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          傳英特爾今年發(fā)布600GB 25nm SSD

          •   Fudzilla消息,英特爾今年將有SSD方面的大計劃,預計在今年第四季度,公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產(chǎn)品。   這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造,取代之前的34nm MLC技術,容量包括160、300和600GB,屬于第二代X25-M產(chǎn)品序列,包含1.8和2.5英寸版本。   其中1.8英寸版本最大容量300GB,將成為供應家庭娛樂和消費電子的主推產(chǎn)品。
          • 關鍵字: 英特爾  SSD  NAND  

          海力士:一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

          •   以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布,一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%,09年四季度漲幅為26%。   然而,海力士半導體公司在一份聲明中稱,一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%,09年四季度降幅為5%。   該公司補充道,一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%,NAND芯片發(fā)貨量季比持平。   海力士半導體公布,該公司一季度營業(yè)利潤率為28%,09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
          • 關鍵字: 海力士  NAND  DRAM  

          抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作

          •   英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash,為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣,決定讓新加坡廠重啟營運。   2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場,遂于2006年初合資成立IM Flash,由英特爾出錢出力,美光則提供技術,由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點,再加上金融海嘯的沖擊下,IM Flash受到嚴重沖擊,在2008年IM Flash裁員800人,花費35億美元打造,本應于2
          • 關鍵字: 三星電子  NAND  Flash  

          三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存

          •   據(jù)外電報道,三星電子表示,該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。   20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性,比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。   三星電子相關負責人表示,公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller,確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。   三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。   此外,今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
          • 關鍵字: 三星電子  20納米  NAND  

          Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

          • Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
          • 關鍵字: 系統(tǒng)  實現(xiàn)  DSP  管理  Flash  存儲  Nand  

          三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍

          •   據(jù)國外媒體報道,三星電子今天發(fā)布的財報顯示,受益于PC需求增加以及電視價格上漲,該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。   利潤增長   三星的初步財報顯示,該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元),上下浮動區(qū)間為2000億韓元,去年同期調(diào)整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查,15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預期為4.27萬億韓元。   外界預計,受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激,三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響,三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
          • 關鍵字: 三星電子  NAND  存儲芯片  

          分析師認為全球芯片市場仍有支撐點

          •   按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著2009年未的迅速地復蘇, 進入2010年時全球半導體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長。   按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長大於75%。在相同的期間美國費城半導體指數(shù)也增長相近的量。   當大部分工業(yè)分析師都認為今年半導體市場有20%的增長時,Benchmark分析師相信今年非   ??赡苡?2%-24%的增長。   其中某些芯片的庫存包括存儲器,部分模擬電路
          • 關鍵字: 芯片  NAND  智能手機  

          嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用

          • 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中,存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢,但因其隨機讀取速度快,因此在嵌入式系統(tǒng)中,常應用在程
          • 關鍵字: 應用  原理  Nand-Flash  系統(tǒng)  嵌入式  

          09年全球前十大NAND供應商排行榜出爐

          •   市場研究機構(gòu)Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜,三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置,其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼,領先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。   在其它市場研究機構(gòu)的排行榜中,SanDisk往往并未列名,因為在某些情況下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報告中列出了17家閃存制造商的出貨成績,東芝與
          • 關鍵字: 三星電子  NAND  

          2009年亞太半導體供應商表現(xiàn)出色

          •   來自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計顯示,2009年半導體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài),但總部在亞太地區(qū)的半導體供應商卻實現(xiàn)了逆勢上漲。   亞太區(qū)供應商專注熱門產(chǎn)品   iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,2009年總部位于亞太地區(qū)的半導體供應商合計營業(yè)收入實際增長2.3%,從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下,2009年全球半導體營業(yè)收入銳減11.7%,從2008年的2602億美元降至2299億美元。   “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡,而亞太地區(qū)的供應商卻設法實現(xiàn)了增長,因為他們專注于
          • 關鍵字: 芯片  NAND  

          東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

          •   東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線,生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。   目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術,主要應用于手機及數(shù)字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片,需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術,因此,東芝也將進行相應的技術升級。目前,東芝已向荷蘭半導體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設備,預計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布,東芝在股市中漲幅達3.5%,遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅
          • 關鍵字: 東芝  NAND  閃存  

          Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

          •   Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度,該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元,合攤薄股每股0.39美元的凈收入,其凈銷售額達近20億美元。相比之下,2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元,合攤薄股每股0.23美元,凈銷售額為17.4億美元,并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元,合攤薄股每股0.99美元,凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
          • 關鍵字: Micron  NAND  Flash  

          海力士預期今年營收將達10年高點

          •   由于目前存儲器供應短缺、供不應求,全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預期2010年的營收可望達到10年來的最高點。   目前DRAM市場正處于供不應求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟逐漸回溫后,企業(yè)放寬支出,對個人計算機(PC)的需求也回升,光是2010年PC銷量就可能較2009年增加10%,帶動了DRAM的需求量上升。   另外,智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動設備的市場規(guī)模日增,也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節(jié)
          • 關鍵字: Hynix  NAND  存儲器芯片  

          閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境

          •   據(jù)iSuppli公司,由于來自高密度應用的需求上升以及供應商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長,NAND閃存價格波動了兩年之后,該市場已恢復穩(wěn)定。   第一季度NAND平均價格下降4%,而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化,2009年第一季度大漲34%。   NAND價格持續(xù)透明,導致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄,使得多數(shù)NAND供應商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下,市場對于NAND閃存的需求不斷增長,也增強了廠商的信心。這種旺盛需
          • 關鍵字: 閃存  NAND  

          三星電子:半導體廠房跳電損失估計不到90億韓元

          •   三星電子(SamsungElectronics)表示,截至臺北時間25日下午3時為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出,三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。   YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導,三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在當?shù)貢r間
          • 關鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  
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          ?nand介紹

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