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光刻機(jī)
光刻機(jī) 文章 進(jìn)入光刻機(jī)技術(shù)社區(qū)
圖說(shuō)光刻機(jī)的4大核心技術(shù)
- 7nm LPP EUV實(shí)際產(chǎn)品中EUV和ArFi的對(duì)比1. 實(shí)際的光刻機(jī)簡(jiǎn)要系統(tǒng)2. 7LPP是什么意思？臺(tái)積電的"7LPP"中"LPP"代表"Low Power Plus"，即"低功耗增強(qiáng)版"。7LPP是臺(tái)積電7納米工藝的一個(gè)變種，主要特點(diǎn)是在保持高性能的同時(shí)，進(jìn)一步優(yōu)化了功耗表現(xiàn)。7LPP工藝通過(guò)改進(jìn)晶體管設(shè)計(jì)和制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了比前代7納米工藝更低的功耗和更高的晶體管密度。具體來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電的7LPP工藝相較于10納米工藝，
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業(yè)績(jī)暴雷！ASML股價(jià)繼續(xù)大跌：想賣先進(jìn)光刻機(jī)給中國(guó)廠商 但不被允許
- 10月17日消息，由于業(yè)績(jī)暴雷，這導(dǎo)致光刻機(jī)龍頭ASML股價(jià)暴跌，而兩天時(shí)間股價(jià)已跌超20%。據(jù)官方公布的數(shù)據(jù)看，阿斯麥（ASML）今年第三季度接到的訂單大幅減少，總訂單金額約為26億歐元，不到上一季度近56億歐元的一半。消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道當(dāng)天在報(bào)道中表示，由于美國(guó)和荷蘭相關(guān)出口限制措施，阿斯麥在其中國(guó)市場(chǎng)的增長(zhǎng)前景引發(fā)投資者擔(dān)憂。阿斯麥此前一個(gè)季度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，這家企業(yè)49%的銷售額來(lái)自中國(guó)市場(chǎng)。另外，投資人士分析報(bào)道，美國(guó)主導(dǎo)的對(duì)華出口限制導(dǎo)致阿斯麥來(lái)自中國(guó)的訂單有所減少。之前ASML曾表示，也希望
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ASML凈銷售額75億歐元，凈利潤(rùn)為21億歐元，預(yù)計(jì)2024年全年凈銷售額約為280億歐元
- 阿斯麥（ASML）近日發(fā)布2024年第三季度財(cái)報(bào)。2024年第三季度，ASML實(shí)現(xiàn)凈銷售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤(rùn)達(dá)21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機(jī)訂單。ASML預(yù)計(jì)2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預(yù)計(jì)，2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財(cái)報(bào)一覽（除非特別說(shuō)明，數(shù)字均以百萬(wàn)歐元
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俄羅斯計(jì)劃開(kāi)發(fā)本土光刻機(jī)等芯片制造工具
- 據(jù)外媒報(bào)道，近日，俄羅斯政府已撥款超過(guò)2400億盧布（約合人民幣175億元）支持國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造所需設(shè)備、CAD工具及原材料研發(fā)，目標(biāo)是到2030年實(shí)現(xiàn)對(duì)于國(guó)外約70%的半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)替代。該計(jì)劃已經(jīng)啟動(dòng)了41個(gè)研發(fā)項(xiàng)目，并計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)再啟動(dòng)43個(gè)新項(xiàng)目，共計(jì)110個(gè)研發(fā)項(xiàng)目。這些項(xiàng)目將覆蓋從180nm到28nm的微電子、微波電子、光子學(xué)和電力電子等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域，為俄羅斯微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。據(jù)悉，該計(jì)劃由俄羅斯工業(yè)部、貿(mào)易部、俄羅斯國(guó)際科學(xué)技術(shù)中心 （ISTC）MIET 電子工程部制定
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中國(guó)廠商貢獻(xiàn)50%銷售：光刻機(jī)廠商ASML被美國(guó)壓制 無(wú)法獨(dú)善其身
- 9月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，在美國(guó)要求下，ASML明年可能無(wú)法為中國(guó)廠商維修光刻機(jī)。報(bào)道中提到，在ASML某些在中國(guó)提供服務(wù)和備件的許可證于今年年底到期后，現(xiàn)在的荷蘭首相很可能不再為其續(xù)期，而相關(guān)決定是在美國(guó)施加一定壓力后做出的。目前的情況是，ASML的銷售額中，約有一半來(lái)自中國(guó)。荷蘭新任首相也公開(kāi)表示，上述規(guī)則變動(dòng)會(huì)非常謹(jǐn)慎，因?yàn)檫@會(huì)影響光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）的經(jīng)濟(jì)利益這位新的首相直言：“我們正進(jìn)行良好的談判。我們也正特別關(guān)注阿斯麥的經(jīng)濟(jì)利益，這些利益需要與其他風(fēng)險(xiǎn)權(quán)衡，而經(jīng)濟(jì)利益是極其重要的
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻機(jī) 維修
價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
- 8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國(guó)俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
- 關(guān)鍵字： Intel High NA EUV 光刻機(jī) 晶圓 8納米
ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺(tái)大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月，預(yù)計(jì)可帶來(lái)新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過(guò)
- 關(guān)鍵字： ASML High-NA 英特爾 光刻機(jī)
臺(tái)積電：仍在評(píng)估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時(shí)間未定
- IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報(bào)》昨日?qǐng)?bào)道稱，臺(tái)積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對(duì)此，臺(tái)積電海外營(yíng)運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示，仍在評(píng)估 High NA EUV 應(yīng)用于未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性，目前采用時(shí)間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺(tái)積電交付首臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)，價(jià)值達(dá) 3.8
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 ASML 光刻機(jī) EUV
中國(guó)大陸仍是ASML光刻機(jī)最大買家 占全球總銷售額49％
- 全球光刻機(jī)大廠ASML近日發(fā)布2024年第2季度財(cái)報(bào)，實(shí)現(xiàn)凈銷售額62.4億歐元，同比下滑約7.6%，同比增長(zhǎng)約18%，居于官方預(yù)測(cè)中間值。雖然半導(dǎo)體設(shè)備出口限制規(guī)定生效造成影響，但中國(guó)大陸需求持續(xù)旺盛，依然是ASML的第一大銷售市場(chǎng)，市占比依然高達(dá)49%，主要項(xiàng)目仍在未受限的DUV設(shè)備。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示，正如此前幾個(gè)季度，半導(dǎo)體行業(yè)的整體庫(kù)存水平持續(xù)得到改善。無(wú)論是邏輯芯片還是存儲(chǔ)芯片客戶，對(duì)光刻設(shè)備的利用率都在進(jìn)一步提高。宏觀環(huán)境為主的不確定
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國(guó)產(chǎn)廠商引入首臺(tái)光刻機(jī)設(shè)備！
- 據(jù)寧波前灣新區(qū)管理委員會(huì)7月15日消息，近日寧波冠石半導(dǎo)體有限公司迎來(lái)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，引入首臺(tái)電子束掩模版光刻機(jī)。據(jù)悉，該設(shè)備是光掩模版40nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)及28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)研發(fā)的重點(diǎn)設(shè)備。光掩模版是集成電路制造過(guò)程中光刻工藝所使用的關(guān)鍵部件，類似于相機(jī)“底片”，光線經(jīng)過(guò)掩膜版后，可在晶圓表面曝光形成電路圖形。目前，我國(guó)高精度半導(dǎo)體光掩模版產(chǎn)品主要仍依賴于進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率極低。據(jù)了解，冠石半導(dǎo)體主要從事45nm~28nm半導(dǎo)體光掩模版的規(guī)?；a(chǎn)。當(dāng)前，冠石半導(dǎo)體一期潔凈車間設(shè)計(jì)產(chǎn)能為月產(chǎn)5000片180nm~2
- 關(guān)鍵字： 光刻機(jī) 冠石半導(dǎo)體
為什么說(shuō)佳能是「明智」的光刻機(jī)出貨商？
- 與從「器材之王」跌落的尼康有何區(qū)別？
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍，讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多
- 關(guān)鍵字： ASML Hyper-NA EUV 光刻機(jī) 臺(tái)積電 三星 英特爾
三井化學(xué)將量產(chǎn)光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻機(jī)
- 日前，日本三井化學(xué)宣布將在其巖國(guó)大竹工廠設(shè)立碳納米管 (CNT) 薄膜生產(chǎn)線，開(kāi)始量產(chǎn)半導(dǎo)體最尖端光刻機(jī)的零部件產(chǎn)品（保護(hù)半導(dǎo)體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產(chǎn)品）。據(jù)悉，此種CNT薄膜可以實(shí)現(xiàn)92%以上的高EUV透射率和超過(guò)1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學(xué)預(yù)期年產(chǎn)能力為5000張，生產(chǎn)線預(yù)計(jì)于2025年12月完工，可為ASML將推出的下一代高數(shù)值孔徑、高輸出EUV光刻機(jī)提供支持。
- 關(guān)鍵字： 光刻機(jī) 納米管薄膜 ASML
可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī)，同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33，對(duì)應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機(jī)升級(jí)到了
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻機(jī) 高NA EUV 0.2nm
光刻機(jī)介紹
國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備
我公司擁有國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備,包括臺(tái)灣3S公司生產(chǎn)的光刻機(jī),涂膠臺(tái),
金絲球焊機(jī),電子束蒸發(fā)臺(tái)。
濺射臺(tái)及探針臺(tái)等各種設(shè)備,世界知名劃片機(jī)企業(yè)英國(guó)Loadpoint公司生產(chǎn)的6英寸--12英寸
精密劃片機(jī)，300毫米清洗機(jī),。
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網(wǎng)址:http://www.loadpoint.com.cn
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