國內大力扶持存儲,各種巨額的投資項目爭議不小,但是為了存儲自主的未來,也值。
關鍵字:
存儲器 3D NAND
中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務,這一點當然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時才能實現這一愿景卻仍舊是個跡,日本的幾位半導體行業(yè)知情人士在接受采訪時指出。
中國國家集成電路產業(yè)投資基金擁有雄厚的財力,而這筆由地方政府主導的經濟資源將被用于幫助中國的“記憶體夢”一步步成為現實。
不過拋開主觀愿望,中國要想真正建立屬于自己的記憶體產業(yè),還需要可靠的知識產權來源與工程技術人才。
中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠,旨在制造3D NAND閃存記憶體
關鍵字:
存儲器
在國家意志的推動下,中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主,完全可以在沒有后顧之憂的情況下,砸出工藝,暴出產能,在如此力度的政策、資金扶持下,武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產業(yè)的逆襲么?
關鍵字:
存儲器 NAND
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程,目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片,初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品,代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產業(yè)的態(tài)勢下,將開始進入新的里程碑。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出,現階段武漢新芯主要以生產NOR Flash為主,月產能約為2萬片左右,在NAND Flash產業(yè)也展現強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
關鍵字:
NAND 存儲器
中國正在打造世界級半導體產業(yè),砸240億美元巨資,以“國家隊”力量來“彎道超車”!用錢可以砸出來國家隊,但是技術還得靠自己。
關鍵字:
新芯 存儲器
今天微信朋友圈被刷屏,原因只有一個:投資240億美元的武漢新芯NAND Flash項目正式啟動。
自從國家頒布集成電路產業(yè)扶植政策,投資存儲器風潮開始風起云涌,不僅攪得臺灣業(yè)界混亂不堪,也讓全世界為之矚目。
雖然國外同行大都對大陸投入巨資發(fā)展存儲器產業(yè)持懷疑態(tài)度,眾多本土地方領導、業(yè)界高管、專家甚至媒體卻一致贊成,好像只要有錢,大陸發(fā)展存儲器產業(yè)唾手可得。
合肥請來前爾必達CEO要做存儲器,廈門請來前爾必達CTO要做存儲器(目前廈門已經放棄),紫光雖然放棄入股西部數據,從入股力成、南
關鍵字:
存儲器 集成電路
3月28日,總投資240億美元(約1600億人民幣)的存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式啟動?! ∵@是國家發(fā)展集成電路產業(yè)的重大戰(zhàn)略部署。2014年,國家頒布實施《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進剛要(2015-2025)》,制訂了今后10年發(fā)展集成電路產業(yè)戰(zhàn)略部署,同期成立國家集成電路產業(yè)領導小組和國家集成電路產業(yè)投資基金。2015年發(fā)展存儲器上升為國家戰(zhàn)略。 據介紹,這一存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲器產品設計、技術研發(fā)、晶圓生產于測試、銷售于一體。 存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片。該項
關鍵字:
集成電路 存儲器
“他山之石可以攻玉。”借鑒日韓以及我國臺灣地區(qū)的經驗,可以更好地探索出一條適宜中國大陸當前發(fā)展存儲產業(yè)的路徑——抓住重大技術變革機遇期,在打造龍頭骨干IDM企業(yè)的同時,也不應放松存儲業(yè)生態(tài)集群的培育。
產業(yè)面臨技術革新機遇
過去30余年中,全球存儲器產業(yè)經歷了兩次區(qū)域性的產業(yè)轉移:20世紀80年代存儲產業(yè)重心從歐美國家轉移到日本,90年代從日本轉移到韓國。
目前,從事DRAM生產開發(fā)的企業(yè)不下40家,但是這個行業(yè)一直都處于不斷兼并重組之
關鍵字:
IDM 存儲器
北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司是SPI NOR FLASH領域全球主流的Fabless供應商。公司成立于2005年4月,總部設于中國北京,在中國大陸與臺灣地區(qū)、韓國、美國、英國、日本等多個國家和地區(qū)設有分支機構,營銷網絡遍布全球,提供優(yōu)質便捷的本地化支持服務。公司致力于各類高速和低功耗存儲器(NOR/NAND Flash)、微控制器(MCU)系列產品的設計研發(fā),并以“高技術、低功耗、優(yōu)成本”的特性領先于全球同類產品,被美國EETimes機構評選為全球最熱門半導體初創(chuàng)公司60強,并
關鍵字:
兆易創(chuàng)新 存儲器
俄羅斯的科學家開發(fā)出一種超導記憶體單元的控制系統(tǒng),只需不到1奈秒(ns)的時間,就能實現較當今所用的類似記憶體更快幾百倍的讀取與寫入速度。
來自莫斯科物理技術學院(MIPT)與莫斯科國立大學(Moscow State Univeristy)的科學家在最近一期的《應用物理快報》(Applied Physics Letters)中發(fā)表這項研究成果。
這項理論性的研究成果預測在復雜的Josephson Junction超導元件中存在雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)。建置這種元件可能需要進行超冷卻作業(yè),使其無法真正落實
關鍵字:
存儲器
三星半導體事業(yè)也有潛在危機,比如大客戶蘋果轉投臺積電,然而三星的策略就是以對手跟不上的高附加價值產品克服困境。
關鍵字:
存儲器 三星
記憶體產業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今,透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM),可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題
遺憾的是,實際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟,似乎總是還得再等三年之久。如今,荷蘭愛因霍芬科技大學(Eindhoven University of Technolo
關鍵字:
MRAM 存儲器
日經新聞報導,SK海力士周一宣布,將砸15.5兆韓元(125億美元),再蓋一座新存儲器工廠。
新廠選址在南韓忠清南道省北部,與原海力士舊廠比鄰。據日經新聞報導,海力士已取得25萬平方公尺的土地面積,并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU),新廠預計將在2018年正式動工、2019年投產。
新廠確切的產品目前還不清楚,不過海力士某官員暗示應該為NAND存儲器,若新廠全部投入生產NAND存儲器,海力士現有NAND存儲器產能將擴增超過兩倍。
此外,海力士亦宣布已開始在現有的清州廠量產先進的3
關鍵字:
SK海力士 存儲器
256GB的UFS 2.0記憶體可用來存放47部高畫質電影,還可流暢地播放Ultra HD影片
?
你想要內建容量高達256GB的智慧型手機嗎?三星電子(Samsung Electronics)周四(2/25)宣布已開始量產全球首款基于Universal Flash Storage(UFS)2.0的256GB嵌入式記憶體,將可應用在新一代的高階智慧型手機。
目前全球高階智慧型手機的內建儲存容量最高都只到128GB,例如蘋果的iPhone 6s/6s Plus或三星的
關鍵字:
三星 存儲器
嵌入式系統(tǒng)的性能取決于其軟硬件能力。一個編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類似,無論軟件設計多么合理,低效的硬件都可能影響系統(tǒng)性能?! 凳陙?,傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的結構一直沒有改變。圖1顯示了一個典型嵌入式系統(tǒng)的框圖。一個微控制器和一個微處理器位于系統(tǒng)的核心。按照具體應用,系統(tǒng)設計人員可根據需要刪減接口和外設。如果控制器的內置存儲器不足,就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言,閃存用于存儲控制器執(zhí)行的代碼,而SRAM用于存儲運行時臨時變量和保存重要的應用數據塊
關鍵字:
SRAM 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數據。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473