半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
三星宣布成立 AGI 計(jì)算實(shí)驗(yàn)室，研究滿足未來需求的下一代半導(dǎo)體
- 3 月 19 日消息，三星半導(dǎo)體 CEO 慶桂顯（Kye Hyun Kyung）今日于領(lǐng)英發(fā)文，宣布在美國和韓國成立三星半導(dǎo)體 AGI（Artificial General Intelligence，通用人工智能）計(jì)算實(shí)驗(yàn)室?！前雽?dǎo)體 CEO 領(lǐng)英動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)室由前谷歌開發(fā)人員禹東赫（Dong Hyuk Woo）領(lǐng)導(dǎo)，致力于開發(fā)一種能滿足未來通用人工智能計(jì)算需求的全新半導(dǎo)體。AGI 計(jì)算實(shí)驗(yàn)室最初將開發(fā)用于大語言模型 LLM 的芯片，專注于推理與服務(wù)應(yīng)用。為了開發(fā)能大幅降低運(yùn)行 LLM 所需功耗的芯片，三
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美國芯片制造擴(kuò)張計(jì)劃遇到障礙
- 在2022年12月，全球最尖端芯片的關(guān)鍵制造商臺(tái)積電宣布計(jì)劃在亞利桑那州投資400億美元，建立其在美國的首個(gè)主要半導(dǎo)體生產(chǎn)中心。這個(gè)備受矚目的鳳凰城項(xiàng)目——包括兩座新工廠，其中一座擁有更先進(jìn)的技術(shù)——成為了拜登總統(tǒng)鼓勵(lì)更多國內(nèi)芯片生產(chǎn)的象征，而芯片是幫助各種設(shè)備進(jìn)行計(jì)算和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的硅片。然而去年夏天，臺(tái)積電推遲了在其首座亞利桑那工廠的初始生產(chǎn)時(shí)間，從今年到2025年，稱當(dāng)?shù)毓と巳狈Π惭b一些復(fù)雜設(shè)備的經(jīng)驗(yàn)。上個(gè)月，該公司表示第二座工廠將不會(huì)在2026年，而是在2027年或2028年生產(chǎn)芯片，原因是技術(shù)選擇和
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拜登-哈里斯政府啟動(dòng)了超過50億美元的CHIPS研發(fā)投資的下一階段，包括國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）
- 今天，美國商務(wù)、國防和能源部門，國家科學(xué)基金會(huì)以及國家半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)中心（Natcast）的首席執(zhí)行官齊聚白宮，宣布將向CHIPS研發(fā)計(jì)劃投入逾50億美元的預(yù)期投資，其中包括國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC），并正式成立NSTC的公私合作財(cái)團(tuán)。該公告還包括數(shù)億美元的預(yù)期投資，用于半導(dǎo)體工作人員；以及在封裝、計(jì)量和CHIPS制造美國研究所等領(lǐng)域的特定資金宣布。這一公告反映了拜登總統(tǒng)對美國創(chuàng)新和研發(fā)的承諾。NSTC是CHIPS for America 110億美元研究和開發(fā)（R&D）計(jì)劃的核心。NSTC將
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2023-2027年高級半導(dǎo)體市場份額按國家分布
- 在今天快速變化的科技景觀中，高級半導(dǎo)體推動(dòng)著跨行業(yè)的創(chuàng)新，為從智能手機(jī)到醫(yī)療設(shè)備的各種設(shè)備提供動(dòng)力。在這張圖表中，我們可視化了2023年和2027年各國的高級晶圓廠產(chǎn)能預(yù)測。這些數(shù)據(jù)來自 TrendForce，于2023年12月發(fā)布。高級與成熟工藝高級制造工藝指的是≤16/14納米（nm）節(jié)點(diǎn)。較小的晶體管使制造商能夠?qū)⒏嗟木w管集成到單個(gè)芯片上，增加處理能力和效率。例如，iPhone 15 Pro 使用的是蘋果首款采用3納米工藝制造的芯片，而 PlayStation 5 使用的是6納米芯片。成熟工藝（
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英國表示將加入歐洲聯(lián)盟共同在歐洲開發(fā)和制造先進(jìn)的半導(dǎo)體
- 周三，英國表示將加入歐洲聯(lián)盟的努力，共同在歐洲開發(fā)和制造先進(jìn)的半導(dǎo)體，并向總額為13億歐元（14億美元）的研究和創(chuàng)新基金承諾3500萬英鎊（4500萬美元）。這為何重要？在疫情暴露出對全球芯片制造商和中國和美國公司擁有的關(guān)鍵技術(shù)的依賴之后，英國和歐盟都試圖確保國內(nèi)的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。英國表示加入歐洲芯片計(jì)劃將使英國半導(dǎo)體行業(yè)的公司有機(jī)會(huì)從更大的歐洲基金中申請撥款。背景半導(dǎo)體被廣泛且越來越多地用于日常設(shè)備，推動(dòng)全球各地競相提供補(bǔ)貼以吸引制造商并開發(fā)新技術(shù)。歐洲委員會(huì)于今年1月提出了一系列計(jì)劃，旨在改善經(jīng)濟(jì)安全，
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芯片制造商正在尋找“中國外加一”，發(fā)現(xiàn)了馬來西亞
- 馬來西亞已經(jīng)是世界第六大半導(dǎo)體出口國，包裝了所有美國芯片的23％。PENANG - 馬來西亞庫林工業(yè)園內(nèi)的這座全新工廠周圍仍然是建筑起重機(jī)。但是，在內(nèi)部，由奧地利科技巨頭AT＆S雇用的大批工人已經(jīng)準(zhǔn)備好在年底全力生產(chǎn)。他們穿著頭頂?shù)侥_尖的工作服，配有超大的安全眼鏡和安全帽，讓人想起了電影《小黃人》中的工蜂，但根據(jù)功能進(jìn)行了色彩編碼：藍(lán)色表示維護(hù)，綠色表示供應(yīng)商，粉色表示清潔工，白色表示操作員。AT＆S只是一大批最近決定搬遷或擴(kuò)大在馬來西亞電子和電氣制造中心的歐美公司之一。美國芯片巨頭英特爾和德國公司英飛凌
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業(yè)界：2024年1月全球半導(dǎo)體銷售額同比增長15.2%
- 3月4日，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）宣布，2024年1月全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額總計(jì)476億美元，較2023年1月的413億美元增長15.2%，但較2023年12月的487億美元環(huán)比下降2.1%。SIA總裁兼CEO John Neuffer表示，全球半導(dǎo)體市場在新年伊始表現(xiàn)強(qiáng)勁，全球銷售額同比增長幅度達(dá)到2022年5月以來的最高水平。市場預(yù)計(jì)將在今年剩余時(shí)間內(nèi)持續(xù)增長，2024年的年銷售額預(yù)計(jì)將比2023年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長。從地區(qū)來看，中國銷售額同比增長26.6%，美洲地區(qū)增長20.3%，除中國及日本以外的亞太其
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技術(shù)分享｜半導(dǎo)體激光器為什么需要窄線寬？
- 半導(dǎo)體激光器為什么需要窄線寬？目前，隨著網(wǎng)絡(luò)流量的需求爆發(fā)式增長，光纖通信傳輸速率得到大幅提升，其中一種提升傳輸速率的方式就是通過更高更復(fù)雜的調(diào)制格式，這對激光器的線寬要求變得更高。此外，在光譜學(xué)、計(jì)量學(xué)和生化傳感等領(lǐng)域?qū)す馄鞯木€寬提出了更高的要求。例如，F(xiàn)MCW激光雷達(dá)的線寬必須足夠小，從而保證在200 m以外反射回來的光也能與參考光相干。圖1 ?FMCW激光雷達(dá)原理圖半導(dǎo)體激光器的線寬是怎么來的？關(guān)于半導(dǎo)體激光器的線寬理論大部分討論都是基于1982年C.H.Henry的文章“Theory
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半導(dǎo)體協(xié)會(huì)SEMI督促歐盟：新出口控制應(yīng)成為‘最后手段’
- 半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)SEMI Europe在本周發(fā)布的一份立場文件中表示，歐洲聯(lián)盟在考慮是否實(shí)施額外的出口控制或?qū)ν鈬顿Y實(shí)施新規(guī)定時(shí)應(yīng)三思而后行。這一警告是在歐洲委員會(huì)于一月份提出一系列旨在提高“經(jīng)濟(jì)安全”、防止技術(shù)轉(zhuǎn)讓給競爭對手（如中國）的計(jì)劃后發(fā)出的。I. 背景： 2024年1月，歐洲委員會(huì)提出一系列計(jì)劃，旨在提升“經(jīng)濟(jì)安全”并防止技術(shù)轉(zhuǎn)讓給競爭對手。這引發(fā)了半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)SEMI Europe的回應(yīng)，他們通過一份立場文件敦促歐盟在采取行動(dòng)之前深思熟慮，尤其是在考慮是否實(shí)施額外的出口控制或?qū)ν鈬顿Y實(shí)施
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白宮吹捧110億美元的美國半導(dǎo)體研發(fā)計(jì)劃
- 白宮上周五吹捧了美國政府計(jì)劃在與半導(dǎo)體相關(guān)的研究和發(fā)展上花費(fèi)110億美元，并表示正在啟動(dòng)50億美元的國家半導(dǎo)體技術(shù)中心。2022年8月，國會(huì)批準(zhǔn)了具有里程碑意義的芯片與科學(xué)法案。該法案規(guī)定了527億美元的資金，其中包括390億美元用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的補(bǔ)貼和110億美元用于研究和發(fā)展。它還為建設(shè)芯片工廠提供了25%的投資稅收抵免，估計(jì)價(jià)值240億美元。 研發(fā)計(jì)劃的核心是國家半導(dǎo)體技術(shù)中心，該中心將進(jìn)行先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的研究和原型制作。 該中心是一個(gè)“政府、行業(yè)客戶、供應(yīng)商、學(xué)者、企業(yè)家、風(fēng)險(xiǎn)投資家匯聚一堂
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為什么AMD、TSMC和Broadcom股票今天都上漲
- 這三只半導(dǎo)體股票都很昂貴，但其中一只看起來比其他兩只便宜得多。 在周二下跌后，半導(dǎo)體股Advanced Micro Devices（AMD下跌2.68%）、Broadcom（AVGO上漲0.54%）和臺(tái)積電（TSM上漲4.89%）的股價(jià)在周三上午再次小幅上漲，分別上漲2.8%、2.8%和5.1%，截至美東時(shí)間上午11:05。兩個(gè)關(guān)鍵因素似乎推動(dòng)了今天的表現(xiàn)優(yōu)異：全球半導(dǎo)體需求的普遍趨勢以及...美國政府。半導(dǎo)體需求正在增長首先是半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）貿(mào)易團(tuán)體周一報(bào)告，2024年1月全球半導(dǎo)體銷售較20
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印度注資150億美元用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，首座尖端芯片廠將于今年奠基
- 印度先進(jìn)包裝芯片制造芯片包裝芯片短缺鑄造廠半導(dǎo)體東南亞印度印度政府批準(zhǔn)了對半導(dǎo)體和電子生產(chǎn)的重大投資，其中包括該國首座尖端半導(dǎo)體制造廠。政府宣布，將在100天內(nèi)奠基三個(gè)工廠——一個(gè)半導(dǎo)體制造廠和兩個(gè)封裝測試設(shè)施。政府已批準(zhǔn)了1.26萬億印度盧比（152億美元）的項(xiàng)目資金。印度是一系列旨在提升國內(nèi)芯片制造能力的努力中的最新一例，希望使各國和地區(qū)在這個(gè)被視為戰(zhàn)略重要的行業(yè)中更加獨(dú)立?！耙环矫?，印度有著龐大且不斷增長的國內(nèi)需求，另一方面，全球客戶正在尋求印度以確保供應(yīng)鏈的韌性，”參與新廠的臺(tái)灣鑄造廠臺(tái)灣力晶半導(dǎo)
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印度將加大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
- 印度計(jì)劃建設(shè)三個(gè)重要的半導(dǎo)體生產(chǎn)單位，以推動(dòng)其電子產(chǎn)業(yè)，并尋求創(chuàng)造“技術(shù)自給自足”。印度聯(lián)邦內(nèi)閣表示，所有三個(gè)單位將在接下來的100天內(nèi)開始建設(shè)。第一個(gè)半導(dǎo)體Fab項(xiàng)目涉及Tata Electronics Private Limited和來自臺(tái)灣的力晶半導(dǎo)體制造股份有限公司，將在古吉拉特邦的Dholera建設(shè)，擁有每月50,000片晶圓的產(chǎn)能。該設(shè)施將以28納米技術(shù)面向高性能芯片領(lǐng)域，適用于電動(dòng)汽車、電信、國防、汽車和電子等各個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)一份聲明，Tata Electronics通過此次宣布“進(jìn)入全球半導(dǎo)
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美國通過新的資金倡議尋求半導(dǎo)體主導(dǎo)地位
- 2022年的美國《CHIPS和科學(xué)法案》為半導(dǎo)體研究和制造提供了重要資金，旨在增強(qiáng)美國在全球半導(dǎo)體市場上的競爭力并減少對進(jìn)口的依賴。 盡管有初步的投資，但一些政府代表和行業(yè)專家主張推出第二個(gè)CHIPS法案（“CHIPS法案2.0”），以加速半導(dǎo)體發(fā)展，吸引私人投資，并鞏固美國在半導(dǎo)體制造業(yè)中的地位。 盡管美國政府已經(jīng)為第一個(gè)CHIPS法案撥款了數(shù)十億美元，但關(guān)于是否需要額外的補(bǔ)貼和財(cái)政激勵(lì)來與TSMC等主要生產(chǎn)商競爭，并確保長期的半導(dǎo)體制造獨(dú)立性的討論仍在繼續(xù)。 隨著美國加速進(jìn)行綠色轉(zhuǎn)型，它正在尋求
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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