臺積電 文章 進入臺積電技術社區(qū)
ASML今年將向臺積電交付最新款光刻機 單價3.8億美元
- 6月6日消息,荷蘭光刻機制造商ASML今年將向臺積電交付其最新款光刻機。據(jù)公司發(fā)言人莫尼克·莫爾斯(Monique Mols)透露,首席財務官羅杰·達森(Roger Dassen)在近期的分析師電話會議中表示,包括臺積電和英特爾在內的ASML兩大客戶都將在今年年底前拿到高數(shù)值孔徑極紫外線(high-NA EUV)光刻機。英特爾已經(jīng)下單購買了這款最新的光刻機,并于去年12月底將第一臺機器運至其位于俄勒岡州的工廠。目前尚不清楚臺積電何時會收到這些設備。臺積電代表表示,公司一直與供應商保持密切合作,但拒絕對此事
- 關鍵字: ASML 臺積電 光刻機 英特爾 半導體
臺積電CEO秘訪ASML,High-NA EUV光刻機競賽提前打響?
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- 5月26日,臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動,臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席,原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部,以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產(chǎn)品,包括High-NA EUV設備將如何實現(xiàn)未來
- 關鍵字: 臺積電 ASML High-NA EUV 光刻機
臺積電領先中國大陸、美國多少?專家爆最短只剩2年
- 瑞銀舉辦亞洲投資論壇,首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術從2028年起,每年提升生產(chǎn)力至少1%,同時他也看好臺積電與三星,其中臺積電技術領先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年,為長期最具吸引力的投資選擇。香港經(jīng)濟日報報導,瑞銀亞洲投資論壇在香港登場,會中暢談全球經(jīng)濟脈動與股市發(fā)展,提到目前最熱門的人工智能議題,Andrew Garthwaite表示,生成式人工智能技術屬于輕資本,且目前已經(jīng)有20%的個人計算機開放支持,擁有前所未有的覆蓋率,預估2028年開始,生成式人工
- 關鍵字: 臺積電 三星
臺積電不嫌ASML最新機臺貴? 魏哲家密訪歐洲內幕
- 臺積電晶圓代工事業(yè)遙遙領先,但高層顯然一點也沒有掉以輕心。據(jù)韓媒報導,臺積電總裁魏哲家23日沒有出席在臺北舉行臺積電2024年術論壇,是因為他已經(jīng)前往歐洲秘密造訪艾司摩爾(ASML)荷蘭總部以及德國工業(yè)雷射大廠「創(chuàng)浦」(TRUMPF)。美國芯片大廠英特爾沖刺晶圓代工事業(yè),目前已成為ASML首臺最新型「High-NA EUV」(高數(shù)值孔徑極紫外光微影系統(tǒng))的買家。臺積電高層原本表示,臺積電A16先進制程節(jié)點并不一定需要這部機器,原因是價格太貴了。但據(jù)南韓媒體BusinessKorea報導,臺積電總裁魏哲家這
- 關鍵字: 臺積電 ASML 機臺
歐盟官員:《歐洲芯片法案》有望到 2030 年吸引千億歐元私人投資
- 5 月 23 日消息,據(jù)路透社報道,歐盟委員會數(shù)字部門官員托馬斯?斯科達斯(Thomas Skordas)近日表示,《歐洲芯片法案》有望到 2030 年吸引 1000 億歐元(IT之家備注:當前約 7850 億元人民幣)規(guī)模的私人投資?!稓W洲芯片法案》法案于去年通過,目標到 2030 年將歐盟區(qū)域芯片產(chǎn)量在全世界的占比翻倍,達到 20%?!稓W洲芯片法案》承諾將為此調動 430 億歐元(當前約 3375.5 億元人民幣)的補貼資金。歐盟成員國為企業(yè)提供的相關補貼都將交由歐盟委員會正式批準,但目前已通過審核全
- 關鍵字: 歐洲芯片法 英特爾 臺積電 晶圓廠
臺積電開發(fā)N4e制程滿足物聯(lián)網(wǎng)需求,另提升特殊制程產(chǎn)能50%
- 臺積電年度技術論壇的歐洲場,向客戶展示N4e新型低功耗節(jié)點,并未出現(xiàn)過藍圖。 臺積電表示,幾年內將把特殊制程晶圓廠產(chǎn)能提高50%。Anandtech報道,臺積電計劃「四至五年」內,將特殊制程晶圓廠產(chǎn)能大幅提高50%,修改晶圓廠空間,建造Greenfield新晶圓廠。 臺積電將興建低功耗4納米節(jié)點,稱為N4e,臺積電官方藍圖將N4e加入N4P和N4X行列。尚不清楚 N4e 工藝可能有哪些客戶或應用使用,但可能專門給物聯(lián)網(wǎng)和其他需要消耗電力的設備。 通常應用都采成熟制程,因相對廉價設備用先進制程成本太高。 臺
- 關鍵字: 臺積電 先進制程
臺積電 3nm 工藝步入正軌,2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節(jié)點
- IT之家 5 月 17 日消息,臺積電近日舉辦技術研討會,表示其 3nm 工藝節(jié)點已步入正軌,N3P 節(jié)點將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點,進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節(jié)點良率進一步提高,已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關報道,臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質量驗證,其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學微縮工藝,N3P 在 IP 模塊、設計規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E,因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
- 關鍵字: 臺積電 3nm N3P
臺積電美國工廠突發(fā)爆炸
- 據(jù)央視新聞報道,當?shù)貢r間5月15日下午,臺積電位于美國亞利桑那州北鳳凰城的廠區(qū)發(fā)生爆炸,造成至少1人重傷。臺積電對此事發(fā)布聲明稱,證實其美國亞利桑那州工廠建筑工地發(fā)生一起事故。此次爆炸原因為進場的外包硫酸清運槽車異常,清運司機查看時發(fā)生意外,爆炸致該名男子受重傷,被送往當?shù)蒯t(yī)院。臺積電表示,工廠設施沒有受損,臺積電的員工和現(xiàn)場建筑工人未報告受傷,此事件不影響營運或工程進行。目前,現(xiàn)場詳細情況仍待進一步確認。但據(jù)當?shù)亟ㄖ?月15日晚間發(fā)布的最新聲明,該名司機已經(jīng)死亡。此前消息,美國擬向臺積電提供66億美
- 關鍵字: 臺積電 美國工廠 爆炸
臺積電準備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎芯片
- 在 HBM4 內存帶來的幾大變化中,最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口,HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作;芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進的封裝方法,以適應更寬的內存。作為 2024 年歐洲技術研討會演講的一部分,臺積電提供了一些有關其將為 HBM4 制造的基礎模具的新細節(jié),這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務,該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
- 關鍵字: 臺積電 12nm 5nm 工藝 HBM4 基礎芯片
臺積電:ASML新型光刻機太貴,A16技術計劃2026年推出
- 據(jù)媒體報道,當?shù)貢r間周二,臺積電高級副總裁張曉強(Kevin Zhang)在阿姆斯特丹舉行的一個技術研討會表示,ASML的最新高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(High-NA EUV)價格過高,并直言:“我喜歡這項技術,但我不喜歡它的標價?!睋?jù)了解,這款新光刻機的線寬僅為8nm,精細度是前一代的1.7倍。但每臺機器的成本高達3.5億歐元(約合3.78億美元),重量相當于兩架空客A320,而ASML的常規(guī)EUV設備的成本為2億歐元。報道稱,新款光刻機預計將幫助芯片設計縮小三分之二,但芯片制造商必須權衡技術優(yōu)勢與更高的
- 關鍵字: 臺積電
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