存儲器 文章 進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)
Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02
- Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02，具有空前的混合信號和非易失存儲功能集成度。 DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通?？晒?jié)省20%的PCB空間和30%的成本。由于采用更少的元件，使得終端設(shè)備的制造廠商可以減少材料清單數(shù)，從而降低了生產(chǎn)成本，并提高了設(shè)備的可靠性。通過簡化硬件的復(fù)雜度，并采用單個器件實(shí)現(xiàn)軟件通信，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員的設(shè)計(jì)周期得到了縮短。該新型存儲器件具有空前大的陣列容量，能夠用于多種應(yīng)用，包括通信、醫(yī)療、消費(fèi)品和工業(yè)終端設(shè)備。 與傳
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富士通推出配備FeRAM的通用微控制器投放
- 富士通在2007年5月16日開幕的“第10屆嵌入系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)展（ESEC）”上，參考展出了配備強(qiáng)電介質(zhì)內(nèi)置內(nèi)存（FeRAM，鐵電內(nèi)存）的通用8bit微控制器。評測用芯片“MB95RV100”近日即可供應(yīng)，計(jì)劃2008年前后量產(chǎn)供貨。CPU內(nèi)核采用“F2MC-8FX”，工作頻率為10MHz。首先面向密鑰數(shù)據(jù)的保存用途投放市場。 配備FeRAM的微控制器最初只應(yīng)用于數(shù)據(jù)保存區(qū)域（原有微控制的RAM部分）。程序保存區(qū)域預(yù)定以掩膜ROM的形式提供。產(chǎn)品系列計(jì)劃對于數(shù)據(jù)保存用途推出FeRAM分
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內(nèi)存價格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日，DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標(biāo)志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當(dāng)中，eTT壓低內(nèi)存升幅最大，達(dá)到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內(nèi)存模組廠的消息稱，由于DRAM廠商
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內(nèi)存價格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日，DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標(biāo)志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當(dāng)中，eTT壓低內(nèi)存升幅最大，達(dá)到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內(nèi)存模組廠的消息稱，由于DRA
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Flash FPGA、ASIC、SRAM FPGA你選擇誰？
- Flash based FPGA, ASIC, SRAM-based FPGA, which one do you choose ? 近年來，F(xiàn)PGA器件的應(yīng)用領(lǐng)域在不斷擴(kuò)大。由于這種極其靈活的器件提供的通用平臺能夠針對特定的應(yīng)用進(jìn)行快速編程，并且可以在設(shè)計(jì)迭代中進(jìn)行重復(fù)編程，因此它們迅速成為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的中流砥柱。 ---但是，F(xiàn)PGA在量產(chǎn)類產(chǎn)品中仍未得到廣泛應(yīng)用。當(dāng)工程師們準(zhǔn)
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PC大廠刻意壓低內(nèi)存 上下游博弈仍在繼續(xù)
- 內(nèi)存顆粒在最近一兩天終于價格開始反彈，DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元，而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內(nèi)存業(yè)者表示，DRAM制造廠不再殺低出貨，再加上部份模組廠開始趁低收貨，是帶動近日DRAM現(xiàn)貨價跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟，因此DRAM價格是否就此落底，仍待進(jìn)一步觀察。 創(chuàng)見上海代表處的總經(jīng)理顏明吉表示，此前內(nèi)存之所以狂跌，戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價瀕臨變動成本
- 近來對于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況，原因在于DRAM售價重挫，幾乎已到了寧可關(guān)廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計(jì)劃，部分DRAM廠已正式啟動產(chǎn)能調(diào)配計(jì)劃，希望通過這樣動作來減少虧損，也因?yàn)镈RAM廠已開始減產(chǎn)，DRAM廠認(rèn)為第三季度應(yīng)該可以見到減產(chǎn)后對于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。 過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌，雖說目前價格略微回穩(wěn)，不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴(yán)重虧損壓力，DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時所需的變動成本，
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內(nèi)存狂跌引發(fā)質(zhì)量嚴(yán)重下滑 不良率數(shù)倍提升
- “憑良心來講，現(xiàn)在內(nèi)存的品質(zhì)整體來說真的很差?！蹦称放苾?nèi)存的一位高管向PConline產(chǎn)業(yè)資訊這樣透露。 根據(jù)相關(guān)人士透露，內(nèi)存晶元的測試，是晶元廠要另外要付費(fèi)給專門的測試廠商。按照業(yè)界的概況，DDR2的顆粒一般好一點(diǎn)的原廠要測試800秒，普通的廠商是測試400秒。一般來說，原廠的品牌顆粒不太敢完全不測試，多少會測一下。但是現(xiàn)在測試時間變成了200秒或者100秒，甚至有些廠商只測50秒。 一般來說，如果經(jīng)過800秒完全測試，內(nèi)存顆粒的不良率可以低于500PPM(注1)，非常的低。當(dāng)測試時間從800秒
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NEC電子推出可用于內(nèi)置硬盤的機(jī)頂盒的芯片
- NEC電子近日開發(fā)出了用于內(nèi)置硬盤(HDD)的機(jī)頂盒（STB）的系統(tǒng)芯片—“EMMA2SE（μPD61140）”，并將于即日起開始發(fā)售樣品。此外，NEC電子還將于今年6月起，推出在EMMA2SE的基礎(chǔ)上內(nèi)置了防非法使用功能的“EMMA2SE/P（μPD61142）”的樣品。 這兩款新產(chǎn)品均為將接收、存儲、播放數(shù)字廣播所必需的功能集成到了1顆芯片上的圖像處理用系統(tǒng)芯片。新產(chǎn)品的主要特征包括：CPU的處理性能提高到了284MIPS，約為NEC電子以往產(chǎn)品的1.4倍；可外接容量達(dá)1G的外部存儲器；內(nèi)置USB功
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意法新款8引腳微控制器增加了存儲容量
- 8位微控制器的世界領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體進(jìn)一步完善了公司專門為簡單的低成本應(yīng)用設(shè)計(jì)的ST7UltraLite系列8引腳微控制器產(chǎn)品陣容，新的ST7FLITEU0系列產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的豐富外設(shè)基礎(chǔ)上擴(kuò)大了存儲容量和有用的系統(tǒng)功能。采用8引腳的SO、DIP和0.9mm厚的DFN封裝，工作溫度高達(dá)125℃，新系列產(chǎn)品是HVAC(暖風(fēng)、通風(fēng)和空調(diào))、家電、照明控制和電動工具市場的最佳選擇。 由于內(nèi)置的2KB閃存程序存儲器的容量是以前產(chǎn)品的二倍，同時還內(nèi)置一個128字節(jié)的數(shù)據(jù)EEPROM，新產(chǎn)品雖然
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三大DRAM廠商瘋狂擴(kuò)產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰
- 據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(dá)(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。 據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。 美光科技由于預(yù)測07年受手機(jī)市場帶動，CIS（C
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NAND Flash和NOR Flash的比較
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉(zhuǎn)
- 5月16日，據(jù)香港媒體報道，海力士半導(dǎo)體高層主管今日表示，公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期，但是有望在7月或者8月開始得到好轉(zhuǎn)。 海力士策略規(guī)劃資深副總裁O.C. Kwon對媒體表示，目前，移動存儲設(shè)備的價格尚沒有止跌，但是希望下半年通過供需的改善，需求應(yīng)該會快速成長。 2006年，由于電腦存儲芯片需求超過預(yù)期，導(dǎo)致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中，最后導(dǎo)致供過于求。除了供需失衡影響外，微軟的Vista系統(tǒng)的相關(guān)新需求也令這些廠商們失望。
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存儲兩重天 模擬獲利高
- 隨著各大半導(dǎo)體巨頭陸續(xù)公布2006年(日歷年)第四季度和全年財(cái)報，過去一年中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一些脈絡(luò)也逐漸清晰起來。半導(dǎo)體市場規(guī)模在2006年創(chuàng)出新高之后，2007年有望繼續(xù)保持接近兩位數(shù)的增長，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的周期性明顯減弱。得益于存儲器市場的快速增長，海力士、奇夢達(dá)、Elpida、三星等公司的收入都有所增長，然而，DRAM市場與NAND、NOR閃存市場的冰火兩重天導(dǎo)致并非所有的存儲器廠家都笑逐顏開。雖然2006年半導(dǎo)體封裝測試業(yè)的收入大幅增長，但是芯片廠商尤其是模擬芯片廠商的利潤率還是在半導(dǎo)體行業(yè)中居于領(lǐng)先地
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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