- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器,能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵(以下簡稱“GaN”) 功率開關。只有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ,才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅動器,為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而
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安森美 GaN PCB
- 與大多數功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度,有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件,兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關(開通和關斷)損耗,而二極管損耗
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安森美 IGBT
- 在相當長的一段時間內,硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料,它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體:將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高,并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡?,器件可以在更寬的溫度范圍內工作,而不會發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學惰性,所有這些優(yōu)點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性,并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用,例如電源、純
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安森美 碳化硅
- 本設計指南分為三部分,將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅動器,并介紹實戰(zhàn)經驗。上兩期分別講解了隔離式柵極驅動器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動器的電源、濾波設計與死區(qū)時間控制,本文為第三部分,將為大家?guī)碓O計中的要點和PCB布局指南。設計驅動器VCC時,關于上電延遲有哪些注意事項?對于所使用的驅動器,要設計一個高能效且快速的電路,啟動時間是一個重要因素。因此,啟動時間必須要短。但是,啟動時間受上電延遲的限制,上電延遲是指驅動器使能到首次柵極輸出的時間。
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安森美 柵極驅動
- 三相永磁無刷直流(以下簡稱“BLDC”)電機控制需要一個電子換向電路,而傳統(tǒng)的有刷直流電機是采用機械自換向的方式。與有刷直流電機不同,BLDC電機沒有電刷,無需定期維護或更換,因而不易受到磨損。我們將簡要介紹 BLDC 電機的結構和控制,然后介紹三種換向方法:● 梯形換向● 磁場定向控制● 直接扭矩和磁通控制最后,我們會介紹一種創(chuàng)新的BLDC換向方法,可以以單個電機控制集成電路(IC)實施三種換向方法中的任何一種。BLDC結構BLDC
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安森美 電機控制
- 近日,安森美宣布,已成功收購格芯(GlobalFoundries) 位于美國紐約州東菲什基爾(East Fishkill,EFK)地區(qū)的300mm晶圓廠,自2022年12月31日起生效。該交易為安森美團隊增加了1,000多名世界一流的技術專家和工程師。2019年4月,安森美與格芯宣布達成協(xié)議,收購格芯位于美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓,總價格為4.3億美元(約合人民幣29.35億元),其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付,3.3億美元在2022年底支付。根據協(xié)議,安森美幾年內可在該廠增
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12英寸 安森美
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi),近日宣布于2022年12月31日成功完成了對格芯(GlobalFoundries)位于紐約州東菲什基爾(EFK)的300毫米工廠的收購。該交易為安森美團隊帶來了1000多名世界一流的技術專家和工程師人才。在過去的三年里,安森美一直致力于確保東菲什基爾(EFK)工廠及其員工的長遠發(fā)展,大力投資于300毫米的生產能力,以加快公司在電源、模擬和感知產品的增長,并優(yōu)化制造成本結構。東菲什基爾(EFK)工廠為安森美帶來了先進的CMOS制造能力--包括生產圖像傳感
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安森美 格芯紐約東菲什基爾工廠
- 本設計指南分為三部分,將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅動器,并介紹實戰(zhàn)經驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅動器的介紹和選型指南,本文為第二部分,將帶大家全面了解使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動器的電源、濾波設計以及死區(qū)時間控制。電源建議以下是使用隔離式柵極驅動器電源時應注意的一些建議。VDD 和 VCC 的旁路電容對于實現可靠的隔離式柵極驅動器性能至關重要。建議選擇具有適當電壓額定值、溫度系數和電容容差的低 ESR 和低 ESL 表面貼裝多層陶瓷電容
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安森美 柵極驅動器
- 安森美(onsemi)近日公布其2022年第4季度及全年業(yè)績,亮點如下:●? ?第4季度收入21.036億美元,同比增長14%●? ?第4季度公認會計原則(以下簡稱“GAAP”) 毛利率分別48.5%,同比增長343基點,非公認會計原則(以下簡稱“non-GAAP”)毛利率48.4%,同比增長321基點●? ?第4季度破紀錄汽車行業(yè)收入9.89億美元,同比增長54%●? ?第4季度GAAP和non-GAAP每股攤薄盈利分別為1
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安森美 業(yè)績
- 憑借數十年的創(chuàng)新技術經驗以及可靠高效的下一代功率半導體,安森美將為能源基礎設施應用實現更高功率密度水平,降低功率損耗,并縮短開發(fā)時間?中國上海,2023年2月2日 – 安富利旗下全球電子元器件產品與解決方案分銷商e絡盟宣布供應安森美(onsemi)EliteSiC系列高度優(yōu)化的最新碳化硅(SiC)產品,適用于能源基礎設施應用。與同類競品相比,這些新器件在現實條件下實現了更低的開關損耗,能夠滿足下一代能源基礎設施系統(tǒng)的更高性能要求。隨著脫碳轉型的加速,全球能源需求逐步轉向部署更多能源基礎設施系統(tǒng),
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e絡盟 安森美 能源基礎設施
- 目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經得到了普及應用,在電驅的話已經開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應用,當然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距,主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導致成本偏高。隨著工藝的改進,這些都會得到解決。同時SiC由于開關速度比較快,衍生出來的問題在應用里還沒有完全的暴露出來,隨著SiC的終端客戶在這方面的應用經驗越來越豐富,SiC的使用也會趨于成熟。接下來,安森美(onsemi)汽車主驅功率模塊產品線經理陸濤將和您聊聊關于未來SiC在新能源汽車上的普及及應用。
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- 2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件,以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
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安森美 大眾汽車集團 電動汽車 碳化硅 SiC
- 安森美(onsemi) 得益于在電動汽車/ 汽車功能電子化、自動駕駛、光伏、儲能和工廠自動化等市場的戰(zhàn)略布局和技術領先優(yōu)勢,近6個季度的財務業(yè)績連創(chuàng)新高,2022 年第3 季度實現破紀錄收入21.926 億美元,其中汽車和工業(yè)市場收入占比達到68%。展望2023 年,我們仍會專注于這兩大長期增長的市場,持續(xù)精益業(yè)務及流程改進,優(yōu)化產能,提升客戶體驗及滿意度,以智能電源和智能感知技術創(chuàng)新推動兩倍的市場增長。碳化硅(“SiC”) 是未來功率半導體最主流的方向,是顛覆創(chuàng)新的關鍵技術之一。SiC 用于汽車主驅、車
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202301 安森美
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi),宣布新任首席人力資源官(CHRO)Padma Thiruvengadam,自2022年12月12日起生效。Padma Thiruvengadam將領導安森美以人為本的活動--監(jiān)管人才招聘和發(fā)展;多元化、公平性和包容性(DEI);整體薪酬回報以及人力資源體系、洞察及分析—以給員工最佳的體驗。Thiruvengadam接替的是Tobin Cookman,他從2012年開始領導人力資源團隊,為安森美提供了超過25年的杰出服務。作為新任首席人力資源官(CHRO
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安森美 首席人力資源官
- 隨著時代的發(fā)展,電源被設計得越來越小,卻越來越高效,而在節(jié)能倡議和客戶期望的推動下,電源還需要具有功率因子校正(PFC)功能。通過減少諧波含量和被動電源引起的電力線損耗來降低對交流市電基礎設施的壓力,這給電源設計人員帶來了不小的挑戰(zhàn)。本文將討論一個 300 W、20 V 單相交流輸入電源設計,該電源具有超過 36 W/in3 的高功率密度,且滿載效率為94.55%。表1 總結了其關鍵性能特征,圖1 顯示了該電源。經由先進的圖騰柱 PFC 控制器控制前端 PFC,且 PFC 由 GaN 集成驅動器
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安森美 電源設計
安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號:ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列,是計算機、通信、消費產品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術供應商。公司廣泛的產品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯,并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業(yè)務 [
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