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臺(tái)積電
臺(tái)積電 文章 進(jìn)入臺(tái)積電技術(shù)社區(qū)
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下，臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因，臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
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華為5納米SoC并非中芯制造
- Huawei最近推出了一款名為清云L450的筆記本電腦，配備了全新的海思麒麟9006c芯片。這款芯片之所以與最近推出的華為麒麟芯片不同，是因?yàn)樗且豢?納米的SoC。迄今為止，在美國(guó)的制裁之后，華為只能推出7納米的芯片。因此，在清云L450筆記本電腦內(nèi)看到一款5納米的華為麒麟SoC引起了人們的興趣。許多人認(rèn)為，這家中國(guó)制造商終于找到了一種突破限制、生產(chǎn)先進(jìn)芯片的方式。然而，Tech Insights的拆解揭示了所有的謠言。結(jié)果顯示，華為麒麟9006c并非由中國(guó)半導(dǎo)體制造廠商中芯國(guó)際（SMIC）制造，而是來(lái)
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TSMC不會(huì)在2030年或更晚采用先進(jìn)的High-NA EUV芯片制造工具 ——英特爾本周剛剛收到了其第一臺(tái)：報(bào)告
- TSMC 不急于采用ASML的High-NA EUV進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。本周，英特爾開(kāi)始收到其第一臺(tái)ASML的0.55數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻工具，它將用于學(xué)習(xí)如何使用這項(xiàng)技術(shù)，然后在未來(lái)幾年內(nèi)將這些機(jī)器用于18A后的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。相比之下，據(jù)中國(guó)Renaissance和SemiAnalysis的分析師表示，TSMC并不急于在不久的將來(lái)采用High-NA EUV，該公司可能要在2030年或更晚才會(huì)加入這一陣營(yíng)?！芭c英特爾在轉(zhuǎn)向GAA（計(jì)劃在[20A]插入之后）后不久即開(kāi)始使用High-NA
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特斯拉明年將采用臺(tái)積電3nm芯片
- 據(jù)外媒，除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾、高通外，特斯拉也已確認(rèn)參與臺(tái)積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計(jì)定案（New Tape-Outs，NTOs）。報(bào)道稱，特斯拉成為臺(tái)積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動(dòng)駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解，臺(tái)積電N3P工藝計(jì)劃預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺(tái)積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo)，以及技術(shù)成熟度，都超過(guò)了英特爾的18A工藝。
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臺(tái)積電全球化的隱憂
- 臺(tái)積電在歐洲、日本的新廠都傳來(lái)了新消息。11 月 21 日，有媒體報(bào)道臺(tái)積電考慮在熊本建造第三工廠，生產(chǎn)制程 3 納米芯片。預(yù)計(jì)相關(guān)投資額約達(dá) 200 億美元。臺(tái)積電目前正在熊本縣建設(shè)第一工廠，預(yù)計(jì)生產(chǎn) 12 納米的半導(dǎo)體等。不久前，11 月初德國(guó)聯(lián)邦反壟斷局批準(zhǔn)臺(tái)積電與德國(guó)半導(dǎo)體公司博世、英飛凌以及荷蘭半導(dǎo)體公司恩智浦成立合資公司。這標(biāo)志著臺(tái)積電在歐洲的第一座晶圓廠即將落地。作為一家代工廠，臺(tái)積電過(guò)去依靠的是規(guī)?；a(chǎn)，壓低成本，進(jìn)而吸引客戶。在多年的積累中，臺(tái)積電在代工規(guī)模與代工技術(shù)兩個(gè)方面都已經(jīng)成為
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臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音計(jì)劃明年退休：或是受美國(guó)建廠影響
- 12月19日，臺(tái)積電官方宣布了一個(gè)非常突然和意外的消息：臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音將不再參加下一屆董事長(zhǎng)提名，并于明年股東大會(huì)后退休。同時(shí)，臺(tái)積電提名現(xiàn)任CEO、副董事長(zhǎng)魏哲家接任董事長(zhǎng)，最終以明年6月的董事會(huì)選舉結(jié)果為準(zhǔn)。2018年6月，臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀正式退休，公司開(kāi)啟由劉德音任董事長(zhǎng)、魏哲家任總裁的“雙首長(zhǎng)制”時(shí)代。如果魏哲家未來(lái)接任董事長(zhǎng)后，繼續(xù)身兼總裁暨CEO的話，臺(tái)積電事權(quán)的“雙首長(zhǎng)制”時(shí)代將結(jié)束，而魏哲家也將成為臺(tái)積創(chuàng)立以來(lái)，同時(shí)身兼兩要職的第二人。值得注意的是，張忠謀86歲才退休，而劉德音自20
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臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音明年退休，董事會(huì)建議魏哲家接任
- 12 月 19 日消息，臺(tái)積電今日發(fā)布公告，劉德音董事長(zhǎng)將不參與下屆董事提名，并將于明年股東大會(huì)后退休。從公告中獲悉，臺(tái)積電“提名及公司治理暨永續(xù)委員會(huì)”推薦副董事長(zhǎng)魏哲家博士接任下屆董事長(zhǎng)，并將以明年六月下屆董事會(huì)選舉結(jié)果為主。劉德音博士于 1993 年加入臺(tái)積電，并在創(chuàng)辦人張忠謀博士于 2018 年退休后接任董事長(zhǎng)職位。在其董事長(zhǎng)任內(nèi)，劉德音博士重申公司對(duì)其使命的承諾，并著重在強(qiáng)化公司治理及企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，尤其是在技術(shù)領(lǐng)先、數(shù)字卓越及全球布局。臺(tái)積公司董事長(zhǎng)劉德音博士表示：“過(guò)去三十年在臺(tái)積電
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臺(tái)積電芯片奇跡難復(fù)制 BBC揭密：其他地方找不到這批「終極武器」
- 臺(tái)積電布局海外，廣受全球矚目，外界都在關(guān)注是否可以重現(xiàn)在中國(guó)臺(tái)灣打造的芯片奇跡。但外媒報(bào)導(dǎo)指出，中國(guó)臺(tái)灣成為「芯片超級(jí)巨星」之路并不容易復(fù)制，因?yàn)橹袊?guó)臺(tái)灣的終極秘密武器：大批技術(shù)精湛且吃苦耐勞的工程師，顯然難以在海外尋得。全球有超過(guò)一半以上芯片都是由中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)。BBC特地專訪中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先鋒、工研院院士史欽泰，試圖了解中國(guó)臺(tái)灣的成功秘訣。盡管BBC認(rèn)為沒(méi)有人確切知道中國(guó)臺(tái)灣擅長(zhǎng)芯片制造的原因，但史欽泰表示答案很簡(jiǎn)單，「我們擁有全新的機(jī)器、最先進(jìn)的設(shè)備，招募了最優(yōu)秀的工程師，就連機(jī)械操作員也都個(gè)個(gè)技
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臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單
- 臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來(lái)勢(shì)洶洶，但臺(tái)積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢(shì)，尤其三星至今在3納米方面，依然無(wú)法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺(tái)積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺(tái)積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此，三星也打算透過(guò)低價(jià)策略搶市，與臺(tái)積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo)，三星雖在3納米就開(kāi)始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間也比臺(tái)積電早數(shù)個(gè)月，但在良率與技術(shù)上無(wú)法獲得客戶青睞，蘋(píng)果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺(tái)積電手上，臺(tái)積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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英特爾、三星和臺(tái)積電演示3D堆疊晶體管，三大巨頭現(xiàn)已能夠制造互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET），擺脫摩爾定律的下一個(gè)目標(biāo)。
- 在本周的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上，臺(tái)積電展示了他們對(duì)CFET（用于CMOS芯片的邏輯堆棧）的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類型的晶體管堆疊在一起的結(jié)構(gòu)。在本周的舊金山IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上，英特爾、三星和臺(tái)積電展示了他們?cè)诰w管下一次演變方面取得的進(jìn)展。芯片公司正在從自2011年以來(lái)使用的FinFET器件結(jié)構(gòu)過(guò)渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱反映了晶體管的基本結(jié)構(gòu)。在FinFET中，柵通過(guò)垂直硅鰭控制電流的流動(dòng)。在納米片器件中，該鰭被切割成一組帶狀物，每個(gè)帶狀物都被柵包圍。 CFET
- 關(guān)鍵字： CFET IEEE 臺(tái)積電，三星，英特爾
蘋(píng)果芯片制造商首次討論高度先進(jìn)的1.4納米芯片
- 2023年12月14日星期四，上午6:19，由Hartley Charlton提供，PST 臺(tái)積電（TSMC）正式提到了其1.4納米制造技術(shù)，很可能將成為未來(lái)蘋(píng)果硅芯片的基礎(chǔ)。蘋(píng)果硅1特性 在其“未來(lái)邏輯”專題的幻燈片中（通過(guò)SemiAnalysis的Dylan Patel），TSMC首次披露了其1.4納米節(jié)點(diǎn)的官方名稱，“A14”。該公司的1.4納米技術(shù)預(yù)計(jì)將在其“N2” 2納米芯片之后推出。N2計(jì)劃于2025年底開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，隨后將在2026年底推出增強(qiáng)版“N2P”節(jié)點(diǎn)。因此，任何A14芯片在2
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從2D到3D：半導(dǎo)體封裝工藝與DTCO
- 前言 在馬上要過(guò)去的2023年，全球的通貨膨脹伴隨消費(fèi)需求的下滑，2023年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預(yù)估將整體營(yíng)收同比下滑12.5%。但是在2024年，隨著多家機(jī)構(gòu)給出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將觸底反彈的預(yù)測(cè)，整個(gè)半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)將迎來(lái)成長(zhǎng)，預(yù)估明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將有6.4%的增幅。而長(zhǎng)期來(lái)看，半導(dǎo)體晶圓代工領(lǐng)域也是會(huì)總體保持增長(zhǎng)。未來(lái)，芯片將越來(lái)越變得無(wú)處不在，價(jià)值越來(lái)越高，重要性也越來(lái)越高，在社會(huì)中逐漸變成引導(dǎo)社會(huì)變革的核心力量之一。就此臺(tái)積電中國(guó)區(qū)總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球在ICCAD2023就表示：“整個(gè)半導(dǎo)體在200
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臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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