- 近日，據IC Insights的數據預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。
其中，3D NAND的市場需求，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現更大的結構和單元間隔，利于增加產品的耐用性、降低生產成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
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NAND CAPEX
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯華電子股份有限公司(以下簡稱“聯電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯邦地區(qū)法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
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美光科技 DRAM NAND
- 在2018年第一季度，全球半導體產業(yè)銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產業(yè)總營收出現些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強勁?！ ‰S著企業(yè)和儲存市場對于相關零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對于服務器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
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無線通訊 NAND
- 在“2018中國半導體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產業(yè)崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
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存儲器 3D NAND 自主可控 201807
- 為實現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯已備妥對應的解決方案?！ ∪郝撾娮影l(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術不斷推進，目前64層TLC已經是相當穩(wěn)定的產品。 而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
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NAND，芯片
- 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構調查，最終結果究竟如何，人們拭目以待。
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存儲 NAND
- 隨物聯網時代來臨，數據中心、高速傳輸的5G受重視，研調單位指出，協助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場同受關注，昨(29)日登上成交金額之首。 南亞科昨日股價雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進逾2,000張，頗有逢低承接意味?！ ∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應求，對今年整體營運表
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DRAM NAND
- 美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術的固態(tài)硬盤現已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅動器 (HDD) 提供服務的細分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實現更高容量和更低成本方面的領導者地位，可以滿足人工智能、大數據、商業(yè)智能、內容傳輸和數據庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！ ‰S著工作負載的演變以滿足對于實時數據的
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美光 NAND
- 當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進口，這使得產業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長江存儲已經在武漢建設NAND Flash工廠，預計2018年下半年量產之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產存儲就會逐漸進入市場。
對此，韓國企業(yè)也開始關注中國競爭對手的加入。韓國預測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。
根據韓國媒體《et
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存儲器 NAND
- 根據Gartner的報告顯示，在過去的2017年中，三星已經成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據著這一寶座，如今被三星超越實在是無奈，因為沒有人能預料到這兩年內存市場會如此強勁。
也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內存條價格還不到200元，然后8GB內存條的價格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關，用了幾年的二手內存條都還能大賺一筆。內存價格的飆升也帶動了整個半導體產業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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NAND DRAM
- IHS Markit研究指出，2017年全球半導體市場營收達到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導體廠商。
在前20大半導體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導體供應鏈分析師Teevens表示，強勁的需求以及價格上漲，是企業(yè)營收大
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三星 NAND
- 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。
目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第
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NAND 存儲器
- DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復雜度也在增加。
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DRAM NAND
- 近年來，全球信息技術創(chuàng)新進入密集發(fā)生期，呈現多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產業(yè)格局重大調整。這有助于我國電子信息產業(yè)打破因核心關鍵技術缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領跑的歷史契機。
工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露，2017年我國規(guī)模以上電子信息產業(yè)整體規(guī)模達18.5萬億元，手機、計算機和彩電產量穩(wěn)居全球第一，在通信設備、互聯網等領域涌現了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。
據前瞻產業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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AMOLED NAND
- 全球半導體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22%，達到4291億美元。
這是根據英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數據得出的，HIS認為市場對內存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應用如大數據、物聯網和機器學習。
這一需求的增長使得三星電子作為全球領先芯片制造商占據第一位置，領先于競爭對手英特爾，而英特爾已經占據第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長了54%。
IHS表示，動態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%，而閃存芯片
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內存 NAND
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