?nand 文章進(jìn)入?nand技術(shù)社區(qū)

東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

　　集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日?qǐng)A出售給由美國(guó)私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預(yù)期延宕，對(duì)于NAND Flash市場(chǎng)的產(chǎn)能影響，預(yù)期要到明年上半年才會(huì)趨于明顯;中長(zhǎng)期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購(gòu)對(duì)象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)財(cái)團(tuán)、
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東芝半導(dǎo)體如此多嬌，引無(wú)數(shù)科技大佬競(jìng)折腰

到底為什么東芝半導(dǎo)體可以引起如此大的波瀾?產(chǎn)品和技術(shù)有什么過(guò)人之處?鴻海為首的“不差錢(qián)”軍團(tuán)又希望從東芝半導(dǎo)體得到什么?小編給你一一說(shuō)明。
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CFM：原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底

　　9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國(guó)存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)除了齊聚國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)。　　當(dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、
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莫大康：中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍

　　與美國(guó)在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國(guó)力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。　　01引言　　近期華爾街日?qǐng)?bào)撰文“中國(guó)的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國(guó)的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場(chǎng)，歪曲事實(shí)。　　此次中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義：　　一個(gè)是差距大，希望迅速的成長(zhǎng)，至多是擴(kuò)大芯片的自給率。　　另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
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狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴(kuò)產(chǎn)

　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)資本支出上看150億~220億美元，遠(yuǎn)超過(guò)臺(tái)積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開(kāi)出，近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長(zhǎng)約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶(hù)自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。　　三星為因應(yīng)DRAM和3DNAND市場(chǎng)強(qiáng)勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺(tái)積電一較長(zhǎng)短，搶
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻

　　8月28日，三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱(chēng)，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎? 　　波瀾的背后　　據(jù)2017年第二季度財(cái)報(bào)顯示，三星電子營(yíng)收額高達(dá)554.1億美元，同比增長(zhǎng)19%，并且，三星電子以銷(xiāo)售額14億美元的成績(jī)拿下45.9%的NAND Flash市占有率。　　有業(yè)者分析稱(chēng)，三星第二季度如此強(qiáng)勁的主要原因是蘋(píng)果等其他電子類(lèi)產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛，同時(shí)其
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第二季NAND Flash品牌廠營(yíng)收季成長(zhǎng)8%，第三季價(jià)格續(xù)揚(yáng)

　　集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價(jià)仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營(yíng)收表現(xiàn)成果豐碩的一年。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧
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DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

　　開(kāi)年以來(lái)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過(guò)32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來(lái)是中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時(shí)間，大陸才能發(fā)展出比較有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)主體。再來(lái)是最近紫光集團(tuán)表示，由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器芯片工廠專(zhuān)案投資規(guī)模過(guò)大，目前尚處于建設(shè)初期，短期無(wú)法產(chǎn)生銷(xiāo)售收入，時(shí)機(jī)不成熟，停止收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動(dòng)能，但
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三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢(shì)最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能

　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年，許多客戶(hù)搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。業(yè)界指出，未簽訂長(zhǎng)約的客戶(hù)，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。　　集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問(wèn)題更嚴(yán)重。　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其N(xiāo)OR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
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各家爭(zhēng)鳴存儲(chǔ)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲(chǔ)存技術(shù)之爭(zhēng)再掀戰(zhàn)火

　　在2017年快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，可見(jiàn)各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲(chǔ)器芯片以期能主導(dǎo)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵?jiǎn)化Flash儲(chǔ)存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時(shí)出現(xiàn)的延遲問(wèn)題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(pán)(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，另值得注意的是，本屆大會(huì)上甚至連主要硬盤(pán)(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說(shuō)中提及硬盤(pán)相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢(shì)。　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報(bào)導(dǎo)，在本屆大會(huì)上，三星電子(Samsung Electr
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3D NAND究竟出了什么問(wèn)題？

3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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具有劃時(shí)代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

　　對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，微芯片是一些長(zhǎng)著小小的金屬針，標(biāo)著看似隨機(jī)的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對(duì)那些懂的人來(lái)說(shuō)，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對(duì)整個(gè)計(jì)算環(huán)境造成了長(zhǎng)期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！　榱思o(jì)念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個(gè)“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
關(guān)鍵字： FPGA NAND

1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

　　三星計(jì)劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(pán)。　　三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開(kāi)始出樣，據(jù)稱(chēng)這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。　　三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒容量高達(dá)1Tb

　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢(shì)，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。　　在舊金山的閃存峰會(huì)上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。　　其
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東芝傳計(jì)劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

　　日刊工業(yè)新聞7日?qǐng)?bào)導(dǎo) ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進(jìn)一步祭出增產(chǎn)投資，計(jì)劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預(yù)計(jì)于2018年度動(dòng)工、 2021年度啟用，總投資額將達(dá)1兆日?qǐng)A的規(guī)模。東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專(zhuān)用廠房「第6廠房」。　　該座3D NAND新工廠興建計(jì)劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡(jiǎn)稱(chēng)TMC)」負(fù)責(zé)
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