帶動(dòng)下，存儲(chǔ)器原廠業(yè)績(jī)搶眼。然而，存儲(chǔ)器漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4財(cái)報(bào)恐難抵下滑之勢(shì)?！　〈鎯?chǔ)器原廠Q3財(cái)報(bào)搶眼，但NAND價(jià)格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動(dòng)”　　2018年以來(lái)，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場(chǎng)應(yīng)用，導(dǎo)致市場(chǎng)供過(guò)于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價(jià)格也依然表現(xiàn)跌勢(shì)。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket
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產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過(guò)，2019年閃存價(jià)格恐跌40%

　　CINNOResearch對(duì)閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過(guò)于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價(jià)來(lái)刺激出貨成長(zhǎng)，也因此第三季度閃存平均銷(xiāo)售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長(zhǎng)幅度來(lái)到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達(dá)到172億美元，季成長(zhǎng)約為5%，值得注意的是，也是近三年來(lái)在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷(xiāo)商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

　　日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷(xiāo)商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過(guò)Digi-Key實(shí)現(xiàn)全球即時(shí)發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價(jià)格上更貼近客戶(hù)需求?！　≌滓讋?chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達(dá)8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
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3D NAND技術(shù)發(fā)展迅速，SSD取代HDD硬盤(pán)明年可待

　　NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價(jià)后，在2018年價(jià)格開(kāi)始大幅下滑，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，截止到10月底，2018年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)已累積下滑高達(dá)63%，其中主流SSD價(jià)格跌幅也高達(dá)約50%?！　lash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇，使得SSD價(jià)格更加親民，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket最新價(jià)格，消費(fèi)類(lèi)零售品牌SSD 240GB容量?jī)r(jià)格已下滑至31美金，480GB容量?jī)r(jià)格下探至58美金。低端白牌SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)報(bào)價(jià)更是分別低至25美金(24
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賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

　　全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達(dá)克代碼：CY)日前宣布，與海力士半導(dǎo)體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中，合資公司將生產(chǎn)及銷(xiāo)售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品，并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設(shè)立在香港，海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?！　≠惼绽箍偛眉媸紫瘓?zhí)行官Hassane El-Khoury表示：“合資公司將會(huì)長(zhǎng)期為客戶(hù)提
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