存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
基于TMS320C54x的便攜存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動(dòng)存儲(chǔ)終端，終端中使用NAND Flash作為存儲(chǔ)器件。討論了TMS320C54x對(duì)NAND Flash的編程以及接口設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動(dòng)存儲(chǔ)終端包括手機(jī)、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲(chǔ)功能，又需要具備一定的信號(hào)處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計(jì)方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時(shí)，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價(jià)格比的NAND Fla
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為實(shí)現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)
- 按慣例，設(shè)計(jì)人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時(shí)鐘域器件。在需要更高性能時(shí)，設(shè)計(jì)人員通常會(huì)選擇更高的時(shí)鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進(jìn)通信系統(tǒng)的存儲(chǔ)器，這就將工作重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了帶寬，而不是時(shí)鐘頻率。存儲(chǔ)器帶寬的定義為：給定時(shí)間內(nèi)可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲(chǔ)器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲(chǔ)器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計(jì)算出帶寬：帶寬=I/O速度
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高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡的SDRAM控制器設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文對(duì)高速、高精度大容量數(shù)據(jù)采集板卡所采用的SDRAM控制器技術(shù)進(jìn)行了討論，詳細(xì)介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)、命令組合以及設(shè)計(jì)仿真時(shí)序，并將該技術(shù)應(yīng)用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡，最后給出了板卡測(cè)試結(jié)果。關(guān)鍵詞：SDRAM；FPGA；AD9432 引言高速數(shù)據(jù)采集具有系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率高的特點(diǎn)，要求系統(tǒng)在短時(shí)間內(nèi)能夠傳輸并存儲(chǔ)采集結(jié)果。因此，采集數(shù)據(jù)的快速存儲(chǔ)能力和容量是制約加快系統(tǒng)速度和容許采集時(shí)間的主要因素之一。通常用于數(shù)據(jù)采
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半導(dǎo)體分析師認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌將減緩
- 根據(jù)彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團(tuán)旗下半導(dǎo)體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團(tuán)科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評(píng)等調(diào)高，理由是認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌的狀態(tài)將開始減緩。 據(jù)了解，花旗將Infineon和南亞科技的評(píng)等由“持有”調(diào)高至“買進(jìn)”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”，韓國三星電子評(píng)等維持不變?cè)凇俺钟小薄７治鰩熤赋?，價(jià)格可能在下個(gè)月或其后一個(gè)約觸底，而全球
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器
測(cè)量并抑制存儲(chǔ)器件中的軟誤差
- 軟誤差是半導(dǎo)體器件中無法有意再生的“干擾”(即數(shù)據(jù)丟失)。它是由那些不受設(shè)計(jì)師控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統(tǒng)能夠容忍一定程度的軟誤差。例如，如果為音頻、視頻或靜止成像系統(tǒng)設(shè)計(jì)一個(gè)預(yù)壓縮捕獲緩沖器或后置解壓縮重放緩沖器，則一個(gè)偶然出現(xiàn)的缺陷位可能不會(huì)被察覺，而且對(duì)用戶而言也許并不重要。然而，當(dāng)存儲(chǔ)元件在關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中負(fù)責(zé)控制系統(tǒng)的功能時(shí)，軟誤差的不良影響就會(huì)嚴(yán)重得多，不僅會(huì)損壞數(shù)據(jù)，而且還有可能導(dǎo)致功能缺失和關(guān)鍵系統(tǒng)故障。本文將討論產(chǎn)生這些軟誤差的根源、不同的測(cè)量技術(shù)以及抵御
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 存儲(chǔ)器
混合信號(hào)測(cè)試新結(jié)構(gòu)——同步及存儲(chǔ)磁心
- 引言當(dāng)前電子設(shè)計(jì)的趨勢(shì)是復(fù)合功能化以及更廣泛地使用模擬、數(shù)字混合技術(shù)。在設(shè)計(jì)、建模和測(cè)試諸如3G手機(jī)及機(jī)頂盒等混合了視頻、音頻及數(shù)據(jù)信號(hào)的系統(tǒng)時(shí)，需要緊密集成與基頻采樣頻率、失真和觸發(fā)特性相匹配的數(shù)字及模擬數(shù)據(jù)采集和發(fā)生硬件。模擬及數(shù)字儀器不再是具有完全相異的定時(shí)引擎和不匹配模擬性能的獨(dú)立系統(tǒng)。另外，隨著這些具有類似時(shí)鐘的設(shè)備在全球范圍內(nèi)廣泛地制造，產(chǎn)品必須在極寬的溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定性和性能一致性，以便進(jìn)行可靠的、高性能的功能測(cè)試。NI設(shè)計(jì)的同步及存儲(chǔ)磁心(SMC)作為一種針對(duì)高速模塊化儀器的通用結(jié)構(gòu)回應(yīng)
- 關(guān)鍵字： NI 存儲(chǔ)器
2005年4月28日，半導(dǎo)體巨頭在中國建首家存儲(chǔ)器制造廠
- 4月28日，意法半導(dǎo)體(STMicro)與韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體(Hynix)在無錫舉行了奠基典禮，在中國建設(shè)首家存儲(chǔ)器芯片前端制造廠。合資廠計(jì)劃總投資20億美元，將制造DRAM存儲(chǔ)器和NAND閃存芯片。 點(diǎn)評(píng) 與前幾年的建線熱相比，2005年我國IC制造領(lǐng)域冷清了許多。這一方面是受到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)回升緩慢的影響，另一方面也是主流晶圓制造廠商在為下一步的發(fā)展在資金和工藝等方面進(jìn)行積累和蓄勢(shì)。而在集成電路制造業(yè)方面也有一些利好的消息，有媒體報(bào)道稱，臺(tái)灣廠商在祖國大陸投資建設(shè)晶圓廠的限制將進(jìn)一步放寬，
- 關(guān)鍵字： ST 存儲(chǔ)器 Hynix
用FPGA技術(shù)實(shí)現(xiàn)某新型通信設(shè)備中PCM碼流處理
- 摘 要：本文根據(jù)FPGA器件的特點(diǎn)，介紹了應(yīng)用FPGA設(shè)計(jì)某通信設(shè)備中PCM碼流處理模塊的一種方案。并就設(shè)計(jì)中遇到的問題進(jìn)行了分析。關(guān)鍵詞：FPGA；RAM引言由于FPGA器件可實(shí)現(xiàn)所有數(shù)字電路功能 ，具有結(jié)構(gòu)靈活、設(shè)計(jì)周期短、硬件密度高和性能好等優(yōu)點(diǎn)，在高速信號(hào)處理領(lǐng)域顯示出愈來愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技術(shù)對(duì)PCM碼流進(jìn)行處理的實(shí)現(xiàn)方法。變換后的數(shù)據(jù)寫入RAM，與DSP配合可完成復(fù)雜的信號(hào)處理功能。設(shè)計(jì)方案某新型通信設(shè)備中，在完成調(diào)度功能的板子上，需要進(jìn)行
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威剛崛起 04全球獨(dú)立內(nèi)存模組廠排名
- 市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)iSuppli日前公布了2004年全球獨(dú)立（第三方）內(nèi)存模組廠排名，金士頓（Kingston）繼續(xù)蟬聯(lián)寶座，我國臺(tái)灣省的威剛（A-DATA）迅速崛起，以91％的營業(yè)額成長率超越美光（Micron）旗下獨(dú)立內(nèi)存模組廠Crucial Technology，成為全球第三大模組廠，今年更有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)亞軍地位。 在iSuppli公布的2004年全球獨(dú)立內(nèi)存模組廠排名中，前10位的依次為：金士頓、Modular&
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SyncFlash存儲(chǔ)器在ARM嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 摘 要：本文在簡要介紹SyncFlash(同步Flash)存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)上，著重?cái)⑹隽薙yncFlash在基于ARM體系微處理器的嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，并介紹了采用SyncFlash設(shè)計(jì)嵌入系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)。關(guān)鍵詞：SyncFlash；SDRAM；ARM微處理器；嵌入式系統(tǒng) 隨著嵌入式處理器的迅速發(fā)展，32位RISC處理器的應(yīng)用越來越廣泛，許多基于ARM核的微處理器都集成了SDRAM控制器。應(yīng)用系統(tǒng)中一般都是采用SDRAM存儲(chǔ)器作內(nèi)存、NOR Flash作程序存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： ARM微處理器 SDRAM SyncFlash 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器
適用于高密度、低功耗應(yīng)用的新型存儲(chǔ)器
- 為了滿足用戶對(duì)手機(jī)更多服務(wù)的需求，服務(wù)提供商不斷推陳出新，促使僅具通話功能的傳統(tǒng)手機(jī)向同時(shí)具有語音和數(shù)據(jù)功能的新型手機(jī)轉(zhuǎn)換。向數(shù)據(jù)通信功能的轉(zhuǎn)變將直接影響手機(jī)中的硬件結(jié)構(gòu)。目前，2.5G 和3G手機(jī)已經(jīng)能夠提供更多的功能，諸如SMS(短信息服務(wù))、MMS(多媒體信息服務(wù))、圖象傳送、音頻/視頻流和因特網(wǎng)接入等。隨著密度更高、能耗更低、吞吐量更大的存儲(chǔ)器的涌現(xiàn)，應(yīng)用在手機(jī)上的存儲(chǔ)器也隨之變化。對(duì)數(shù)據(jù)處理容量需求的增大，使得現(xiàn)有的基帶控制器和存儲(chǔ)器難以滿足要求。除此之外，電池的使用壽命是移動(dòng)電話當(dāng)中的一個(gè)更為
- 關(guān)鍵字： Cypress 存儲(chǔ)器
支持高性能應(yīng)用的SRAM
- SRAM一直是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的重要組成部分，它可提高帶寬，從而在許多高性能應(yīng)用中起著主導(dǎo)作用。這些應(yīng)用包括無總線時(shí)延 (NoBL)和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 等。就系統(tǒng)資源及內(nèi)存帶寬要求而論，分組處理對(duì)內(nèi)存帶寬的要求最高。分組處理塊內(nèi)部的多個(gè)功能以及其它存儲(chǔ)功能要求采用不同的 SRAM 架構(gòu)。因此需要采用支持 SRAM 的新型協(xié)議及架構(gòu)，以滿足這些網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的需求。本文重點(diǎn)介紹針對(duì)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供的高級(jí) SRAM 架構(gòu)。此外，還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構(gòu)的各種應(yīng)用以及促使用戶選擇 SRAM 的標(biāo)準(zhǔn)。 網(wǎng)
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲(chǔ)器電路
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