存儲器 文章 進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)
ADSP-21062與工控機(jī)數(shù)據(jù)交換電路設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文根據(jù)系統(tǒng)需要，在信號處理機(jī)和工控機(jī)之間使用雙口SRAM，利用ADSP-21062的可編程FLAG引腳控制雙口SRAM的左右端口高位地址，設(shè)計(jì)了高速數(shù)據(jù)交換電路。關(guān)鍵詞：PC104；雙口SRAM；數(shù)據(jù)交換；CPLD ADSP-21062是ADI公司的通用DSP芯片，它具有強(qiáng)大的浮點(diǎn)/定點(diǎn)數(shù)據(jù)運(yùn)算能力和很高的處理速度。多片ADSP-21062可以以多種形式方便地聯(lián)結(jié)成并行處理器系統(tǒng)，適合進(jìn)行實(shí)時數(shù)據(jù)采集和處理。本文利用多片ADSP-21062設(shè)計(jì)了連續(xù)波雷達(dá)信
- 關(guān)鍵字： CPLD PC104 數(shù)據(jù)交換 雙口SRAM 存儲器
DDR2—新主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)
- 目前PC市場，主要使用的內(nèi)存是DDR1， 其中以DDR333和 DDR400為最主流的產(chǎn)品。預(yù)期在今年年中時，DDR2 的內(nèi)存將被使用在服務(wù)器、工作站以及PC市場中(見圖1)。英特爾公司和英飛凌等DRAM內(nèi)存的主要供應(yīng)商將成為DDR2技術(shù)的主要推動者，這種轉(zhuǎn)變主要是為了適應(yīng)更高速度的需求，而且DDR2是一項(xiàng)開放式的標(biāo)準(zhǔn)。DDR2的主要優(yōu)點(diǎn)包括更高的頻寬、更低的功率消耗，以及服務(wù)器在更高速運(yùn)作時有較好的系統(tǒng)邊際效能。自2002年開始，幾乎所有的PC、便攜式計(jì)算機(jī)以及服務(wù)器都采用了雙數(shù)據(jù)傳輸率(DDR)DRA
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 存儲器
300mm線建設(shè)今年掀高潮
- 2005年3月A版 盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降，但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測，當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線，比2003和2004年所建線加在一起還多。 2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線，其回報(bào)在2001年經(jīng)濟(jì)衰退中受到嚴(yán)重打擊，可執(zhí)著堅(jiān)持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報(bào)。
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
ST推出內(nèi)置DRAM存儲器的高度集成的可重新配置的微控制器
- 2005年3月9日意法半導(dǎo)體日前公布了一款針對無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備開發(fā)的多用途微控制器的細(xì)節(jié)。這個代號為“GreenFIELD”、產(chǎn)品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內(nèi)存、eFPGA（嵌入式現(xiàn)場可編程邏輯門陣列）模塊以及各種模擬和數(shù)字外設(shè)。GreenFIELD-STW21000是ST無線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統(tǒng)芯片產(chǎn)品。 &nbs
- 關(guān)鍵字： ST 存儲器
IDC：全球存儲軟件市場Q4收入同比增長15%
- 東緣 編譯 天極網(wǎng)3月15日消息 據(jù)外電報(bào)道，市場研究公司IDC最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，2004年第四季度全球存儲軟件市場的銷售收入達(dá)到了22億美元，同比增長了15%。 IDC的報(bào)告稱，2004年全年全球存儲軟件市場的銷售收入為79億美元，比2003年增長了16.1%。2004年全球存儲軟件市場新增加了10億多美元的收入?！ DC分析師稱，全球存儲軟件市場以完美的結(jié)局結(jié)束了2004年的經(jīng)營，繼續(xù)了兩位數(shù)增長的勢頭。企業(yè)日益增加對數(shù)據(jù)保護(hù)和管理的投資以及增強(qiáng)了對遵守?cái)?shù)據(jù)保護(hù)規(guī)定的理解是推動存儲軟件
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04年全球磁盤存儲銷售增長3% 半導(dǎo)體市場復(fù)蘇
- 作者： 英寧 【eNews消息】市場調(diào)研公司IDC日前公布的有關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2004年第四季度全球磁盤存儲系統(tǒng)(disk storage system)市場達(dá)到58.4億美元，僅比2003年第四季度增長1.8%。2004年全年總體磁盤存儲市場從202億美元增長到208億美元，增長3.2%。 惠普仍是全球最大的磁盤存儲子系統(tǒng)供應(yīng)商，第四季度的市場份額為24.2%，銷售額為14億美元。IBM的銷售額為13億美元，EMC Co
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全球的DRAM戰(zhàn)不可避免
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，中國臺灣的力晶、茂德、南亞及華邦四家DRAM大廠，為與韓國Samsung及日本Elpida等抗?fàn)?，最近決定再投入100億美元進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。全球DRAM的現(xiàn)狀2003年全球DRAM的銷售額為174.5億美元，占全球半導(dǎo)體消費(fèi)的10.6%。2003年全球DRAM排名如表1所示。其中1~4名占據(jù)78.9%，反映DRAM市場的壟斷地位。DRAM是“吞金獸”自70年代初發(fā)明CMOS技術(shù)以來，半導(dǎo)體工業(yè)從理論上己無多大突破，所以就非常明顯的依賴制造技術(shù)。在摩爾定律指引下，半導(dǎo)體工業(yè)的進(jìn)步，除了技術(shù)及材
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MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文提出了一種在MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設(shè)計(jì)，并巧妙地利用了一種新穎的填充方法,使得程序執(zhí)行的效率大幅度提高。關(guān)鍵詞：SDRAM；MPEG-4；填充 引言圖像處理系統(tǒng)都需要用到容量大、讀寫速度高的存儲介質(zhì)。SRAM操作簡單，但其昂貴的價格會使產(chǎn)品成本上升。相比較而言，SDRAM的控制較RAM復(fù)雜，但具有價格便宜、體積小、速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn),所以從降低成本的角度出發(fā)，本文采用SDRAM實(shí)現(xiàn)MPEG-4 SP(Simple Profile)級解
- 關(guān)鍵字： MPEG-4 SDRAM 填充 存儲器
基于PCI總線的實(shí)時DVB碼流接收系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文介紹了基于PCI專用芯片PCI9054和CPLD的DVB碼流接收系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)采用了PCI9054+CPLD的數(shù)字處理方案，并采用一種新的方法更高效地利用雙端口RAM，保證了高速、大容量數(shù)據(jù)流的實(shí)時處理。關(guān)鍵詞：DVB；PCI；CPLD；雙端口RAM；WDM模式 前言通過PC接收DVB(數(shù)字視頻廣播)碼流已成為一項(xiàng)新的多媒體數(shù)據(jù)接收技術(shù)。因此，設(shè)計(jì)基于PC平臺的DVB碼流接收卡，是數(shù)字廣播電視發(fā)展的需要。由于DVB傳輸流的平均傳輸速率為6
- 關(guān)鍵字： CPLD DVB PCI WDM模式 雙端口RAM 存儲器
基于FPGA的非對稱同步FIFO設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文在分析了非對稱同步FIFO的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及其設(shè)計(jì)難點(diǎn)的基礎(chǔ)上，采用VHDL描述語言，并結(jié)合FPGA，實(shí)現(xiàn)了一種非對稱同步FIFO的設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：非對稱同步FIFO；VHDL；FPGA；DLL；BlockRAM引言FIFO是一種常用于數(shù)據(jù)緩存的電路器件，可應(yīng)用于包括高速數(shù)據(jù)采集、多處理器接口和通信中的高速緩沖等各種領(lǐng)域。然而在某些應(yīng)用，例如在某數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)中，需要通過同步FIFO來連接8位A/D和16位數(shù)據(jù)總線的MCU，但是由于目前同步FIFO器件的輸入與輸
- 關(guān)鍵字： BlockRAM DLL FPGA VHDL 非對稱同步FIFO 存儲器
LSI邏輯 SAS設(shè)計(jì)方案使其在存儲技術(shù)轉(zhuǎn)型中繼續(xù)保持領(lǐng)先地位
- LSI邏輯公司于2005年1月24日宣布，全球五大服務(wù)器生產(chǎn)商中有四家已成功地選用LSI邏輯的SAS設(shè)計(jì)方案，并準(zhǔn)備推出第一代SAS企業(yè)級平臺，他們將使用LSI邏輯上SAS設(shè)計(jì)方案中的控制器IC、HBA、MegaRAID® 存儲適配器等。SAS設(shè)計(jì)方案的成功將使LSI邏輯繼續(xù)保持其在存儲市場中的領(lǐng)先地位，目前LSI邏輯已開始批量供應(yīng)其4端口、8端口SAS 控制器IC和SASx12擴(kuò)展器。 這些設(shè)計(jì)方案的成功進(jìn)一步印證了LSI邏輯存儲技術(shù)的領(lǐng)先地位、率先向市場（first-to-marke
- 關(guān)鍵字： LSI邏輯 存儲器
瑞薩科技的superAND閃存存儲器驅(qū)動器軟件與Symbian操作系統(tǒng)兼容
- 瑞薩科技加入Symbian同盟技術(shù)計(jì)劃 倫敦和東京，2005年1月19日－今天瑞薩科技公司宣布，瑞薩科技的superAND閃存存儲器使用的驅(qū)動器軟件，將包括在Symbian OS™的發(fā)貨中，提供給Symbian 操作系統(tǒng)許可使用商。通過Symbian同盟技術(shù)計(jì)劃，瑞薩科技將為使用Symbian操作系統(tǒng)生產(chǎn)智能電話的手機(jī)生產(chǎn)商提供簡單、低風(fēng)險的機(jī)制，以評估其電話中使用的superAND閃存存儲器。通過授權(quán)許可使用，世界領(lǐng)先的移動電話生產(chǎn)商可以使用Symbian OS™。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 存儲器 存儲器
新一代存儲器發(fā)展動向
- 2004年9月A版 在下一代存儲器的開發(fā)中，強(qiáng)電介質(zhì)存儲器MRAM(磁膜RAM)、OUM(雙向一致存儲器)是最有力的修補(bǔ)者，多家公司都進(jìn)行產(chǎn)品化。不過各家公司的產(chǎn)品戰(zhàn)略有所不同，其產(chǎn)品或邏輯電路與強(qiáng)電介質(zhì)存儲器結(jié)合而成系統(tǒng)LSI，或做成替代EEPROM、內(nèi)存及DRAM的單個存儲器。 強(qiáng)電介質(zhì)存儲器(FERAM/FRAM)為非易失性存儲器，除了象DRAM及SRAM一樣無需數(shù)據(jù)保持電源外，比起同樣非易失的閃速存儲器及EEPROM來，在寫入時間、寫入電壓、耐改寫性(寫入次數(shù))、數(shù)據(jù)保存時間方面也十分
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲器電路
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