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功率器件
功率器件 文章 進(jìn)入功率器件技術(shù)社區(qū)
如何準(zhǔn)確選擇功率器件二
- 第三步：確定熱要求 選擇MOSFET的下一步是計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
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如何準(zhǔn)確選擇功率器件一
- 所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體 ...
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Diodes霍爾開(kāi)關(guān)有效優(yōu)化敏感度
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)，其磁場(chǎng)檢測(cè)的敏感度適合于多種產(chǎn)品設(shè)計(jì)的接近效應(yīng)與位置檢測(cè)功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進(jìn)行了優(yōu)化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
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國(guó)產(chǎn)IGBT廠商開(kāi)始小批量銷(xiāo)售
- “十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國(guó)家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開(kāi)展，中國(guó)開(kāi)始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國(guó)家的重視，近兩年更是列入國(guó)家重大科技專項(xiàng)中提供多方位的支持。 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
- 富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過(guò)硅晶圓直徑的增加，來(lái)實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富
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電動(dòng)汽車(chē)對(duì)電源芯片與功率器件挑戰(zhàn)
- 在汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展方向上，電動(dòng)汽車(chē)(EV)和油電混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)正成為一個(gè)明顯的趨勢(shì)。從技術(shù)角度來(lái)說(shuō)，目前更...
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汽車(chē)系統(tǒng)中的功率電子技術(shù)
- 一、導(dǎo)言汽車(chē)中使用電子產(chǎn)品可以追溯到使用電動(dòng)啟動(dòng)器替代手動(dòng)曲柄的20世紀(jì)初。上世紀(jì)60年代，隨著固體電...
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功率器件介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條功率器件!
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