存儲器 文章 進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)
賽普拉斯公司與InPhase Technologies公司合作開發(fā)全息數(shù)據(jù)存儲驅(qū)動器
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布，該公司正在與全息數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的全球領(lǐng)先者InPhase Technologies公司合作，為InPhase的Tapestry™全息數(shù)據(jù)貯存系統(tǒng)供應(yīng)CMOS圖像傳感器解決方案。 賽普拉斯和InPhase自2005年以來一直在合作開發(fā)一種超靈敏和超高速的CMOS圖像傳感器，以滿足InPhase的Tapestry驅(qū)動器所記錄數(shù)據(jù)的高速讀取要求。這款賽普拉斯的C
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6月連續(xù)下滑后 DRAM也將揚眉吐氣
- 從國外媒體處獲悉：在看到6月DRAM和約價格連續(xù)下滑的終結(jié)后，業(yè)內(nèi)商家對近期內(nèi)存價格的上漲趨勢表示樂觀，原因是PC OEM制造商正在積極地力推更高的內(nèi)存容量。 內(nèi)存交易企業(yè)DRAMeXchange看到，那些在季節(jié)上漲前不斷調(diào)高庫存的PC OEM制造商將逐步刺激需求。該機構(gòu)估計，7月DRAM內(nèi)存的平均銷售價格將在持續(xù)上漲基礎(chǔ)上至少增加10%。 包括戴爾和惠普在內(nèi)的這類PC OEM制造商也在為價格上漲趨勢增磚填土。有消息來源稱，在第三和第四季度中，
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奇夢達(dá)推出四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組
- 奇夢達(dá)公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組（FB-DIMM），該模組技術(shù)是推動下一代多核服務(wù)器性能的重要技術(shù)，同時還可降低服務(wù)器的功耗。這些領(lǐng)先的FB-DIMM模組進(jìn)一步壯大了奇夢達(dá)本已非常廣博的產(chǎn)品陣容，可更好地滿足服務(wù)器和高性能計算機工作站應(yīng)用日益增長的要求。 奇夢達(dá)的新款FB-DIMM模組的速率最快可達(dá)800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時候面市的下
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賽普拉斯與InPhase Technologies合作開發(fā)全息數(shù)據(jù)存儲驅(qū)動器
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，該公司正在與全息數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的全球領(lǐng)先者InPhase Technologies公司合作，為InPhase的Tapestry™全息數(shù)據(jù)貯存系統(tǒng)供應(yīng)CMOS圖像傳感器解決方案。 賽普拉斯和InPhase自2005年以來一直在合作開發(fā)一種超靈敏和超高速的CMOS圖像傳感器，以滿足InPhase的Tapestry驅(qū)動器所記錄數(shù)據(jù)的高速讀取要求。這款賽普拉斯的CMOS圖像傳感器包含了一個數(shù)字接口，共有1696 X 1710個像素，像素間距8微米的。這款圖像傳感器
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Keil C動態(tài)內(nèi)存管理機制分析及改進(jìn)
- Keil C是常用的嵌入式系統(tǒng)編程工具，它通過init_mempool、mallloe、free等函數(shù)，提供了動態(tài)存儲管理等功能。本文通過對init_mempool、mallloe和free這3個KeilC庫函數(shù)源代碼的分析，揭示其實現(xiàn)的原理和方法，并對其中的不足作了改進(jìn)，以使Keil C編程人員更好地應(yīng)用動態(tài)存儲管理。 1 相關(guān)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、變量及說明 在Keil C安裝目錄下的＼c5l＼lib目錄下，有實現(xiàn)init_mempool、mallloe和free這3個函數(shù)的C源文件init_me
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RadioFrame獲授權(quán)采用CEVA-X DSP內(nèi)核及子系統(tǒng)無線基站
- CEVA宣布授權(quán)RadioFrame Networks公司使用CEVA-X1620 DSP 內(nèi)核 和 CEVA-XS1200 子系統(tǒng)來開發(fā)其下一代毫微微蜂窩式 (femtocell) 基站。RadioFrame Networks是移動和無線市場以IP為基礎(chǔ)的微微蜂窩式 (picocell) 和毫微微蜂窩式解決方案的領(lǐng)先廠商。 毫微微蜂窩式基站的部署可以提高
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ConnectX：新型服務(wù)器和存儲應(yīng)用適配卡架構(gòu)
- 隨著實際應(yīng)用對性能要求的不斷提高，越來越多的集群服務(wù)器采用了多核處理器。連接這些服務(wù)器并使它們的性能得到最大提升的需求,使傳統(tǒng)的I/O連通技術(shù)面臨巨大的挑戰(zhàn)。當(dāng)前的解決方案一般包含多種互連技術(shù)及針對數(shù)據(jù)庫、存儲、管理應(yīng)用的軟件，但這些傳統(tǒng)的解決方案并不適用于將來的服務(wù)器和存儲網(wǎng)絡(luò)。Mellanox公司的ConnectX架構(gòu)沿用了Infiniband技術(shù)，并在當(dāng)中集成了以太網(wǎng)技術(shù)。它的以太網(wǎng)性能符合IEEE工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，兼容早期的集群、計算、存儲和網(wǎng)絡(luò)接口應(yīng)用。目前，在國內(nèi)由石竹科技代理其產(chǎn)品。ConnectX
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KLA-Tencor發(fā)布最新存儲和邏輯器件明場檢測系統(tǒng)
- KLA-Tencor推出 28xx 明場檢測平臺的最新成員 2810 和 2815。通過特殊的光學(xué)配置，它們能有效地應(yīng)對亞 55 納米存儲器件和亞 45 納米邏輯器件生產(chǎn)中所面臨的獨特缺陷檢測挑戰(zhàn)。無論是適合存儲器件缺陷檢測的 2810 系統(tǒng)，還是適合邏輯器件檢測的 2815 系統(tǒng)，都依靠 KLA-Tencor 業(yè)界領(lǐng)先的全光譜光源技術(shù)以捕獲最廣泛的缺陷類型
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QuickLogic利用閃存卡主控制器擴展存儲解決方案產(chǎn)品線
- QuickLogic® 公司為其針對移動設(shè)備的集成可編程連接解決方案再添新產(chǎn)品。該公司發(fā)布完整的閃存卡(Compact Flash) 主控制器，將使設(shè)計人員可以簡單采用這一通用存儲技術(shù)。 閃存卡于1994 年首次發(fā)表，最初是作為閃存數(shù)據(jù)卡存儲接口推出的。隨著時間的推移，它已得到了加強，可以支持微型硬盤驅(qū)動器，以及諸如Wi-Fi、全球定位系統(tǒng)（GPS）和掃描儀模塊等外圍設(shè)備。雖然安全數(shù)字(SD)卡因其更簡單的接口而獲得了廣泛采用，但是閃存卡仍然是企業(yè)PDA、便
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瑞薩松下開發(fā)45nm傳統(tǒng)CMOS片上SRAM技術(shù)
- 瑞薩科技公司與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布共同開發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作的技術(shù)，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級芯片）器件和微處理器（MPU）當(dāng)中。采用這種技術(shù)的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經(jīng)得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設(shè)計，一個
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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功
- 日前，Intel宣布，他們采用最新的65納米工藝制造SRAM（靜態(tài)存儲器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝制造出了70Mbit的大容量靜態(tài)存儲器。 靜態(tài)存儲器（SRAM）主要用作高速的存儲設(shè)備，例如處理器內(nèi)部的高速緩存等存儲設(shè)備?！ ?5年11月，Intel首次宣布65nm制造工藝的時候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，現(xiàn)在能夠生產(chǎn)出70Mbit的SRAM將有助于將來處理器的制造。
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NOR標(biāo)準(zhǔn)化能否延續(xù)手機存儲器老大地位
- 市場調(diào)研表明，NOR閃存仍是手機存儲器的老大，它目前可以滿足95%以上手機存儲容量需求。但NOR閃存一直沒有標(biāo)準(zhǔn)化，給手機制造商帶來研發(fā)時間長、沒有第二供貨源等難題。近日，Intel和ST共同宣布，兩家公司針對手機存儲子系統(tǒng)，制定了NOR閃存規(guī)范，并將針對手機市場各自獨立設(shè)計、制造軟硬件兼容的NOR閃存產(chǎn)品，這一舉措能否去除NOR的軟肋，使它延續(xù)在手機制造商處的熱度？ 手機對存儲器依賴性增加 今天，市場上的手機已經(jīng)成為流
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嵌入式存儲器面面觀
- 模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC（片上系統(tǒng)）。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重（面積）將逐漸增大。到2010 年，約90%的硅片面積都將被具有不同功能的存儲器所占據(jù)。 另一方面，微處理器的速度以每年60%遞增，但主存的速度每年僅增長10%左右。二者之間的性能差異越來越大。計算機
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KLA-Tencor 發(fā)布最新存儲和邏輯器件明場檢測系統(tǒng)
- KLA-Tencor 推出 28xx 明場檢測平臺的最新成員 2810 和 2815。通過特殊的光學(xué)配置，它們能有效地應(yīng)對亞 55 納米存儲器件和亞 45 納米邏輯器件生產(chǎn)中所面臨的獨特缺陷檢測挑戰(zhàn)。無論是適合存儲器件缺陷檢測的 2810 系統(tǒng)，還是適合邏輯器件檢測的 2815 系統(tǒng)，都依靠 KLA-Tencor 業(yè)界領(lǐng)先的全光譜光源技術(shù)以捕獲最廣泛的缺陷類型，包括嚴(yán)重影響成品率的沉浸光刻缺陷。與以往的 2800 系統(tǒng)相比，在同等靈敏度條件下，新系統(tǒng)可在多種應(yīng)用中實現(xiàn)兩倍以上的生產(chǎn)能力。 “在
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富士通兩款2Mbit FRAM內(nèi)存芯片上市
- 富士通微電子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM內(nèi)存芯片已開始供貨上市，該產(chǎn)品號稱為目前全球可量產(chǎn)的最大容量FRAM組件。 富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片內(nèi)建非揮發(fā)性內(nèi)存，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入周期等特點，適用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀器及其它需使用非揮發(fā)性內(nèi)存來儲存各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件與保存安全信息的各項高階應(yīng)用。 &nb
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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