光刻機 文章 進入光刻機技術(shù)社區(qū)
瞄準 3D 結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體制造封裝需求,尼康力圖實現(xiàn)光刻機出貨量倍增
- 集微網(wǎng)消息,據(jù)日經(jīng)新聞報道,尼康公司日前提出半導(dǎo)體光刻設(shè)備新的業(yè)務(wù)發(fā)展目標,即到 2026 年 3 月為止的財年,將光刻機年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報道稱,尼康將積極開拓除英特爾以外的其他客戶,特別是日本本土和中國地區(qū)客戶,計劃將英特爾在光刻機設(shè)備營收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應(yīng) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)器件如存儲半導(dǎo)體、圖像傳感器制造需求的光刻機新產(chǎn)品,已提高其在成熟制程設(shè)備市場的競爭力,目前,該公司平均每年售出 16 臺 ArF 光刻機(含二手翻新)。
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俄羅斯7萬名IT專家出走!芯片儲備告警,俄羅斯自主研發(fā)光刻機
- 在俄羅斯開始對烏克蘭的特別軍事行動之后,西方國家開始對俄羅斯施加各種各樣的制裁。俄羅斯當前面臨嚴峻的商業(yè)環(huán)境和政治環(huán)境,許多信息產(chǎn)業(yè)的科技人才紛紛出走,尋找更加安全且有保障的就業(yè)環(huán)境。根據(jù)美媒1日的報道,烏克蘭戰(zhàn)爭爆發(fā)以來已經(jīng)多7萬多名IT技術(shù)專家從俄羅斯離開,一些國家向俄羅斯的專業(yè)技術(shù)人才招手,充實自己的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。俄羅斯大量信息技術(shù)人才流失的情況已經(jīng)得到俄羅斯電子通訊協(xié)會方面的承認,該協(xié)會上周向俄羅斯杜馬委員會遞交的報告之中指出,當前俄羅斯已經(jīng)流失了5萬到7萬人的科技人才。盡管當前俄羅斯的人才
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顯卡、內(nèi)存全在跌 ASML的EUV光刻機賣不動:一下少了15臺
- 全球半導(dǎo)體市場從產(chǎn)能緊張已經(jīng)轉(zhuǎn)向過剩,部分領(lǐng)域跌價跌得厲害,比如顯卡、內(nèi)存及SSD等,這一波芯片價格下滑也會影響廠商的生產(chǎn)計劃,結(jié)果就是ASML一度供不應(yīng)求的EUV光刻機賣不動了,今年出貨量減少15臺。ASML昨天發(fā)布了2022年Q2季度財報,當季凈銷售額為54.31億歐元,好于市場預(yù)期的52.6億歐元,上年同期為40.20億歐元,同比增長35%。凈利潤為14.11億歐元,上年同期為10.38億歐元,同比增長36%。雖然業(yè)績大漲,但是ASML對全年的預(yù)期更加悲觀,從之前預(yù)期增長20%下調(diào)到了增長10%,其
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卡脖子也沒用 國內(nèi)廠商芯片新技術(shù)繞過EUV光刻機
- 毫無疑問,如今國內(nèi)芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機,不過EUV光刻機是研制先進芯片的一條路徑,但并非唯一解。 對于國內(nèi)廠商來說,當前在3D NAND閃存的發(fā)展上,就因為不需要EUV機器,從而找到了技術(shù)追趕的機會。而在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域,盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV,可來自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構(gòu)問世。他指出,基于HITOC技術(shù)所開發(fā)的全新架構(gòu)3D 4F2 DRA
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臺積電高管:將在2024年引入阿斯麥最新極紫外光刻機
- 6月17日消息,據(jù)外媒報道,臺積電高管周四表示,該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機?! ∨_積電研發(fā)高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術(shù)研討會上表示,“展望未來,臺積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機,為的是開發(fā)客戶所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案,進一步推動創(chuàng)新?!薄 ∶子窠懿⑽赐嘎缎乱淮饪虣C引入后何時用于大規(guī)模生產(chǎn)芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺積電競爭對手英特爾公司此前表示,將在2025年之前開始使用新一代光刻機生產(chǎn)芯片,并
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佳能新發(fā)售KrF半導(dǎo)體光刻機“FPA-6300ES6a”Grade10升級包
- 佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF ※1半導(dǎo)體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級配件包(以下簡稱“Grade10”升級包)。KrF半導(dǎo)體光刻機“FPA-6300ES6a” 自發(fā)售至今,已經(jīng)在生產(chǎn)存儲器和邏輯電路的大型半導(dǎo)體器件制造廠商中收獲良好口碑,此次發(fā)布的“Grade10”升級包將助力該設(shè)備在300mm晶圓規(guī)格基礎(chǔ)上,以每小時高達300片※2晶圓的加工能力實現(xiàn)半導(dǎo)體光刻行業(yè)內(nèi)的更高水平※3。
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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展:目標 2024-2025 年進廠
- 5 月 29 日消息,半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時間來準備極紫外線 (EUV) 光刻技術(shù),而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻(High-NA EUV)技術(shù)將會比這更快。目前,最先進的芯片是 4/5 納米級工藝,下半年三星和臺積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù),而對于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來說,它們大都具有 0.33 NA(數(shù)值孔徑)的光學(xué)器件,可提供 13 nm 分辨率。目前來看,這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節(jié)點 (36 nm ~ 38 nm)
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業(yè)績超預(yù)期:日本佳能光刻機銷售火爆
- 光刻機是半導(dǎo)體芯片制造中的核心設(shè)備,日本佳能公司也有光刻機,現(xiàn)在賣得也不錯,推動業(yè)績大漲。很多人都知道佳能主業(yè)是相機,不過這幾年全球數(shù)碼相機業(yè)務(wù)持續(xù)下滑,佳能也難免受到?jīng)_擊,最近幾年增長的反而是其他業(yè)務(wù),該公司即將發(fā)布2022財年(2021年4月到今年3月),預(yù)計全年利潤可達2500億日元,約合19億美元或者126億人民幣,比1月份公布的指引高出50億日元,同比大漲20%。推動佳能業(yè)績大漲的業(yè)務(wù)主要是安全攝像頭以及光刻機,而且隨著半導(dǎo)體設(shè)備投資的增加,佳能的光刻機業(yè)務(wù)還會持續(xù)增長。從佳能官網(wǎng)上可以查到,該
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ASML公司開撕美國?光源技術(shù)不是根源,不交付EUV光刻機另有原因
- ASML公司雖然是荷蘭企業(yè),但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了,這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前,中國半導(dǎo)體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金,采購了一臺EUV光刻機。然而,ASML公司卻遲遲沒有發(fā)貨,這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知,全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機,而一部EUV光刻機上就有超過10w的精密零件,各方面的技術(shù)也是來自全世界各國的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機一直是供不應(yīng)求。但明明已經(jīng)收了定金,10億一部的EUV光刻機,ASML公司為何有生意不做呢?大部分的
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投資5000多萬 俄羅斯計劃研發(fā)全新EUV光刻機:ASML都沒有
- 光刻機是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備之一,EUV光刻機全球也只有ASML公司能夠研發(fā)、生產(chǎn),但它的技術(shù)限制也很多,俄羅斯計劃開發(fā)全新的EUV光刻機,使用的是X射線技術(shù),不需要光掩模就能生產(chǎn)芯片?! 」饪虣C的架構(gòu)及技術(shù)很復(fù)雜,不過決定光刻機分辨率的主要因素就是三點,分別是常數(shù)K、光源波長及物鏡的數(shù)值孔徑,波長越短,分辨率就越高,現(xiàn)在的EUV光刻機使用的是極紫外光EUV,波長13.5nm,可以用于制造7nm及以下的先進工藝工藝?! 《砹_斯莫斯科電子技術(shù)學(xué)院 (MIET)現(xiàn)在就接下了貿(mào)工部的6.7億盧布資金(約合51
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光刻機“電老虎” 中芯國際一年耗電29億度:不到臺積電零頭
- 芯片制造是公認的高科技,但是這也是個非常消耗電力及水力的行業(yè),其中的關(guān)鍵設(shè)備光刻機就是名副其實的電老虎,EUV光刻機一天就能耗電3萬度以上,導(dǎo)致晶圓生產(chǎn)中電費都是高成本的存在。那國內(nèi)最大的晶圓制造企業(yè)中芯國際到底有多耗電呢?該公司日前也發(fā)布了企業(yè)責(zé)任報告,公布了2021年度的能耗情況,具體如下:2021年,中芯國際能源消耗總量為2,887.69百萬千瓦時,能源消耗強度為12.77千瓦時 /8 吋晶圓當量-光罩數(shù),與 2020年基本相當。簡單來說,中芯國際去年的總能耗大概是28.9億度電,其中直接的電力消耗
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佳能將于2023年上半年發(fā)售3D半導(dǎo)體光刻機,曝光面積是現(xiàn)在的4倍
- 4 月 1 日消息,據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,佳能正在開發(fā)用于半導(dǎo)體 3D 技術(shù)的光刻機。佳能光刻機新品最早有望于 2023 年上半年上市。曝光面積擴大至現(xiàn)有產(chǎn)品的約 4 倍,可支持 AI 使用的大型半導(dǎo)體的生產(chǎn)。3D 技術(shù)可以通過堆疊多個半導(dǎo)體芯片使其緊密連接來提高性能的方式。據(jù)介紹,在放置芯片的板狀零部件上,以很高的密度形成以電氣方式連接各個芯片的多層微細布線,佳能就正在開發(fā)用于形成這種布線的新型光刻機,過在原基礎(chǔ)上改進透鏡和鏡臺等光學(xué)零部件,來提高曝光精度以及布線密度。據(jù)稱,普通光刻機的分辨率為十幾微米,但
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攻克“光源中的光源”,中國有機會
- 當前,芯片問題廣受關(guān)注,而半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠——以極紫外(EUV)光刻機為代表的高端光刻機,則是我國集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展必須邁過的“如鐵雄關(guān)”。如何在短期內(nèi)加快自主生產(chǎn)高端光刻機的步伐,打破國外的技術(shù)封鎖和市場壟斷?筆者認為,應(yīng)找準關(guān)鍵技術(shù),攻克核心設(shè)備,躋身上游產(chǎn)業(yè)。認清光刻關(guān)鍵技術(shù)對于光刻機,憑什么美國可以左右荷蘭阿斯麥公司(ASML)EUV光刻機的出海國家?ASML又為什么“愿意”聽從美國的“擺布”?一方面,美國在ASML早期研發(fā)階段給予大力扶持,幫助其獲取最新的研究成果;作為繼續(xù)扶持
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總投資155億 國產(chǎn)CMOS傳感器工廠又迎來一臺ASML先進光刻機搬入
- 日前國產(chǎn)芯片廠商格科微宣布成功實現(xiàn)整套ASML光刻機中的關(guān)鍵設(shè)備——先進ArF光刻機的搬入。據(jù)格科微表示,目前,格科微潔凈室已按計劃分階段順利驗收,相關(guān)廠務(wù)系統(tǒng)配備進展順利,共有六十一臺設(shè)備已經(jīng)搬入。未來,外延、蝕刻、薄膜、清洗等相關(guān)設(shè)備仍會陸續(xù)搬入。格科微表示,ArF光刻機的成功引入,是格科微“12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”建設(shè)的關(guān)鍵節(jié)點。依托自有工廠即格科半導(dǎo)體的先進制程,格科微將進一步加快先進CIS工藝和高階專利像素的研發(fā)速度,并在自有工廠實現(xiàn)批量生產(chǎn)驗證,從而極大縮短高端產(chǎn)品從研
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光刻機介紹
國外半導(dǎo)體設(shè)備
我公司擁有國外半導(dǎo)體設(shè)備,包括臺灣3S公司生產(chǎn)的光刻機,涂膠臺,
金絲球焊機,電子束蒸發(fā)臺。
濺射臺及探針臺等各種設(shè)備,世界知名劃片機企業(yè)英國Loadpoint公司生產(chǎn)的6英寸--12英寸
精密劃片機,300毫米清洗機,。
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