安森美 文章 進(jìn)入安森美技術(shù)社區(qū)
安森美將在德國國際嵌入式展(Embedded World)展示可持續(xù)的創(chuàng)新
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），將在德國國際嵌入式展(Embedded World)展示其最新的可持續(xù)創(chuàng)新技術(shù)。Embedded World是開發(fā)人員、系統(tǒng)架構(gòu)師、產(chǎn)品經(jīng)理和技術(shù)管理人員必到的行業(yè)盛會(huì)，將于2023年3月14日至16日在德國紐倫堡展覽中心舉行，安森美的展臺(tái)位于4A館260號(hào)展位。今年Embedded World以“嵌入式、負(fù)責(zé)任和可持續(xù)(embedded, responsible and sustainable)”為主題，其理念與安森美高度契合。安森美的展臺(tái)將分為5大
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設(shè)計(jì)高效電動(dòng)車快速直流充電樁方案，您需要這樣一份文檔！
- 汽車市場正在經(jīng)歷一場變革，隨著電動(dòng)汽車(EV)采用率的迅速增加，銷售預(yù)測數(shù)據(jù)也在不斷上調(diào)。電動(dòng)汽車雖然只占整個(gè)市場的一小部分，但據(jù)預(yù)測，2025年售出的電動(dòng)汽車將達(dá)到1000萬輛，到2050年，所有售出的汽車中超過50%是電動(dòng)汽車。xEV車輛的增長和充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求正在加速，在xEV應(yīng)用中，系統(tǒng)層面涉及主逆變器和發(fā)電機(jī)、升壓轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器；器件封裝類型包括分立式、電源模塊；功率器件種類有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT（雙極晶體管）、碳化硅（SiC）MOSFET和氮化鎵（GaN
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基于安森美 FSL4110在 E-meter電源管理中的應(yīng)用方案
- 電力行業(yè)是關(guān)系國計(jì)民生的基礎(chǔ)能源產(chǎn)業(yè)。 隨著全球經(jīng)濟(jì)的穩(wěn)步發(fā)展及人民生活水準(zhǔn)的逐步提高，各國對(duì)電力的需求急速增加，要求各國持續(xù)加大電力基礎(chǔ)設(shè)施投資力度，從而帶動(dòng)電網(wǎng)建設(shè)。在新能源技術(shù)、 智能技術(shù)、資訊技術(shù)、網(wǎng)路技術(shù)不斷創(chuàng)新突破的條件下， 智能電網(wǎng)成為全球電力能源輸配電環(huán)節(jié)發(fā)展的必然選擇，全球掀起一片智能電網(wǎng)建設(shè)熱潮。智能電表和用電資訊采集系統(tǒng)產(chǎn)品作為智能電網(wǎng)建設(shè)的關(guān)鍵終端產(chǎn)品之一，對(duì)于電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)資訊化、自動(dòng)化、互動(dòng)化具有重要支撐作用，隨著智能電網(wǎng)投資的快速增長，其市場和盈利空間亦快速拓展。智能電表是一種新型
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安森美的碳化硅技術(shù)將整合到寶馬集團(tuán)的下一代電動(dòng)汽車中
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團(tuán)（BMW）簽署長期供貨協(xié)議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術(shù)用于這家德國高端汽車制造商的400?V直流母線電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個(gè)全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰(zhàn)略合作針對(duì)電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)和整合，使安森美能為特定應(yīng)用提供差異化的芯片方案，包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機(jī)械特性實(shí)現(xiàn)高效率和更低的整體損耗，同時(shí)提供極高的系
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基于碳化硅的25kW電動(dòng)汽車直流快充開發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格
- 隨著消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 的需求和訴求持續(xù)增強(qiáng)，直流快速充電市場在蓬勃發(fā)展，市場對(duì)快速充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求也在增加。預(yù)測未來五年的年復(fù)合增長率 (CAGR) 為20%至30%。如果您是在電力電子領(lǐng)域工作的一名應(yīng)用、產(chǎn)品或設(shè)計(jì)工程師，遲早會(huì)參與到這新的充電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中。這里可能會(huì)出現(xiàn)一個(gè)基本問題，特別是如果您是第一次面臨這樣的挑戰(zhàn)。應(yīng)該如何開始設(shè)計(jì)，從哪里開始？關(guān)鍵的設(shè)計(jì)考慮因素是什么，應(yīng)該如何解決這些挑戰(zhàn)？安森美(onsemi)幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)，我們將演示開發(fā)基于SiC功率集成模塊（PIM）的
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詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝
- 電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小，從而有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區(qū)，這導(dǎo)致熱量主要通過PCB進(jìn)行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過空氣對(duì)流來散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是
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關(guān)于圖像傳感器圖像質(zhì)量的四大誤區(qū)！你踩過幾個(gè)坑？
- 當(dāng)前我們對(duì)圖像傳感器的依賴程度超出了大多數(shù)人的想象。圖像傳感器應(yīng)用在汽車上，幫助我們避免碰撞；應(yīng)用于建筑監(jiān)控，防止非法入侵；應(yīng)用于生產(chǎn)線，檢查產(chǎn)品的質(zhì)量。有趣的是，人們經(jīng)常按照像素大小和分辨率等非常簡單的指標(biāo)，對(duì)圖像傳感器進(jìn)行分類，但為不同應(yīng)用選擇合適的傳感器要比這復(fù)雜得多。分辨率我們依賴傳感器來探測危險(xiǎn)，或檢測產(chǎn)品中的缺陷，因而傳感器的圖像質(zhì)量至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員和最終用戶通常認(rèn)為，更高的分辨率（即圖像中的像素更多）可以增強(qiáng)圖像質(zhì)量，但情況并非總是如此。更高的分辨率固然可以保留圖像的銳化邊緣和精細(xì)細(xì)節(jié)
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提升馬達(dá)控制驅(qū)動(dòng)器整合度、最大化靈活性
- 本文敘述三相永磁無刷直流（BLDC）馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種換向方法在復(fù)雜性、力矩波動(dòng)和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；同時(shí)提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，以及馬達(dá)控制器IC在三種換向方法的作用。與傳統(tǒng)的有刷直流馬達(dá)的機(jī)械自換向不同，三相永磁無刷直流（Brushless DC ；BLDC）馬達(dá)控制需要一個(gè)電子換向電路。本文簡要回顧BLDC馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種最廣泛使用的換向方法在復(fù)雜性、力矩波動(dòng)和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；然后提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，并探討安森美（onsemi）的新款馬達(dá)控制
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基于Diodes AP43771 & 安森美 NCP81239 PD3.0車用充電方案
- 隨著支援快速充電的智能手機(jī)越來越多，當(dāng)你使用過“快速充電”規(guī)格之后，那種“回不去”的感覺應(yīng)該印象深刻吧！目前許多 110v~240v 電源充電器已經(jīng)對(duì)應(yīng) QuickCharge 4 (QC 4.0)& QuickCharge 4.0+ (以下簡稱 QC 4.0+) & PD快速充電規(guī)格，那.....車上呢？此方案提供 USB Type-C 快速充電的?Power Delivery (PD3.0) 充電模式，讓你在車上也可以享受快速充電帶來的便利，以下為此方案針對(duì)各別IC功能簡易介
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幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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MOSFET選得好，極性反接保護(hù)更可靠
- 當(dāng)車輛電池因損壞而需要更換時(shí)，新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池，因而此類事件可能會(huì)導(dǎo)致大量 ECU 故障。ISO（國際標(biāo)準(zhǔn)化組織）等汽車標(biāo)準(zhǔn)定義了電氣電子設(shè)備的測試方法、電壓水平、電磁輻射限值，以確保系統(tǒng)安全可靠地運(yùn)行。與極性反接保護(hù) (RPP) 相關(guān)的一種標(biāo)準(zhǔn)是 ISO 7637-2:2011，它復(fù)制了實(shí)際應(yīng)用中的各種電壓場景，系統(tǒng)需要承受此類電壓以展示其能夠防范故障的穩(wěn)健性。這使得極性反接保護(hù)成為連接電池的 ECU/系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵組成部分，所有汽車制造
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！
- 當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只有合理設(shè)計(jì)能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動(dòng)器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算
- 與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡單說明如何測量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
- 在相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡?，器件可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作，而不會(huì)發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
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安森美介紹
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號(hào)、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]
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