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存儲(chǔ)器大廠(chǎng)3D NAND良率升 NAND Flash恐過(guò)剩

三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠(chǎng)已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，新產(chǎn)能將在2019年后開(kāi)出，屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)將供過(guò)于求。
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ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失

　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線(xiàn)性宏單元模式存儲(chǔ)器，為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域?！　?nbsp; 　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲(chǔ)器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個(gè)讓無(wú)數(shù)工程師毛骨悚然的
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東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠(chǎng)

　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠(chǎng)商豐收的一年，零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠(chǎng)商的營(yíng)收，同時(shí)還對(duì)獲利有了巨大貢獻(xiàn)。所以，當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠(chǎng)商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。而根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日?qǐng)A的金額，準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(chǎng)(Fab7)，地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。　　事實(shí)上，目前東芝的第 6 座工廠(chǎng)(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中，預(yù)計(jì)將于 2018 年第 4 季完工
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。　　DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。　　內(nèi)存模塊廠(chǎng)創(chuàng)見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。　　另一內(nèi)存模塊廠(chǎng)威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無(wú)論是“供需論”還是“壟斷說(shuō)”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無(wú)奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺(jué)。
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(zhǎng)

　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠(chǎng)決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠(chǎng)打算調(diào)降售價(jià)格，防止中國(guó)DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。　　手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)王艷輝認(rèn)為，有人說(shuō)三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層　群聯(lián)準(zhǔn)備好了

　　今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉(zhuǎn)換完成，全球缺貨問(wèn)題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了，呈現(xiàn)蓄勢(shì)待發(fā)的姿態(tài)! 　　今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對(duì)于儲(chǔ)存容量需求快速攀升之故，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價(jià)格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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美光任命Derek Dicker為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?！　≡诖寺毼簧?，Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，包括打造世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案，從而把握云端、企業(yè)級(jí)和客戶(hù)端計(jì)算等大型細(xì)分市場(chǎng)中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報(bào)。　　Dicker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，包括在 Intel、
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旺宏NAND論文獲國(guó)際肯定

　　內(nèi)存大廠(chǎng)旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國(guó)際電子組件大會(huì)(IEDM)，被評(píng)選為「亮點(diǎn)論文」，是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠(chǎng)商，彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實(shí)力受到國(guó)際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。　　旺宏強(qiáng)調(diào)，獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠(chǎng)現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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讓汽車(chē)更智能，適用于汽車(chē)遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

　　被譽(yù)為世界三大車(chē)展之一的東京車(chē)展于近日開(kāi)幕，來(lái)自全世界的主要汽車(chē)生產(chǎn)廠(chǎng)商通過(guò)展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來(lái)描繪下一代汽車(chē)發(fā)展藍(lán)圖，其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來(lái)的發(fā)展方向?！　±?，豐田展出的“愛(ài)i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛(ài)好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車(chē)，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭，能捕捉到周?chē)男腥?、?chē)輛
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圖解中國(guó)存儲(chǔ)器三大勢(shì)力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

中國(guó)存儲(chǔ)器后進(jìn)廠(chǎng)商 2018 年開(kāi)始產(chǎn)能逐步開(kāi)出，目前狀況到底如何?
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過(guò)剩

　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，3D NANDFlash恐將供過(guò)于求。　　IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長(zhǎng)35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺(tái)積電的總和還多。　　三星今年的資本支出主要投入3D儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)，將達(dá)140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進(jìn)動(dòng)態(tài)
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東芝第二財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)增長(zhǎng)76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁

　　11月9日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本東芝公司今天公布財(cái)報(bào)顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁業(yè)績(jī)的驅(qū)動(dòng)，該公司本財(cái)年第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)增長(zhǎng)了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對(duì)外出售。　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財(cái)年7至9月份這個(gè)第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)從上年同期的768.8億日元增長(zhǎng)至1250,8億日元(約合12億美元)。　　這個(gè)業(yè)績(jī)好于分析師預(yù)期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估，東芝本財(cái)年第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲(chǔ)商機(jī)

　　美系存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線(xiàn)廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲(chǔ)存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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