存儲器 文章 進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)
Intel揮軍存儲器為自保、產(chǎn)量不致打亂市場供需？
- 英特爾(Intel)進(jìn)攻存儲器，將斥資改造大連廠，外界對此議論紛紛，擔(dān)心美光將受威脅，NAND flash恐會(huì)供過于求，不過有分析師認(rèn)為，英特爾此舉是是為了自保，產(chǎn)量不會(huì)大到?jīng)_擊市場。 巴倫(Barronˋs)財(cái)經(jīng)網(wǎng)站23日報(bào)導(dǎo)，富國銀行(Wells Fargo)分析師David Wong表示，英特爾和美光(Micron)合力發(fā)展的新存儲器技術(shù)“3D Xpoint”將是大連廠的生產(chǎn)重心，英特爾可從中獲利，但不會(huì)成為NAND flash的主要生產(chǎn)商，預(yù)料存儲器僅占該公司整體
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阻變存儲器：中國企業(yè)如何“存儲”專利實(shí)力？
- 98%的存儲系統(tǒng)采用國外產(chǎn)品，同時(shí)，高端存儲系統(tǒng)的核心技術(shù)大都被國外存儲廠商壟斷，這給國家信息安全帶來了較大的安全隱患，突破國外廠商的壟斷，研發(fā)出擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端存儲技術(shù)已迫在眉睫。
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非易失性光存儲器，利用相變材料實(shí)現(xiàn)
- 首次實(shí)現(xiàn)了非易失性光存儲器，革命性的技術(shù)帶來存儲領(lǐng)域的新世界。
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大陸景氣低迷 韓國存儲器廠前景恐難卜
- 雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減，2016年移動(dòng)DRAM價(jià)格可能下滑，2016年前景反而不透明。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會(huì)與當(dāng)初預(yù)期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時(shí)不會(huì)有太大影響。 三星下半年IT及移動(dòng)裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統(tǒng)晶
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服務(wù)器用存儲器價(jià)格續(xù)跌 幅度可望收斂
- 受到全球經(jīng)濟(jì)狀況疲弱，且匯率波動(dòng)劇烈影響，企業(yè)用伺服器品牌出貨呈現(xiàn)停滯、甚至衰退情況，加上整體DRAM需求不彰，導(dǎo)致伺服器用記憶體價(jià)格持續(xù)滑落。根據(jù)TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，DDR4 R-DIMM均價(jià)截至8月底為止，跌幅高達(dá)15%，而低價(jià)預(yù)期最快將于第三季底與DDR3達(dá)到平價(jià)，可望增加伺服器升級至英特爾(Intel) Grantley平臺的需求。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，受惠于DDR4跌價(jià)促進(jìn)的平臺升級需求，近期幾家前端晶片供應(yīng)
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存儲器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應(yīng)？
- 經(jīng)過幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個(gè)線性系統(tǒng)，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現(xiàn)松動(dòng)，越來越多新技術(shù)開始浮上臺面。這些技術(shù)不僅僅是既有技術(shù)的改進(jìn)，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術(shù)轉(zhuǎn)型成為非線性系統(tǒng)，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。 存儲器技術(shù)近年的發(fā)展，可能就此改變存儲器與處理技術(shù)在1940年代便已確立的關(guān)系。連續(xù)存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰(zhàn)，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。 即使在對稱多處理系統(tǒng)中，存儲器的配置仍多是
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大話存儲器——存儲器無處不在
- 特權(quán)同學(xué)對存儲器的認(rèn)識也許還很膚淺，但是不要緊，學(xué)習(xí)靠積累，靠總結(jié)。希望在大話存儲器的一些文章里總結(jié)歸納一些和存儲器相關(guān)的知識，也希望能夠理出一條清晰的思路，讓大家也讓我自己對存儲器有更深入的認(rèn)識何了解。 提到存儲器相信沒有人會(huì)陌生，也許你的第一反應(yīng)會(huì)是PC機(jī)的內(nèi)存條、硬盤，如果你是個(gè)電子行業(yè)的學(xué)生或者從業(yè)者，你也許還會(huì)想到FLASH、SRAM、SDRAM、EEPROM等等。的確，信息時(shí)代的存儲器可謂無處不在，也正是因?yàn)橛辛舜鎯ζ鳎抛層?jì)算機(jī)(特權(quán)同學(xué)認(rèn)為這個(gè)計(jì)算機(jī)的概念不僅僅是電腦，嵌入式的任
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三星新快閃存儲器技術(shù) 提升手機(jī)儲存容量
- 三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術(shù)打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機(jī)儲存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同時(shí)，藉由新技術(shù)投入將可提升約40%產(chǎn)能，并且將能以此提供價(jià)格更具實(shí)惠的快閃記憶體模組，預(yù)計(jì)最快在今年下半年間至明年初即可應(yīng)用在實(shí)際市售產(chǎn)品。 根據(jù)三星公布消息，確定將在今年下半年內(nèi)投入第三代V-NAND技術(shù)，藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，進(jìn)而提升手機(jī)
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英特爾和美光明年量產(chǎn)新一代非易失性存儲器
- 英特爾和美光科技于2015年7月28日發(fā)布了“3D XPoint技術(shù)”，英特爾稱其為“自1989年NAND閃存問世以來，內(nèi)存技術(shù)時(shí)隔25年多取得的新突破”。兩家公司還利用該技術(shù)開發(fā)出了NAND閃存中比較普遍的容量為128GB的芯片。 設(shè)想應(yīng)用于需要快速處理大量數(shù)據(jù)的領(lǐng)域。例如采用8K超高精細(xì)影像的游戲、面部識別及語音識別等圖案匹配、基因分析等。 兩家公司將于2015年底向特定客戶供應(yīng)樣品，2016年正式開始銷售。 訪問時(shí)間與DRAM相當(dāng)
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數(shù)據(jù)中心、存儲器和IoT占英特爾總利潤7成
- 英特爾2015年第二季度(4～6月)的財(cái)報(bào)顯示，其銷售額為同比減少5%的131.95億美元，營業(yè)利潤為同比減少25%的28.96億美元。該公司CEO布萊恩·柯贊尼奇(Brian Krzanich)就本季度的業(yè)績表示，“營業(yè)利潤的70%來自數(shù)據(jù)中心、存儲器和IoT，彌補(bǔ)了形勢嚴(yán)峻的個(gè)人電腦領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。顯示出了本公司業(yè)務(wù)構(gòu)成的變化”。 從業(yè)務(wù)部門來看，客戶端計(jì)算業(yè)務(wù)的銷售額為同比減少14%的75.37億美元，營業(yè)利潤為同比減少38%的16.02億美元。面向平板電
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海力士高頻寬存儲器封裝揭密
- 過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 圖1顯示四個(gè)DRAM晶片與一個(gè)邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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TMS320C6678存儲器訪問性能 （下）
- 1. DMA訪問存儲器的性能 EDMA3架構(gòu)支持很多功能，可以實(shí)現(xiàn)高效的并行數(shù)據(jù)傳輸。本節(jié)討論影響它性能的很多因素，如存儲器類型，地址偏移等。 1.1 DMA傳輸?shù)念~外開銷 一般的傳輸時(shí)延被定義為EDMA被觸發(fā)到真正的數(shù)據(jù)傳輸開始的時(shí)間。由于數(shù)據(jù)傳輸開始的時(shí)間無法用簡單的方法測量，所以我們用最小數(shù)據(jù)單元的傳輸完成時(shí)間來代表DMA傳輸?shù)臅r(shí)延或額外開銷。根據(jù)不同源/目的地址的組合，這個(gè)值會(huì)有所不同。表4列出了在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上測得的從
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TMS320C6678存儲器訪問性能（上）
- 摘要 TMS320C6678 有8 個(gè)C66x核，典型速度是1GHz，每個(gè)核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM和512KB LL2 SRAM;所有 DSP核共享4MB SL2 SRAM。一個(gè)64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口可以支持8GB外部擴(kuò)展存儲器。 存儲器訪問性能對DSP上運(yùn)行的軟件是非常關(guān)鍵的。在C6678 DSP上，所有的主模塊，包括多個(gè)DSP核和多個(gè)DMA都可以訪問所有的存儲器。 每個(gè)DSP核每個(gè)時(shí)鐘周期都可以執(zhí)行最多128 b
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲器電路
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