存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
存儲器廠憂DRAM漲勢受阻
- 韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉(zhuǎn)，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場擔(dān)心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產(chǎn)提價共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認(rèn)為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
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美光存儲器助力AI造福精神健康
- 1?沉重的社會話題幾年前，王女士朋友的70多歲婆婆患了阿爾茲海默癥，朋友的老公后來無法外出工作，在家全職照顧她。這使王女士開始關(guān)注這類病癥，了解到如果盡早地發(fā)現(xiàn)和干預(yù)，可使病癥發(fā)展減緩。同時，患者需要大量的康復(fù)訓(xùn)練，但患者因為腦部疾病會難以融入社區(qū)、社會，同時因為昂貴的康復(fù)費用等因素，為康復(fù)帶來一定的難度。在不久前的CNCC2023（中國計算機大會）上，王女士了解到精神健康已是一個重要的社會話題，相關(guān)的醫(yī)學(xué)電子正向數(shù)據(jù)驅(qū)動型、精準(zhǔn)診療方向發(fā)展，而生成式AI /大模型是推進其進化的加速器。生成式A
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意法半導(dǎo)體STM32F103RET7單片機的工作原理、優(yōu)缺點、應(yīng)用、引腳
- ST(意法半導(dǎo)體)的型號STM32F103RET7屬于32位MCU微控制器，采用集成高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心，在72MHz頻率下工作，高速嵌入式存儲器(閃存高達512千字節(jié)，SRAM高達64千字節(jié))，以及廣泛的增強I/ o和連接到兩個APB總線的外設(shè)。STM32F103RET7提供3個12位adc，4個通用16位定時器加上兩個PWM定時器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口：最多兩個i2c，三個spi，兩個I2Ss，一個SDIO, 5個usart，一個USB和一個CAN。STM32F10
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干貨｜必看的單片機知識
- 前言1946年2月15日，第一臺電子數(shù)字計算機?ENIAC問世，這標(biāo)志著計算機時代的到來。ENIAC?是電子管計算機，時鐘頻率雖然僅有 100 kHz，但能在1s?的時間內(nèi)完成 5000 次加法運算。與現(xiàn)代的計算機相比，ENIAC有許多不足，但它的問世開創(chuàng)了計算機科學(xué)技術(shù)的新紀(jì)元，對人類的生產(chǎn)和生活方式產(chǎn)生了巨大的影響。在研制?ENIAC?的過程中，匈牙利籍?dāng)?shù)學(xué)家馮·諾依曼擔(dān)任研制小組的顧問，并在方案的設(shè)計上做出了重要的貢獻。1946年6月，馮·諾依曼又提
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OptiFlash存儲器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)
- 在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機械鎖后，用戶可以通過手機應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進行控制，同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下，人們對存儲器的要求不斷提高，這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中，存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外，MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢（包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當(dāng)出現(xiàn)無線更新的需求時，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲，上述的這
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存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞
- 今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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新興內(nèi)存技術(shù)：半導(dǎo)體廠商的革命
- 半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展是由一個基本原則驅(qū)動的：存儲器。內(nèi)存技術(shù)是數(shù)字時代背后的無名英雄，支撐著從智能手機的數(shù)據(jù)存儲到超級計算機的效率的一切。隨著對更快、更可靠、更節(jié)能的存儲器的需求激增，新一波新興的非易失性存儲器技術(shù)有望重塑半導(dǎo)體工廠并增強我們的數(shù)字體驗。半導(dǎo)體存儲器的現(xiàn)狀要了解新興存儲技術(shù)的重要性，了解其前輩至關(guān)重要。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲器分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器，如動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)，可提供快速數(shù)據(jù)訪問，但需要持續(xù)供電才能保留信息。非易失性存儲器，例如 NAND 閃存，可以在沒
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存儲器報價 明年H1抬頭
- 三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續(xù)舉行法說，釋出對存儲器產(chǎn)業(yè)看法，兩大廠商均表示，PC、手機終端庫存去化已告一段落、傳統(tǒng)服務(wù)器需求依然疲弱，而AI服務(wù)器需求則較為強勁。業(yè)界人士認(rèn)為，存儲器原廠減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷，在獲利數(shù)字翻正前，應(yīng)會持續(xù)減產(chǎn)策略，預(yù)期2024年上半年內(nèi)存報價向上趨勢不變。臺系存儲器相關(guān)廠商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng)見、十銓、宇瞻等有望受惠。時序進入第四季，三星認(rèn)為，市場復(fù)蘇將加速，在旺季帶動之下，市場DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
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樹立新一代存儲產(chǎn)品標(biāo)桿，兆易創(chuàng)新開拓高能效應(yīng)用賽道
- 近日，第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會在深圳隆重開啟。兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部產(chǎn)品市場經(jīng)理張靜受邀出席，以“持續(xù)開拓，兆易新一代存儲產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題，分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲器領(lǐng)域的廣泛布局，以及面向產(chǎn)業(yè)技術(shù)變革浪潮的創(chuàng)新思考，共同探討“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動周期”下的存儲器市場發(fā)展趨勢。GD Flash的開拓之路：十四載達成212億顆出貨成就眾所周知，F(xiàn)lash是一種非易失性的存儲器，在斷電和掉電的情況下，存儲的內(nèi)容不會發(fā)生丟失，是絕大多數(shù)電子系統(tǒng)必備的元器件。作為一家以存
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存儲器大廠：HBM4，2025年供貨！
- 人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺前，市場需求持續(xù)看漲。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢，可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計算場景，因而備受青睞，存儲大廠也在積極推動HBM技術(shù)迭代。存儲大廠持續(xù)發(fā)力，三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問世至今，HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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存儲產(chǎn)業(yè)亟待“翻身仗”，四大廠商最新營收幾何？
- 2023年已過去一大半，存儲產(chǎn)業(yè)雖仍處于待復(fù)蘇階段，但歷經(jīng)原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，業(yè)界期盼的暖風(fēng)或許正在到來。從多家廠商最新營收來看，整體營收仍是下降趨勢，但各廠商營收出現(xiàn)了環(huán)比增長的跡象，預(yù)示著需求正在慢慢升溫。群聯(lián)電子：9月營收月增25%存儲器控制芯片商群聯(lián)電子公布，其9月營收為50.04億元新臺幣，月增25.38%，年增4.05%，重返50億元新臺幣大關(guān)，創(chuàng)14個月新高。根據(jù)數(shù)據(jù)，群聯(lián)電子第三季營收為123.88 億元新臺幣，較第二季成長近24%，年減15%；2023年前三季累計營收324.74 億元新臺幣
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存儲芯片的「寒冬期」即將過去
- 半導(dǎo)體存儲器銷售最差時期已過，價格已止跌。
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UCODE標(biāo)簽存儲器擴展對供應(yīng)鏈及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的影響
- 每年有數(shù)百億個RAIN RFID標(biāo)簽穿梭于價值鏈，識別跟蹤各類物品。在大多數(shù)情況下，只需少量的存儲空間便可以存儲產(chǎn)品和標(biāo)簽ID，從而區(qū)分各個物品，并報告物品在系統(tǒng)中的位置和/或狀態(tài)。那么，為什么某些RAIN RFID標(biāo)簽提供額外的存儲空間呢？因為在某些情況下，特別是在供應(yīng)鏈和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中（IoT），即使一點點額外的存儲空間也會帶來很大的影響。除了產(chǎn)品和標(biāo)簽ID外，擴展存儲器標(biāo)簽可以存儲其他信息，有助于提升效率、提高自動化水平并降低運營成本。 什么是擴展存儲器標(biāo)簽？提供擴展存儲器的RAIN RFI
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新的存儲器研究使密度躍升100倍
- 存儲密度躍升 10 到 100 倍？
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三星宣布開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲器解決方案
- 今日，三星電子宣布，已開始量產(chǎn)為車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲器最低的功耗，可助力汽車制造商為消費者打造優(yōu)秀的出行體驗。為滿足客戶的不同需求，三星的UFS 3.1（通用閃存）將推出128、256和512千兆字節(jié)（GB）三種容量。在未來的汽車（電動汽車或自動駕駛汽車）應(yīng)用中，增強的產(chǎn)品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中，256GB容量的產(chǎn)品，功耗較上一代產(chǎn)品降低了約33%，還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序?qū)懭胨俣群?000MB/
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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