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新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
- 關鍵字： 新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
- 由于功率模塊的設計和幾何形狀可以實現(xiàn) EMI 建模，從而使設計人員能夠在設計流程的早期預測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應。相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產生傳導型 EMI。在開關狀態(tài)轉換過程中，器件兩端的電壓和流經器件的電流會迅速改變狀態(tài)。開、關狀態(tài)間
- 關鍵字： WOLFSPEED 功率器件 EMI
2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
- 關鍵字： SiC 功率器件 TrendForce
功率器件市場為什么這么火爆？
- 電動汽車、可再生能源和云計算等應用正在推動提高效率和功率密度的需求。
- 關鍵字： 功率器件
中國芯片自給率鎖定新目標
- 經過了 2023 年的低迷，全球半導體業(yè)將希望寄托在 2024 年。從 2023 年第四季度開始，無論是智能手機，還是 PC 市場，都出現(xiàn)了回暖信號，供應鏈上相關廠商的訂單開始多起來，而且，各大市場調研機構也都預測 2024 年將是新一個半導體周期的開始，整個電子半導體產業(yè)將進入上行周期。對于正處在各種挑戰(zhàn)與困難之中的中國電子半導體產業(yè)來說，2024 年有望迎來更上一層樓的契機。一輪一輪的貿易限制政策，芯片企業(yè)投資（特別是 IC 設計企業(yè)）虛熱冷卻，本土新建晶圓廠陸續(xù)完成并開始量產，進口和本土芯片博弈后的
- 關鍵字： 模擬芯片 功率器件 傳感器
工業(yè)電源模塊對功率器件的要求
- 工業(yè)電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業(yè)領域為設備提供穩(wěn)定的電力供應，在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應用環(huán)境苛刻復雜，對電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結構設計，利用先進的工藝和封裝技術制造， 形成的一個結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
- 關鍵字： 工業(yè)電源 功率器件 碳化硅
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關的現(xiàn)象。當今大多數(shù)功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌停肓烁鼜碗s的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素?，F(xiàn)在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
總投資15億元，漢軒車規(guī)級功率器件制造項目開工建設
- 據(jù)“徐州高新發(fā)布”公眾號消息，12月18日，徐州高新區(qū)漢軒車規(guī)級功率器件制造項目開工建設。據(jù)悉，漢軒車規(guī)級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產需求，是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。項目規(guī)劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺，規(guī)劃月產能超過6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進一步完善高新區(qū)半導體產業(yè)鏈布局，有力推動車規(guī)級功率器件國產化進程。
- 關鍵字： 功率器件 汽車電子 晶圓制造
SmartFET的熱響應，一文輕松get√
- 本系列文章將介紹安森美(onsemi)高邊SmartFET的結構和設計理念，可作為了解該器件在特定應用中如何工作的指南。范圍僅限于具有模擬電流檢測輸出的SmartFET。今天將為大家介紹SmartFET的熱響應，將簡要解讀產品數(shù)據(jù)表中公布的熱數(shù)據(jù)和曲線。了解熱網絡對于外部條件可能出現(xiàn)極端變化的汽車應用而言，了解并準確估計器件的熱響應是一個長期存在的挑戰(zhàn)。以瞬態(tài)或連續(xù)溫度波動形式表現(xiàn)的超過器件熱容量的熱過應力，是該領域中最常遇到的故障模式之一，尤其是功率器件，在其壽命期間經常觀察到這種瞬態(tài)。此外，隨著硅特征
- 關鍵字： SmartFET 熱響應 功率器件
功率器件介紹
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