功率器件文章進(jìn)入功率器件技術(shù)社區(qū)

力特主攻傳感器、功率器件

　　*貴公司所關(guān)注的智能制造(傳感、控制或安全等)方面，相關(guān)的技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)如何?　　Littelfuse目前致力于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的市場(chǎng)推進(jìn)，利用我們?cè)陔娐繁Ｗo(hù)領(lǐng)域取得的優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步的拓寬傳感器和電源控制的產(chǎn)品。這些都是我們的未來(lái)的產(chǎn)品的方向，智能化的穿戴設(shè)備智能家居都離不開(kāi)傳感器的存在，例如我們的位置開(kāi)關(guān)，門禁開(kāi)關(guān)都是我們的傳感器的產(chǎn)品。電源控制產(chǎn)品是基于我們傳統(tǒng)的半導(dǎo)體的技術(shù)的進(jìn)一步的創(chuàng)新，例如我們的開(kāi)發(fā)的碳化硅的開(kāi)關(guān)器件可以很好地降低開(kāi)關(guān)的損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率更好的適應(yīng)電力電子產(chǎn)品對(duì)器件的高性能的需求。
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新型GaN功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)

　　第五屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)　　時(shí)間：2016.01.14 下午　　地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)　　演講嘉賓: 蔡振宇富士通電子元器件市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理　　主持人：接下來(lái)開(kāi)始第三場(chǎng)演講。大家知道無(wú)論消費(fèi)電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動(dòng)車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長(zhǎng)電池使用的時(shí)間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會(huì)越來(lái)越依賴新型功
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用結(jié)點(diǎn)溫度評(píng)估器件可靠性的案例分析

　　摘要：工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 　　工程師在設(shè)計(jì)的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例分析我們放到最后說(shuō)，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念：　　　　其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs
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一種無(wú)采樣電阻的功率器件保護(hù)方法

　　MOSFET或IGBT保護(hù)方法有很多，有專門帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護(hù)電路。專門帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無(wú)采樣電阻的方法。　　下面介紹一種無(wú)采樣電阻的方法：　　　　上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負(fù)載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導(dǎo)通時(shí)D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎(chǔ)上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當(dāng)過(guò)載時(shí)Q1壓降增大，從
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電源模塊并聯(lián)應(yīng)用的方法和注意事項(xiàng)

　　摘要：在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)一個(gè)電源模塊的功率無(wú)法滿足系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求時(shí)，我們往往會(huì)考慮多個(gè)模塊的并聯(lián)使用。如果并聯(lián)設(shè)計(jì)不合理，就會(huì)導(dǎo)致并聯(lián)模塊輸出均流失效，會(huì)有燒壞電源模塊、甚至損壞后級(jí)系統(tǒng)的風(fēng)險(xiǎn)。今天跟大家簡(jiǎn)單分享一些造成電源模塊并聯(lián)失效的真正原因。　　目前電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)采用新型的功率器件實(shí)現(xiàn)小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過(guò)并聯(lián)進(jìn)行擴(kuò)容。電源并聯(lián)運(yùn)行是電源產(chǎn)品模塊化、大容量化的一個(gè)有效方案，是電源技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)之一，是實(shí)現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點(diǎn)。　　　　1.不
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三菱電機(jī)在PCIM亞洲展2015推介九款功率器件

　　三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號(hào)4A08)中隆重亮相。　　今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：工業(yè)傳動(dòng)、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動(dòng)汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。　　工業(yè)及光伏發(fā)電市場(chǎng) 　　針對(duì)工業(yè)光伏逆變器市場(chǎng)的需要，三菱電機(jī)將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模
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SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢(shì)

　　摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。　　近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上，ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析，并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開(kāi)發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。　　各種功率器件的比較　　功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
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功率器件行業(yè)面臨的風(fēng)險(xiǎn)

　　功率器件在我國(guó)還屬于朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)，就其在中國(guó)發(fā)展的歷程來(lái)看，從20世紀(jì)50年底的可控硅SCR發(fā)展到80年代的較為成熟的絕緣柵雙極晶體管IGBT，發(fā)展時(shí)間較短。就其增長(zhǎng)速度來(lái)看，市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)速度較快，高于我國(guó)制造業(yè)的平均增長(zhǎng)速度，并已經(jīng)成為了全球最大的功率器件市場(chǎng)。　　根據(jù)統(tǒng)計(jì)局的數(shù)據(jù)顯示，2013年，我國(guó)功率器件銷售額比2012年增長(zhǎng)9.9%，銷售金額達(dá)到1804.87億元。就其下游需求行業(yè)來(lái)看，無(wú)論是從生活聯(lián)系緊密的數(shù)碼相機(jī)、LED電視、手機(jī)到新能源汽車、工業(yè)控制，均是目前成長(zhǎng)良好需求廣闊甚至在未來(lái)
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IGBT崛起——國(guó)產(chǎn)功率器件的曙光

　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢(shì)，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)對(duì)以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來(lái)應(yīng)用發(fā)展的必然
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三菱電機(jī)估計(jì)功率器件市場(chǎng)到2016年再創(chuàng)新高

　　三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在參加2014年P(guān)CIM亞洲展時(shí)，估計(jì)功率器件市場(chǎng)在整體經(jīng)歷了2012年的業(yè)績(jī)下滑后，市場(chǎng)正在逐漸恢復(fù)并升溫，預(yù)計(jì)到2016年，整體業(yè)績(jī)可以回復(fù)到2011年的歷史高峰。　　為了滿足市場(chǎng)需要，三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體制作所總工程師佐藤克己先生表示，三菱電機(jī)持續(xù)每年投入產(chǎn)品研發(fā)，降低產(chǎn)品的重量、尺寸和損耗，最終實(shí)現(xiàn)提升性能和降低成本?，F(xiàn)時(shí)集中發(fā)展第7代IGBT模塊、混合碳化硅產(chǎn)品、工業(yè)用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

　　日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。　　展示產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 　　IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 　　東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出&
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電源及其測(cè)試的熱點(diǎn)與動(dòng)向

　　通過(guò)對(duì)眾多公司的訪問(wèn)，發(fā)現(xiàn)數(shù)字電源是增長(zhǎng)很快的領(lǐng)域;功率器件的效能在提升，封裝是其創(chuàng)新的一個(gè)重要部分;電源模塊正面向特定的應(yīng)用和客戶，提供端到端的解決方案;電源芯片向微納功耗和能量采集領(lǐng)域挺進(jìn);電源測(cè)試在從單臺(tái)儀器向整體解決方案轉(zhuǎn)型。
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前車門控制器解決方案

本文介紹了一種“總體分布、局部集中”式的轎車車門控制器設(shè)計(jì)方案，即以安森美半導(dǎo)體系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片NCV7462和...
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電動(dòng)汽車的電源與功率器件興起之勢(shì)

　　雖然電動(dòng)汽車完全成為主流還需要一定的時(shí)間，但一些制造商深信面向大眾市場(chǎng)的零排放汽車時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨。當(dāng)談到針對(duì)未來(lái)交通開(kāi)發(fā)的技術(shù)時(shí)，電動(dòng)汽車和電池產(chǎn)業(yè)毫無(wú)疑問(wèn)是焦點(diǎn)所在，當(dāng)前研發(fā)工作重點(diǎn)放在提高電池存儲(chǔ)容量和加快電池充電時(shí)間。通過(guò)與汽車和電池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在為這一新興市場(chǎng)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)新的技術(shù)和解決方案。　　下圖顯示了PPTC技術(shù)如何應(yīng)用于混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車電池模塊中的過(guò)溫檢測(cè)。該例使用了一個(gè)熱敏傳感器陣列來(lái)監(jiān)視單節(jié)電池故障。由于給PPTC器件加熱會(huì)使器件電阻迅速非
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車電源功率器件