存儲器 文章 進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)
產(chǎn)業(yè)多變：三星DRAM業(yè)景氣報告前后不同調(diào)
- 日前，全球最大閃存廠南韓三星電子（Samsung）在香港舉行全球巡回說明會中表示，2005年、2006年全球DRAM市場規(guī)模均將因供給過剩而出現(xiàn)衰退，且2005年到第四季（Q4）才會出現(xiàn)供需平衡，而一直到2007年，DRAM產(chǎn)業(yè)才會有機(jī)會再見到成長；不過一份來自三星內(nèi)部的最新報告卻顯示，2005年下半整體DRAM產(chǎn)業(yè)將不至于太差，到了Q3便會供不應(yīng)求，而之所以會看法前后不一，主要還是在于DRAM產(chǎn)業(yè)詭譎多變，隨時須調(diào)整產(chǎn)能及計(jì)畫才足以應(yīng)付。
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三星全球DRAM內(nèi)存市場將在2007年復(fù)蘇
- 5月18日消息，三星電子周二表示，全球DRAM內(nèi)存市場供過于求的狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)到今年第三季度，并且在今年第四季度達(dá)到供需的平衡。由于需求的增長，全球內(nèi)存芯片市場預(yù)計(jì)將在2007年復(fù)蘇。 據(jù)電子時報報道，三星電子副總裁Robert Yi稱，2005年全球PC行業(yè)的增長率將減緩。但是，今年移動設(shè)備、游戲機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求將比2004年增長100%，從而抵消了PC對DRAM內(nèi)存需求的下降。由于芯片廠商要向90納米設(shè)計(jì)工藝過渡，全球D
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意法半導(dǎo)體擬全球裁員 內(nèi)存產(chǎn)能將移中國
- 繼年初退出非策略性芯片市場后，意法半導(dǎo)體又傳來裁員消息。該公司中國區(qū)公關(guān)經(jīng)理丘紅表示，意法計(jì)劃在2006年年中以前裁員3000人，所涉區(qū)域僅限亞太以外地區(qū)。 在意法提供的電子材料中，該公司稱，由于公司處于重組階段，美元相對歐元疲弱不振，而全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又持續(xù)低迷，意法在出口方面大受限制，從而導(dǎo)致2005年第一季度凈收入比去年第四季下降10.5%，凈虧損3100萬美元。這是該公司連續(xù)5季盈利后的首次虧損。因此，該公司試圖通過裁員轉(zhuǎn)廠提升全球市場競爭力。 這似乎是
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意法半導(dǎo)體被證實(shí)是2004年串行非易失性存儲器市場的第一大制造商
- 工業(yè)分析家Web-Feet研究有限公司證實(shí)，意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）是全球第一大非易失性存儲器（NVM）芯片供應(yīng)商。Web-Fee于2005年3月公布了2004年NVM市場占有率的調(diào)查報告*，該報告顯示ST的市場占有率提高了4.4%，在串行EEPROM制造商排名中居首位；另外在該公司今年第一次公布的串行閃存市場排名中也居榜首。2004年串行EEPROM市場增長近15%，超過了并行EEPROM的增長速度，ST的收入增長幅度驚人，達(dá)到32.5%，銷售額達(dá)到2.24億美元，以32%的市場占有率位居榜
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意法半導(dǎo)體研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動器物理層知識產(chǎn)權(quán)芯片
- 意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今天宣布該公司采用90nm制造工藝的（多接口PHY）物理層接口IP（知識產(chǎn)權(quán)）單元研制成功，這是世界上第一個支持串行ATA（SATA）磁盤驅(qū)動器以及Serial Attached SCSI (SAS)、Fibre Channel和PCI Express串口標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用的宏單元，ST的工程師準(zhǔn)備在系統(tǒng)級芯片(SoC)內(nèi)集成這個單元以及其它功能，使驅(qū)動器制造商可以制造銷售一個能夠在多個驅(qū)動器內(nèi)工作的IC，從而降低產(chǎn)品成本。ST目前正在實(shí)施和驗(yàn)證90nm接口的設(shè)計(jì)，為今年下半年系
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韓國海力士半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在中國建立的存儲器芯片制造廠奠基
- 繼2004年11月16日意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）與海力士半導(dǎo)體（Bloomberg: 000660 KS）宣布簽訂合資建廠協(xié)議后，這兩家世界大型半導(dǎo)體公司在中國江蘇省無錫市舉行了存儲器芯片前端制造廠的奠基典禮，來自中韓兩國的國家及省市地區(qū)的高級官員參加了典禮儀式。新的芯片制造廠將制造DRAM存儲器和NAND閃存芯片，這個合資企業(yè)是ST與海力士的成功合作關(guān)系的合理延伸，它將使合資雙方率先進(jìn)入快速增長的中國市場，還將使ST能夠更好地滿足特別是通信和消費(fèi)電子市場領(lǐng)域重要客戶的需求，為他們提供完整的存
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ST研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動器物理層知識產(chǎn)權(quán)芯片
- 意法半導(dǎo)體（ST）研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動器物理層知識產(chǎn)權(quán)芯片 測試結(jié)果顯示新的MIPHY宏單元性能優(yōu)異，新產(chǎn)品將集成到SATA、SAS、Fibre Channel和 PCI Express應(yīng)用的系統(tǒng)級芯片設(shè)計(jì)中 中國， 2005年4月25日 – 意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今天宣布該公司采用90nm制造工藝的（多接口PHY）物理層接口IP（知識產(chǎn)權(quán)）單元研制成功，這是世界上第一個支持串行ATA（SATA）磁盤驅(qū)動器以及Serial Attached SCSI
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2004年串行非易失性存儲器市場的第一大制造商
- 意法半導(dǎo)體（ST）被證實(shí)是 2004年串行非易失性存儲器市場的第一大制造商 Web-Feet最新的非易失性存儲器市場報告顯示， ST是串行EEPROM和串行閃存市場的第一大供應(yīng)商 中國，2005年4月28日 – 工業(yè)分析家Web-Feet研究有限公司證實(shí)，意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）是全球第一大非易失性存儲器（NVM）芯片供應(yīng)商。Web-Fee于2005年3月公布了2004年NVM市場占有率的調(diào)查報告*，該報告顯示ST的市場占有率提高了4.4%，在串行EEPROM制造商排名中居
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賽普拉斯公司被中興通訊公司認(rèn)可為頂尖的SRAM供應(yīng)商
- Cypress憑借其超群的總所有權(quán)成本、產(chǎn)品質(zhì)量、技術(shù)支持和交貨能力而得到了中國領(lǐng)先WAN公司的表彰 2005年5月13日 北京訊 今天，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor)宣布被中國最大的WAN設(shè)備制造商之一、年收入達(dá)40億美元的中興通訊（ZTE）公司評定為SRAM和專用存儲器的首選供應(yīng)商。這一排名是根據(jù)各SRAM銷售商在去年的總體業(yè)績確定的。 據(jù)ZTE稱，影響該排名的因素有很多，包括總所有權(quán)成本、產(chǎn)品質(zhì)量、對ZTE要求
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三星 下半年DRAM供需均衡 面板需求降溫
- 據(jù)外電報道，三星電子周三預(yù)期下半年個人計(jì)算機(jī)用DRAM的供給和需求將達(dá)到平衡，并認(rèn)為2006年LCD面板的需求成長將持續(xù)降溫。 三星在一份呈交南韓證交所的報告中表示，芯片制造商將制程升級至90奈米后，良率問題影響供給成長，加上部份產(chǎn)能挪用生產(chǎn)非DRAM產(chǎn)品，是下半年供需平衡的主因。 但有些分析師更樂觀預(yù)期下半年DRAM的需求會微幅超過供應(yīng)，并帶動價格上揚(yáng)，與其相較，SAMSUNG的看法還較為保守。自今年初以來，DRAM芯片在供給增加及需求疲弱的壓力下，現(xiàn)貨價格已重挫逾40%。多位分析師都預(yù)期第2季
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CL 2.5水平低延遲DDR-2內(nèi)存芯片即將量產(chǎn)
- DDR-2內(nèi)存如我們預(yù)期地目前已開始調(diào)整售價并可在下半年取代DDR內(nèi)存在市場的主流位置，不過DDR-2內(nèi)存眾所周知目前主要的問題也在于其高延遲性（CL 4/5）設(shè)計(jì)而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級的DDR與DDR-2內(nèi)存對比當(dāng)中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來始終還是會得益于其高工作頻率設(shè)定可達(dá)成更高的內(nèi)存帶寬而將取代最高不過667MHz的DDR，無論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現(xiàn)始終是不能有太大的突破，而這個情況
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現(xiàn)代與意法半導(dǎo)體在中國建內(nèi)存芯片廠
- 4月29日消息，韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor）和意法半導(dǎo)體公司本周四在中國江蘇省無錫市舉行了高級內(nèi)存芯片加工廠建設(shè)的破土動工儀式。 韓國時報報道，這個內(nèi)存芯片加工廠是根據(jù)現(xiàn)代半導(dǎo)體和意法半導(dǎo)體去年11月份達(dá)成的合資企業(yè)協(xié)議建設(shè)的。這個合資企業(yè)將在今年年底投入商業(yè)性生產(chǎn)。無錫市在聲明中稱，這個工廠首先使用8英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，然后在2006年晚些時候過渡到12英寸晶圓。這個工廠
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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