?nand 文章進(jìn)入?nand技術(shù)社區(qū)

存儲(chǔ)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

　　3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無(wú)法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步，厚度開始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來(lái)了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補(bǔ)這一問(wèn)題，這必然會(huì)提高成本，以至于在達(dá)到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)?！　　　?D NAND將思路從提高制造工藝轉(zhuǎn)
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晉華事件透視：存儲(chǔ)器壟斷暴利之痛如何終結(jié)？

壟斷加劇供求失衡，導(dǎo)致價(jià)格上漲，壟斷導(dǎo)致的暴利，是目前全球存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的最大問(wèn)題。
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存儲(chǔ)器原廠Q3業(yè)績(jī)搶眼，但漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4風(fēng)光難續(xù)

　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲(chǔ)器Bit出貨量增加帶動(dòng)下，存儲(chǔ)器原廠業(yè)績(jī)搶眼。然而，存儲(chǔ)器漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4財(cái)報(bào)恐難抵下滑之勢(shì)?！　〈鎯?chǔ)器原廠Q3財(cái)報(bào)搶眼，但NAND價(jià)格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動(dòng)”　　2018年以來(lái)，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場(chǎng)應(yīng)用，導(dǎo)致市場(chǎng)供過(guò)于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價(jià)格也依然表現(xiàn)跌勢(shì)。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket
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產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過(guò)，2019年閃存價(jià)格恐跌40%

　　CINNOResearch對(duì)閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過(guò)于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價(jià)來(lái)刺激出貨成長(zhǎng)，也因此第三季度閃存平均銷售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長(zhǎng)幅度來(lái)到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達(dá)到172億美元，季成長(zhǎng)約為5%，值得注意的是，也是近三年來(lái)在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

　　日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過(guò)Digi-Key實(shí)現(xiàn)全球即時(shí)發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價(jià)格上更貼近客戶需求?！　≌滓讋?chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達(dá)8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
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3D NAND技術(shù)發(fā)展迅速，SSD取代HDD硬盤明年可待

　　NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價(jià)后，在2018年價(jià)格開始大幅下滑，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，截止到10月底，2018年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)已累積下滑高達(dá)63%，其中主流SSD價(jià)格跌幅也高達(dá)約50%?！　lash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇，使得SSD價(jià)格更加親民，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket最新價(jià)格，消費(fèi)類零售品牌SSD 240GB容量?jī)r(jià)格已下滑至31美金，480GB容量?jī)r(jià)格下探至58美金。低端白牌SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)報(bào)價(jià)更是分別低至25美金(24
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賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

　　全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達(dá)克代碼：CY)日前宣布，與海力士半導(dǎo)體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中，合資公司將生產(chǎn)及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品，并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設(shè)立在香港，海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?！　≠惼绽箍偛眉媸紫瘓?zhí)行官Hassane El-Khoury表示：“合資公司將會(huì)長(zhǎng)期為客戶提
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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)需求隨摩爾定律放緩，價(jià)格持續(xù)上漲

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)一年半時(shí)間的猛漲后，部分內(nèi)存芯片的價(jià)格突然下跌，加之韓國(guó)三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報(bào)告，導(dǎo)致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
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國(guó)內(nèi)廠商在存儲(chǔ)行業(yè)緊鑼密鼓，有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國(guó)作為全球最重要的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過(guò)自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，有望實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。
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2018年NAND Flash價(jià)格跌幅超過(guò)50%，背后原因?yàn)楹危?/a>

　　隨著智能型手機(jī)、平板、PC等消費(fèi)類電子擴(kuò)大普及，以及大數(shù)據(jù)、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G網(wǎng)絡(luò)、無(wú)人駕駛等熱潮的興起，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求與日俱增。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2018年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1500億美元?！　≡?月19日的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)上，央視記者采訪了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的知名企業(yè)，比如：西部數(shù)據(jù)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、慧榮、江波龍、群聯(lián)、大華、元禾華創(chuàng)等，同時(shí)業(yè)內(nèi)大咖也分享了對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的看法。　　央視財(cái)經(jīng)頻道精彩回顧：原廠3D閃存芯片產(chǎn)出增加存儲(chǔ)容量

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西部數(shù)據(jù)擴(kuò)展視頻存儲(chǔ)和分析產(chǎn)品系列滿足終端智能視頻的動(dòng)態(tài)需求

　　北京，西部數(shù)據(jù)公司今日發(fā)布三個(gè)安防監(jiān)控存儲(chǔ)解決方案更新，擴(kuò)展了其用于現(xiàn)代監(jiān)控市場(chǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備系列。這一系列更新包括：業(yè)內(nèi)率先發(fā)布的用于監(jiān)控的工業(yè)級(jí)3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動(dòng)卡系列，以及使OEM及系統(tǒng)集成商能夠主動(dòng)管理其存儲(chǔ)子系統(tǒng)、維持運(yùn)行優(yōu)化狀態(tài)的新款設(shè)備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)?！　?lt;左1：西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)-張丹女士、左2：西部數(shù)據(jù)公司
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的考慮因素

　　前言　　多年來(lái)，全球的非易失存儲(chǔ)功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動(dòng)器擴(kuò)展到筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦，如今又?jǐn)U展至云端存儲(chǔ)操作所需固態(tài)存儲(chǔ)記憶體。隨著時(shí)間的推移，結(jié)構(gòu)上的逐漸演進(jìn)已滿足對(duì)存儲(chǔ)容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)相比，每存儲(chǔ)單位比特成本更低，其價(jià)值不言而喻?！　∽畛?，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來(lái)縮小尺寸，從而增加存儲(chǔ)密度，降低相對(duì)應(yīng)成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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西部數(shù)據(jù)公司推出支持先進(jìn)汽車系統(tǒng)的新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤

　　西部數(shù)據(jù)公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤(EFD)，豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲(chǔ)存解決方案，用以滿足對(duì)先進(jìn)汽車系統(tǒng)和自動(dòng)駕駛車輛的需求(如高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)ADAS)。西部數(shù)據(jù)公司iNAND? AT EU312 嵌入式閃存盤的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產(chǎn)品更強(qiáng)的性能，滿足了汽車設(shè)備嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性要求?！　≤嚶?lián)網(wǎng)需要以越來(lái)越高的容量快速可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，以支持由數(shù)字集群、信息娛樂系統(tǒng)、3D地圖導(dǎo)航、遠(yuǎn)程信息處理、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)的
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關(guān)于NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣?。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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西部數(shù)據(jù)推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤，定位高端智能手機(jī)

? ? ? ? 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。 <西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤> ? ? ? ?新款西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤
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