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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)。控制器生產(chǎn)商會(huì)在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對(duì)功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅(qū)動(dòng)MOSFET的控制器及外接開(kāi)關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因?yàn)樗鼈兡軡M足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開(kāi)關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
飛兆半導(dǎo)體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品
- 飛兆半導(dǎo)體的 MicroFET™系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應(yīng)用中 節(jié)省空間并延長(zhǎng)電池壽命 擴(kuò)展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi) 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
- 關(guān)鍵字： Fairchild MicroFET™ MOSFET 單片機(jī) 飛兆 嵌入式系統(tǒng)
Zetex 高電壓MOSFET導(dǎo)通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預(yù)偏置供應(yīng)電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強(qiáng)化型N信道器件，可用于簡(jiǎn)單的線性調(diào)節(jié)器，在起動(dòng)階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應(yīng)所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動(dòng)時(shí)間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨(dú)特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導(dǎo)線
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間 國(guó)際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對(duì)網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 解決方案
MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
- 一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，開(kāi)關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)（POL）電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1V或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開(kāi)關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
- 關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC 電源
新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B
- SKHI22A/B是德國(guó)西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動(dòng)模塊。
- 關(guān)鍵字： SKHI22A/B 模塊 驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET 新型
一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器
- 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計(jì)的電力電子驅(qū)動(dòng)器件――SCALE集成驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)器 設(shè)計(jì) MOSFET IGBT 專為
基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽(yáng)能逆變電源中的應(yīng)用，其脈沖波形隨設(shè)計(jì)線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果，從而解決了隨機(jī)燒毀功率管的技術(shù)問(wèn)題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問(wèn)題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽(yáng)能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過(guò)程中，有時(shí)隨機(jī)出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象，本文對(duì)這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1 SG35
- 關(guān)鍵字： MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源 模擬IC 電源
碳化硅 mosfet介紹
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