存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
中天弘宇：攻克核心設(shè)計缺陷 重建NOR閃存新生
- 閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設(shè)計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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DRAM降價將會比預(yù)期更猛，明年對于存儲器來說將是難熬的一年
- DRAM內(nèi)存降價已是必然，內(nèi)存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止，降的時候看來勢頭會比預(yù)期更狠?！ ∪疸y分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關(guān)于內(nèi)存市場的分析報告，雖然維持美光公司的中性評級，但他下調(diào)了美光的目標股價，從52美元砍至41美元。他不看好美光股價的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價幅度要高于預(yù)期，之前分析認為明年環(huán)比下架10-12%左右，但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價格降幅達到10-15%，而且NAND閃存價格也會降10-15%。 此前，DRAMeXchang
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存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價優(yōu)勢不再，Q4風光難續(xù)
- 前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢?！ 〈鎯ζ髟瓘SQ3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動” 2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應(yīng)用，導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket
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美光宣布量產(chǎn)面向移動應(yīng)用、業(yè)內(nèi)容量最高的單片式存儲器
- 美光科技股份有限公司(納斯達克代碼：MU)今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)內(nèi)容量最高的首款單片12Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率4x(LPDDR4x)DRAM，適用于移動設(shè)備和應(yīng)用。該最新一代美光LPDDR4存儲器在功耗上做出了重大改進，同時保持了業(yè)內(nèi)最高的LPDDR4時鐘頻率，從而為下一代手機和平板電腦提供高級性能。此外，美光的12Gb LPDDR4x實現(xiàn)了雙倍的存儲容量，與上一代產(chǎn)品相比，在不增加體積的情況下提供了業(yè)內(nèi)容量最高的單片LPDDR4。 人工智能(AI)、增強現(xiàn)實(AR)和4K視頻等計算型和數(shù)據(jù)密集型
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技術(shù)變革關(guān)鍵期，中國如何突圍存儲器產(chǎn)業(yè)？
- 存儲器是信息系統(tǒng)的核心芯片，對于保障國家安全和信息安全具有重要意義。當前以云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展，引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長，對存儲器的需求也在不斷增加。2017年，我國僅存儲器進口規(guī)模就達到870億美元?！ 〗?，第二屆中國高端芯片高峰論壇召開。以“存儲器產(chǎn)業(yè)：在開放與競爭中成長”為主題，與會專家對我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略進行了探討：當前，存儲器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時期。既要推動現(xiàn)有主流存儲器技術(shù)，產(chǎn)品的應(yīng)用發(fā)展，也要在新興存儲器方面有超前考慮，力爭為我國企業(yè)在存儲器領(lǐng)域
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中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立大會召開
- 2018年10月26日，中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(下稱“聯(lián)盟”)成立大會暨第一次會員大會在武漢召開。工業(yè)和信息化部副部長羅文出席大會并致辭?！ ×_文強調(diào)，存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。加快存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展既是補齊產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板的必然要求，也是保障國家產(chǎn)業(yè)安全和信息安全的重要舉措。存儲器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時期，這些都為我國打破主流存儲器領(lǐng)域空白、實現(xiàn)加速發(fā)展創(chuàng)造了有利條件?！ ×_文對聯(lián)盟的未來發(fā)展提出三點建議：一是反映行業(yè)訴求、服務(wù)行業(yè)發(fā)展。吸納產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)包括應(yīng)用企業(yè)加入到聯(lián)盟中，發(fā)揮橋梁紐帶作用，代表
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e絡(luò)盟將Adesto全套特定應(yīng)用的非易失性存儲器產(chǎn)品 納入其全球產(chǎn)品陣列
- 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布與物聯(lián)網(wǎng)時代特定應(yīng)用創(chuàng)新半導體解決方案領(lǐng)先提供商Adesto Technologies簽署全新分銷協(xié)議。該特許經(jīng)營權(quán)能夠讓OEM 客戶輕松獲取Adesto全套功能豐富、超低功耗的非易失性存儲器(NVM)產(chǎn)品組合，同時獲得e絡(luò)盟提供的銷售、技術(shù)和產(chǎn)品管理資源支持服務(wù)?！ desto存儲器針對工業(yè)、消費、醫(yī)療和通信市場的 IoT 應(yīng)用進行了優(yōu)化。其創(chuàng)新型存儲器產(chǎn)品組合包括用于數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的DataFlash、針對電池供電設(shè)備的 Fusion Flash、面向就地執(zhí)
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新以太網(wǎng)供電標準：即將到來
- 今年的7月份標志著IEEE 802.3bt建立6周年，IEEE標準項目將要使四對線以太網(wǎng)供電(PoE)標準化?！ ‘斘以?012年7月參加第一次IEEE標準會議時，我就開始為這個標準做準備。在8個月后的2013年3月，對興趣小組的邀請會如期舉行。一個研究小組一直工作到2013年11月，這個特別小組從那時起就一直在構(gòu)建此標準?！ ∥覀冏隽舜罅康墓ぷ鳎液芨吲d地宣布，該標準已經(jīng)批準通過。修訂批準后大約3-4個月，標準將正式發(fā)布?！ ≡擁椖渴加谝粋€簡單的目標，即增加從供電設(shè)備(PSE)傳輸?shù)绞茈娫O(shè)備(PD)
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集邦咨詢發(fā)布2019年十大科技趨勢：存儲器產(chǎn)業(yè)再升級
- 全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢針對2019年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，發(fā)布十大科技趨勢： 存儲器產(chǎn)業(yè)再升級，關(guān)鍵在次世代存儲器與封裝堆棧技術(shù) 展望2019年，由于制程轉(zhuǎn)進已達到摩爾定律的物理極限，存儲器技術(shù)的發(fā)展將著墨于封裝方式的更新以及對次世代存儲器的探索。為解決現(xiàn)有單顆顆粒封裝時面臨的bandwidth的瓶頸，廠商企圖透過堆棧(類似TSV)的方式在有限的空間提高信息的傳輸量(throughput)，如目前廠商推出的High Bandwidth Memory(HBM)?！ ×硪环矫妫瑸闈M足邊緣計算需要更快的反應(yīng)時
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
存儲器電路
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