功率器件文章進(jìn)入功率器件技術(shù)社區(qū)

功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

功率半導(dǎo)體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一新能源汽車是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車）、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
關(guān)鍵字：功率器件 IGBT MOSFET 國(guó)產(chǎn)替代

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用

目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因?yàn)镾iC的襯底良率還有長(zhǎng)晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進(jìn)，這些都會(huì)得到解決。同時(shí)SiC由于開關(guān)速度比較快，衍生出來(lái)的問(wèn)題在應(yīng)用里還沒(méi)有完全的暴露出來(lái)，隨著SiC的終端客戶在這方面的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)越來(lái)越豐富，SiC的使用也會(huì)趨于成熟。接下來(lái)，安森美(onsemi)汽車主驅(qū)功率模塊產(chǎn)品線經(jīng)理陸濤將和您聊聊關(guān)于未來(lái)SiC在新能源汽車上的普及及應(yīng)用。
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提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法

對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。如何能夠高效地完成測(cè)試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)時(shí)需要著重關(guān)注的，一個(gè)高效的測(cè)試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測(cè)試、獲得測(cè)試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時(shí)間和精力。接下來(lái)我們將為大家介紹提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法，希望能對(duì)大家的工作有所幫助。方法1：測(cè)試單元模塊化功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)往往需要具備多種測(cè)試功能、覆蓋多種電壓等級(jí)的被測(cè)器件，此時(shí)就需要對(duì)測(cè)試
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英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統(tǒng)和燃料電池提供CoolSiC?功率器件

【2022年10月26日，德國(guó)慕尼黑訊】當(dāng)前的能源危機(jī)充分表明，全球迫切需要尋找替代能源來(lái)構(gòu)建氣候友好型的能源供應(yīng)能力。近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司（Bloom Energy）選中，用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務(wù)器（Bloom’s Energy Server）以及布魯姆電解系統(tǒng)（Bloom Electrolyzer）中的功率變換。??布魯姆能源
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個(gè)SiC器件芯片投片成功

10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)測(cè)，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
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庖丁解?？垂β势骷p脈沖測(cè)試平臺(tái)

_____雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)，測(cè)試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說(shuō)是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。隨著先進(jìn)功率器件的問(wèn)世以及功率變換器設(shè)計(jì)愈發(fā)精細(xì)，器件研發(fā)工程師和電源工程師都越來(lái)越關(guān)注雙脈沖測(cè)試。工欲善其事，必先利其器，擁有一套雙脈沖測(cè)試平臺(tái)是獲得正確評(píng)估結(jié)果的第一步。本文將破解雙脈
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)

新能源是支撐國(guó)家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出，中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡，風(fēng)電、太陽(yáng)能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽(yáng)能（光伏）等發(fā)電方式波動(dòng)性較大，在新能源布局較多的西北部地區(qū)，由于用電負(fù)荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現(xiàn)象。將大規(guī)模波動(dòng)性新能源發(fā)電接入電網(wǎng)，一方面要提高儲(chǔ)能技術(shù)，另一方面也要改善輸配電狀況，“西電東送”是解決能源分布不均的重要途徑，而“西
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打造驅(qū)動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

受訪人：亞德諾半導(dǎo)體　　大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
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2021年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)排名

注意以下排名企業(yè)不分先后：安世半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司江蘇長(zhǎng)晶科技有限公司華潤(rùn)微電子控股有限公司樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司揚(yáng)州楊杰電子科技股份有限公司北京燕東微電子有限公司杭州士蘭微電子股份有限公司江蘇捷捷微電子股份有限公司吉林華微電子股份有限公司無(wú)錫新潔能股份有限公司以上江蘇長(zhǎng)晶科技有限公司已更名為江蘇長(zhǎng)晶半導(dǎo)體有限公司，其經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品不變
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功率器件競(jìng)爭(zhēng)格局解析

功率半導(dǎo)體為半導(dǎo)體重要組成，是進(jìn)行電能（功率）處理的核心器件，用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2019年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為381億美元，預(yù)計(jì)到2022年達(dá)到426億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為5.43%，市場(chǎng)空間穩(wěn)健增長(zhǎng)。功率器件是功率半導(dǎo)體的一個(gè)重要分支，應(yīng)用領(lǐng)域極其廣泛，幾乎用于所有電力電子制造業(yè)，其中，汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子是功率半導(dǎo)體的前三大終端市場(chǎng)。功率器件細(xì)分領(lǐng)域中，早期二極管、三極管主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；晶閘管實(shí)現(xiàn)可控性改良；功率MOSFET和IGBT等器件實(shí)現(xiàn)
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聚焦半導(dǎo)體主業(yè)，TCL科技出售廣州金服、加碼功率器件業(yè)務(wù)

日前，TCL科技連發(fā)數(shù)則公告，釋放出聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的信號(hào)。除了50億元增資TCL華星之外，TCL科技擬出售TCL 金服控股（廣州）集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“廣州金服”），而其控股子公司天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中環(huán)半導(dǎo)體”）的全資子公司天津環(huán)鑫科技發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天津環(huán)鑫”）擬引入TCL 微芯科技（廣東）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“TCL 微芯”）對(duì)天津環(huán)鑫增資5.67億元。向TCL實(shí)業(yè)出售廣州金服100%股權(quán)公告顯示，TCL科技近日簽署了《股份轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，擬向TCL實(shí)業(yè)出售廣州金服10
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功率器件巨頭怎樣去“玩轉(zhuǎn)”SiC市場(chǎng)

按照業(yè)界通常的看法,未來(lái)5到10年內(nèi),SiC功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)主要在汽車領(lǐng)域,特別是EV、混合動(dòng)力車、燃料電池車等電動(dòng)車應(yīng)用市場(chǎng)。實(shí)際上,在光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、充電樁、UPS領(lǐng)域,SiC都將有高速成長(zhǎng)的機(jī)會(huì)。而且,電源領(lǐng)域?qū)⑹荢iC最大的市場(chǎng)。綜合起來(lái),這幾個(gè)市場(chǎng)將會(huì)有16%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。脫穎而出更高的工作電壓、更高的效率、更好的散熱性能,都是SiC在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。與傳統(tǒng)的Si材料作對(duì)比,SiC的帶隙(BandGap)是其三倍;擊穿場(chǎng)強(qiáng)(MV/cm)上,SiC是2.2,Si為0.3,高出7倍左右;
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低壓無(wú)刷一體化電機(jī)的解決方案

王? 力? （MPS?現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師?副經(jīng)理）摘? 要：介紹了無(wú)刷直流電機(jī)、低壓驅(qū)動(dòng)控制及電機(jī)一體化的解決方案。關(guān)鍵詞：無(wú)刷直流電機(jī)；低壓；電機(jī)一體化；功率器件；編碼器無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)本體和驅(qū)動(dòng)電路組成，是典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。相比于有刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)，無(wú) 刷電機(jī)在壽命、小型化、效率、動(dòng)態(tài)性能方面有著明顯的優(yōu)勢(shì)。隨著無(wú)刷電機(jī)制造工藝的日趨成熟，無(wú)刷電機(jī)性價(jià)比將進(jìn)一步得到提升，勢(shì)必將得到更廣泛的應(yīng)用。特別是在紡織、醫(yī)療等行業(yè)，對(duì)小型化、集成化、驅(qū)動(dòng)控制及電機(jī) 一體化的低壓直流無(wú)刷電機(jī)
關(guān)鍵字： 202003 無(wú)刷直流電機(jī) 低壓電機(jī)一體化功率器件編碼器

碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱耍呀?jīng)有越來(lái)越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
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支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級(jí)別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來(lái)經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，您必須至少對(duì)其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過(guò)所有這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
關(guān)鍵字：德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件