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          三星電子:半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜

          •   三星電子(Samsung Electronics)表示,截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出,三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。   Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo),三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  

          三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠再遭斷電事故侵?jǐn)_

          •   韓國(guó)三星電子公司近日表示本月24日下午,其設(shè)在Kiheung地區(qū)的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故,不過(guò)據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小 時(shí)的斷電并沒(méi)有對(duì)其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著影響。   據(jù)三星的通路合作伙伴透露,在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負(fù)責(zé)為三星生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬(wàn)/13萬(wàn)片晶圓。   無(wú)獨(dú)有偶,20
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  晶圓  

          東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開工建造

          •   東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現(xiàn)有的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠,這間芯片廠將于今年七月份開始動(dòng)工。目前,東芝設(shè)在四日市的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心 已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經(jīng)濟(jì)危機(jī),而NAND閃存芯片的市場(chǎng)需求也一度相當(dāng)萎靡,但近期隨著智能手機(jī)和其它應(yīng)用型產(chǎn) 品的熱銷,閃存芯片的市場(chǎng)需求已經(jīng)開始回暖,而且未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)還將保持增長(zhǎng)趨勢(shì),因此東芝最終作出了開工建造Fab5芯片廠的決定。   按照東芝的計(jì)劃,其Fab5工廠將于明年春季完工,而后期的投資力度和
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  閃存芯片  

          NAND Flash控制芯片業(yè)淘汰賽登場(chǎng) SSD時(shí)代加速產(chǎn)業(yè)整合

          •   NAND Flash控制芯片市場(chǎng)曾吸引眾多IC設(shè)計(jì)業(yè)者爭(zhēng)相投入,隨著快閃記憶卡市場(chǎng)飽和,以及固態(tài)硬碟(SSD)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手環(huán)伺,過(guò)去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時(shí)代已不再,未來(lái)NAND Flash大廠對(duì)于控制芯片業(yè)者而言,恐怕不再是大樹好乘涼,尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進(jìn)SSD時(shí)代后,由于用在PC的零組件輕忽不得,遂紛收回控制芯片采購(gòu)權(quán),改采自家芯片,NAND Flash控制芯片產(chǎn)業(yè)勢(shì)必將展開一波整合及淘汰賽。   N
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  IC設(shè)計(jì)  

          東芝重啟產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃 新閃存生產(chǎn)廠7月開工

          •   日本最大的內(nèi)存芯片廠商?hào)|芝將重啟因經(jīng)濟(jì)衰退而擱置的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃,它將從7月開始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。   東芝表示,新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市,是公司第五條生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)在2011年春季完建。東芝沒(méi)有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。   包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機(jī)銷售的增長(zhǎng),推動(dòng)了NAND內(nèi)存需求的增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計(jì),NAND閃存市場(chǎng)今年的總收入將增長(zhǎng)34%達(dá)到181億美元。   東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱,雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模,但是建立新
          • 關(guān)鍵字: 東芝  內(nèi)存芯片  NAND  

          Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售

          •   Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售,預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。   IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn),這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下,并應(yīng)用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米,每單位容量 2bit,總?cè)萘?GB,相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番,內(nèi)核面積卻小了十分之一。   Intel NA
          • 關(guān)鍵字: Intel  NAND  25nm  

          09年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下滑 亞太供應(yīng)商表現(xiàn)出色

          •   2009年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)急劇下滑,但亞太的芯片廠商安然無(wú)恙??偛吭趤喬貐^(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商,2009年合計(jì)營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(zhǎng)2.3%,從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下,2009年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%,從2008年的2602億美元降至2299億美元。   “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢(shì)黯淡,而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng),因?yàn)樗麄儗W⒂跓衢T半導(dǎo)體產(chǎn)品而且受益于該地區(qū)的強(qiáng)勁需求,”iSuppli公司市場(chǎng)情報(bào)服務(wù)資深副總裁Dale Ford表示,“
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  LED  

          SanDisk變身 開始對(duì)外供應(yīng)NAND閃存晶圓

          •   據(jù)報(bào)道,包括威剛、創(chuàng)見、PQI勁永等在內(nèi)的臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商以及閃存控制器廠商群聯(lián)電子近期都已經(jīng)開始從SanDisk公司購(gòu)買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經(jīng)從自有品牌閃存設(shè)備制造商,搖身一變成了NAND晶圓供應(yīng)商。   據(jù)稱,SanDisk已經(jīng)從閃存制造合作伙伴東芝一道,成了多家臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商的上游供應(yīng)商之一。實(shí)際上,自2008年起就有傳言稱SanDisk將對(duì)外供應(yīng)NAND閃存,但在當(dāng)時(shí)在全球閃存市場(chǎng)供求旺盛的狀況下,SanDisk一致謹(jǐn)慎的實(shí)行自有品牌的戰(zhàn)略。隨著近一兩年全球金融危機(jī)以
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  閃存控制器  NAND  閃存晶圓  

          SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局

          •   最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的競(jìng)爭(zhēng)激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段,今年一月份,Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯 片,其對(duì)手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙,宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。        據(jù)SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示,SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程N(yùn)AND閃存芯片將可適用于兩位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)和三位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲(chǔ)單
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          鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級(jí)別制程

          •   鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別,他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片,并將于明年轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的制程。他并表示鎂光也計(jì)劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù),以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。   Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示,鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
          • 關(guān)鍵字: 鎂光  NAND  25nm  

          全球存儲(chǔ)器短缺的三個(gè)理由

          •   2010年全球存儲(chǔ)器可能出現(xiàn)供應(yīng)缺貨,而且非常可能會(huì)延續(xù)下去。為什么?可能有三個(gè)原因,1),存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇;2),前幾年中存儲(chǔ)器投資不足;3),由ASML供應(yīng)的光刻機(jī)交貨期延長(zhǎng)。   巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報(bào)告中指出,通過(guò)存儲(chǔ)器的食物供應(yīng)鏈看到大量的例證,認(rèn)為目前存儲(chǔ)器供應(yīng)偏緊的局面將持續(xù)2010整年,甚至延伸到2011年。   據(jù)它的報(bào)告稱,2010年全球NAND閃存的位增長(zhǎng)可達(dá)70%,而2009增長(zhǎng)為41%。2010年全球DRAM的位增長(zhǎng)達(dá)52%。   Luke認(rèn)為
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          傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

          •   消息人士周三透露,東芝未來(lái)三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。   報(bào)道稱,東芝的這一計(jì)劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠,但受經(jīng)濟(jì)衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響,東芝隨后取消了該建廠計(jì)劃。   市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報(bào)告稱,全球NAND閃存市場(chǎng)去年第三季度營(yíng)收較第二季度的31億美元,增長(zhǎng)了25.5%,達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng),其NAND閃存
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  閃存芯片  

          Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品

          •   南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后,他們已經(jīng)于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品.   按閃存芯片市占率計(jì)算,Hynix公司去年在閃存芯片市場(chǎng)上的市占率排在第三位,僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報(bào)道顯示,三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計(jì)劃于今年第二季度推出基于25n
          • 關(guān)鍵字: Hynix  26nm  NAND  閃存芯片  

          傳鎂光公司欲收購(gòu)Numonyx公司

          •   業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購(gòu)Numonyx公司事宜,并稱其仍對(duì)NOR閃存市場(chǎng)抱有興趣。一位市場(chǎng)分析師稱:”我聽說(shuō)鎂光有可能會(huì)收購(gòu) Numonyx公司,這說(shuō)明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產(chǎn)品服務(wù)的一站式廠商。“   此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專門生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司,而Numonyx公司則原來(lái)也是Intel內(nèi)部負(fù)責(zé)NOR閃存的部門,不過(guò)后來(lái)Intel將這家公司從Intel分離出來(lái),并成立了Numonyx,他們把這家公司的49%
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  NAND  NOR閃存  

          技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求:Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

          •   在最近舉辦的一次會(huì)議上,Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃,他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位,但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色??雌饋?lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星,現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭(zhēng)高下,但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。   Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱雄的決定令人稍感驚奇,過(guò)去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng),那
          • 關(guān)鍵字: Intel  NAND  閃存  
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