半導體 文章 進入半導體技術社區(qū)
半導體晶圓代工“神仙打架”！
- 近期，半導體晶圓代工市場可謂是“喜事連連”。一方面，英特爾、三星、聯(lián)電等廠商紛紛公布財報顯示，晶圓代工業(yè)務迎來利好；另一方面，臺積電、世界先進的對外增資案也獲得批準。多家廠商代工業(yè)績表現(xiàn)亮眼當?shù)貢r間8月1日，英特爾公布2024年第二季度財務業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，當季英特爾實現(xiàn)營收128億美元，同比下降1%，低于市場分析師普遍預期的129.4億美元。盡管總體營收不盡如人意，但在晶圓代工業(yè)務方面的表現(xiàn)卻較好，數(shù)據(jù)顯示，2024年第二季度，英特爾晶圓代工業(yè)務實現(xiàn)營收43億美元，較2023年同期增長4%。圖片來源：英特
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香港在全球半導體行業(yè)取得突破，設立下一代氮化鎵晶圓生產(chǎn)線
- 香港正在設立其首條氮化鎵（GaN）晶圓生產(chǎn)線，這是一種新一代半導體材料，旨在在美中技術競爭加劇的背景下，幫助香港在全球芯片行業(yè)占據(jù)一席之地。今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學園（HKSTP）合作，建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗生產(chǎn)線，目標是到2027年實現(xiàn)年產(chǎn)1萬片的生產(chǎn)能力，MassPhoton創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官廖義森在周二的媒體簡報會上表示。該公司專注于制造紫外線-C消毒產(chǎn)品，將在香港新晶圓生產(chǎn)線投資2億港元（2560萬美元），并在科學園內建立GaN技術的研發(fā)中心，HK
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新加坡淡馬錫將在美國AI、半導體和數(shù)據(jù)中心投資300億美元
- 新加坡國有投資公司淡馬錫控股將大幅增加其在美國的投資，承諾在未來五年內投資300億美元。該公司的戰(zhàn)略將優(yōu)先考慮與AI相關的公司、半導體制造商和基礎設施企業(yè)，包括數(shù)據(jù)中心及其支持技術。隨著地緣政治緊張局勢升級，淡馬錫對在中國投資越來越謹慎，這一戰(zhàn)略轉變正在發(fā)生。今年，美國已超過中國成為淡馬錫資本的最大接受者，占其投資組合的22%。淡馬錫北美負責人簡·阿瑟頓（Jane Atherton）強調了公司對推動技術進步和經(jīng)濟增長的領域的關注。她表示，美國在AI發(fā)展方面處于領先地位，他們在這一領域看到了巨大的潛力。此外
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莫迪150億美元的芯片賭注能否將印度變成半導體強國？
- 印度總理納倫德拉·莫迪正在“全力以赴”，努力將印度轉變?yōu)槿蛐酒傎愔械母偁幷撸珜＜揖嬲f，印度在建立自給自足的半導體生態(tài)系統(tǒng)之前還有很長的路要走。莫迪政府在2月份批準了價值150億美元的國內半導體制造廠投資，包括印度本地財團塔塔集團（Tata Group）提出的建設該國首個主要芯片制造廠的提案。該工廠將設在莫迪的家鄉(xiāng)古吉拉特邦，預計到2026年底每月生產(chǎn)5萬片晶圓。這項投資還包括與日本、臺灣和泰國公司合作開發(fā)的組裝單元和包裝廠。塔塔集團表示，其目標是到2030年推動印度半導體產(chǎn)業(yè)達到1100億美元，占
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創(chuàng)新的極紫外光刻技術極大地造福了半導體制造
- 沖繩科學技術研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導體制造標準的極紫外（EUV）光刻技術?；诖嗽O計的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一，有助于半導體行業(yè)變得更加環(huán)保可持續(xù)。通過解決兩個以前被認為在該領域不可克服的問題，這項技術得以實現(xiàn)。第一個問題涉及一種僅包含兩個鏡子的全新光學投影系統(tǒng)。第二個問題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會阻擋光學路徑。E
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美國的半導體賭博：對逐漸消逝的主導地位的絕望抓取
- 美國在技術領域的影響力逐漸減弱，為了維持對中國的技術優(yōu)勢，不得不采取越來越絕望的措施。拜登政府最近推動的嚴格的半導體出口管制不僅揭示了以往政策的失敗，也有可能疏遠重要盟友，進而瓦解西方技術霸權的結構。華盛頓最近試圖通過更嚴格的出口管制來加強對全球半導體貿(mào)易的控制，這表明其過去的戰(zhàn)略已告失敗。政府現(xiàn)在正在利用外國直接產(chǎn)品規(guī)則（FDPR）作為嚴厲威脅，試圖通過脅迫讓不情愿的盟友屈服。這一極端措施允許美國對使用了哪怕是最少量美國技術的外國制造產(chǎn)品實施管制，旨在迫使像日本的東京電子有限公司和荷蘭的ASML控股公司
- 關鍵字： 半導體 市場 國際
YMTC芯片制造商的首席執(zhí)行官表示，中國將在3到5年內迎來“爆炸性”半導體增長
- 一位中國半導體行業(yè)高管預測，在封裝應用和技術方面的優(yōu)勢支持下，中國將在未來三到五年內迎來“爆炸性增長”，為國家克服美國技術限制開辟道路。據(jù)中國國家電視臺報道，中國半導體行業(yè)協(xié)會（CSIA）會長、中國最大的存儲芯片制造商長江存儲技術有限公司（YMTC）負責人陳南翔表示，國家正在探索一種新的市場導向型行業(yè)模式，放棄依賴大學和研究機構的舊模式。陳南翔在接受中國中央電視臺英語頻道CGTN采訪時表示：“[今天的重點]是產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品、服務和商業(yè)模式的創(chuàng)新，這些最終必須帶來價值?！?他在接受CGTN采訪時說，“中國的芯片
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歐盟和韓國合作推進半導體技術
- 歐盟與韓國簽署協(xié)議，合作開發(fā)半導體技術。這一合作將作為歐盟和韓國數(shù)字伙伴關系的成果，共同資助四個半導體項目。根據(jù)歐盟和韓國數(shù)字伙伴關系的安排，這些項目將共同籌集1200萬歐元資金。其中一半來自歐盟的“Horizon Europe”計劃下的芯片聯(lián)合企業(yè)，另一半來自韓國國家研究基金會（NRF）。所選項目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項目將持續(xù)三年，旨在推進異構集成技術（將多個組件集成到一個半導體中）以及優(yōu)化仿生神經(jīng)技術（模仿人腦功能）。加強歐盟與韓國的合作將結合歐洲和韓國研究與創(chuàng)
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中國團隊研究解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關鍵障礙
- 中國科學家們研發(fā)出一種超薄半導體材料，這一進展可能會帶來更快、更節(jié)能的微芯片。由北京大學的劉開輝、人民大學的劉燦和中國科學院物理研究所的張光宇領導的團隊，開發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導體材料。研究人員的發(fā)現(xiàn)于7月5日發(fā)表在同行評議期刊《科學》上，解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關鍵障礙——隨著設備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學家探討了二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統(tǒng)硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
- 關鍵字： 半導體 材料
美國計劃對中國半導體產(chǎn)業(yè)實施“嚴厲”制裁：報告
- 美國政府正在考慮對中國獲取先進芯片制造工具的限制措施，這些措施甚至被一些美國盟友稱為“嚴厲”。主要提案包括應用外國直接產(chǎn)品（FDP）規(guī)則，施壓盟友限制在中國的設備服務和維修，以及擴大需要許可證的未核實清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產(chǎn)業(yè)的進步。一個關鍵提案是應用FDP規(guī)則，這將允許美國對包含任何美國技術的外國生產(chǎn)的物品施加控制。根據(jù)彭博社的報道，這將特別影響像東京電子和阿斯麥（ASML）這樣的公司，限制它們向中國提供先進的晶圓制造設備（WFE）。這一措施被美國盟友視為“嚴厲”，但反映了美國政府限制中
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DARPA投資8400萬美元用于3D軍用芯片組
- 五角大樓的高級研究項目局（DARPA）撥款8.4億美元，用于開發(fā)美國軍方的下一代半導體微系統(tǒng)。這筆資金的受益者是德州電子研究所（TIE），該機構成立于2021年，位于德克薩斯大學奧斯汀分校，并作為一個由德州州政府和地方政府、芯片公司和學術機構組成的聯(lián)盟運營。TIE的研究重點是異構集成技術，通常稱為芯片組——將單獨的硅片封裝在一起形成完整的芯片。AMD等公司的處理器就廣泛使用這種方法：現(xiàn)代的AMD Ryzen或Epyc處理器包括多個硅片，每個硅片包含CPU核心和IO電路。由于TIE在這一領域的半導體研發(fā)經(jīng)驗
- 關鍵字： 半導體 市場 國際
7nm等光刻機沒有也無妨！中國半導體行業(yè)協(xié)會理事長：先進封裝是未來
- 7月22日消息，據(jù)國內媒體報道稱，中國半導體行業(yè)協(xié)會理事長陳南翔近日接受采訪時表示，中國集成電路產(chǎn)業(yè)仍在路上，未來一定孕育巨大成功模式?！霸?0年前，我不曾想過中國半導體產(chǎn)業(yè)能有如今的發(fā)展規(guī)模，但是在過去的20年我們可以清楚的看到，未來中國一定會有今天這樣的發(fā)展。”陳南翔稱，不過，當下還不是中國半導體產(chǎn)業(yè)最好的發(fā)展狀態(tài)，中國最好的狀態(tài)正在路上。陳南翔指出，當前看到的三星正在做的三納米和英特爾正在做的三納米都是不一樣的，有著各自的定義?！耙郧澳柖捎行У臅r候，在每一個節(jié)點上，大家都知道三年后如何發(fā)展、六年
- 關鍵字： 封裝 半導體
半導體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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