- 6月10日消息，據路透社報道，全球最大的記憶體芯片生產商韓國三星電子周四表示，計劃投資36億美元，擴大其在美國的芯片生產能力。
三星電子的海外唯一一家芯片廠就設在美國得克薩斯州的奧斯汀，此次產能擴增主要是針對生產大型積體電路(LSI)芯片的設備。
奧斯汀工廠主要生產用于手機和數(shù)碼相機的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱，工廠擴產計劃還包括增聘500名員工。
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三星電子 NAND
- 至此，對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的，而且是有相當大的增長。
但是作為一個編輯者仍有些擔憂，以下是對于2010年有10個理由來看好或者是看衰半導體業(yè)。
1. IC熱，然后冷
Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導體銷售額達2900億美元， 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預測，2010年增長19.9%相比有明顯提高。
芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產品銷售額的增
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半導體 DRAM NAND
- 按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導致與之相關連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。
同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。
三星在本月初時，它將擴大今年半導體的投資達96億美元， 也即表示
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DRAM NAND 半導體制造
- 6月3日消息，據臺灣媒體報道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺表示，DRAM廠的制程轉換技術門檻不低，再加上智能手機等新的應用產品，帶動DRAM需求，他認為下半年的DRAM市況應該會好。
孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來越少，各大廠多進入制程轉換的階段，總產出量恐比實際預期要低。而在智能手機、3D電視等多元化的新應用產品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應求的情況。
南韓三星電子大舉提高資本支出的計劃，讓臺系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認為，目前全球的
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DRAM NAND 智能手機
- NAND閃存的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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閃存 設計 映射 適應 NAND
- 按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導致與之相關連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。
同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。
三星在本月初時，它將擴大今年半導體的投資達96億美元， 也即表示
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Hynix 存儲器 DRAM NAND
- 才剛對全球半導體產業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產業(yè)關心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產業(yè)，三星在此兩大產業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來南北韓關系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產品供應鏈造成巨大變化。
全球DRAM和NAND Flash生產大廠：三星
根據DIGITIMES
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三星電子 DRAM NAND
- 三星在DRAM及NAND中稱霸，年產值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。
南韓半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務。業(yè)界對此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉變化有待觀察
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三星 DRAM NAND
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產能，引發(fā)各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會議表示，原先預期三星明年下半年啟動擴產，其進度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術超越臺系廠商;對照先前65納米，生產成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應戰(zhàn)。
三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產能，由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產業(yè)前景，有偏多的立場。
南亞科董事
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三星電子 DRAM NAND 50納米
- 據市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場，僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。
按美元統(tǒng)計，今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此，你可以計算出供應商的實際銷售收入。iSuppli稱，這是一個好消息，因為歷史
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Numonyx NAND 閃存
- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產的25nm制程NAND閃存芯片，這種新制程的芯片產品容量將比34nm制程產品提升一倍。
這次采用25nm制程技術制作的NAND閃存芯片產品主要是8GB容量的芯片產品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時時長的視頻片段。
目前還不清楚首款配置這
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Intel 25nm NAND
- 據iSuppli市調公司2010年第一季度的NAND閃存市場調查報告顯示，三星與東芝公司兩家占據了NAND閃存市場的絕大部分份額，其中三星的營收 份額最高，達到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算，今年第一季度NAND 閃存的市場總值達到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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三星 NAND 閃存
- 英特爾今天開始出貨25納米NAND閃存，容量為8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存儲能力卻增加了一倍，這種芯片主要面向智能手機和多媒體播放器。
同時英特爾還暗示600GB的固態(tài)硬盤產品將在今年年末出現(xiàn)，使用的應該也就是這款閃存芯片。
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英特爾 25納米 NAND
- 2010年第1季全球NAND Flash產業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產業(yè)的產值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
NAND Flash產業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。
完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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