碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

全球加速碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)充

受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長(zhǎng)期。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場(chǎng)又有了新動(dòng)態(tài)，涉及三菱電機(jī)、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機(jī)SiC工廠(chǎng)預(yù)計(jì)4月開(kāi)建據(jù)日經(jīng)新聞近日?qǐng)?bào)道，三菱電機(jī)將于今年4月，在日本熊本縣開(kāi)工建設(shè)新的8英寸SiC工廠(chǎng)，并計(jì)劃于2026年4月投入運(yùn)營(yíng)。2023年3月，三菱電機(jī)宣布，計(jì)劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)一個(gè)
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Vishay的新款80V對(duì)稱(chēng)雙通道MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對(duì)稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1
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芯動(dòng)半導(dǎo)體與與意法半導(dǎo)體達(dá)成SiC合作

3月13日消息，日前，芯動(dòng)半導(dǎo)體官微宣布，已與意法半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開(kāi)合作。此次與意法半導(dǎo)體就SiC芯片業(yè)務(wù)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，也將進(jìn)一步推動(dòng)長(zhǎng)城汽車(chē)垂直整合，穩(wěn)定供應(yīng)鏈發(fā)展。公開(kāi)資料顯示，芯動(dòng)半導(dǎo)體于2022年11月成立于江蘇無(wú)錫，由長(zhǎng)城汽車(chē)與穩(wěn)晟科技合資成立，以開(kāi)發(fā)第三代功率半導(dǎo)體SiC模組及應(yīng)用解決方案為目標(biāo)。目前，芯動(dòng)半導(dǎo)體位于無(wú)錫的第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)制造基地項(xiàng)目已完成建設(shè)。該項(xiàng)目總投資8億元，規(guī)劃車(chē)規(guī)級(jí)模組年產(chǎn)能為120萬(wàn)套，預(yù)計(jì)本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動(dòng)
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿(mǎn)足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線(xiàn)電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程
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晶盛機(jī)電披露碳化硅進(jìn)展

近日，晶盛機(jī)電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，目前公司已基本實(shí)現(xiàn)8-12英寸大硅片設(shè)備的全覆蓋并批量銷(xiāo)售，6英寸碳化硅外延設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷(xiāo)售且訂單量快速增長(zhǎng)，成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時(shí)公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開(kāi)發(fā)出了應(yīng)用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD設(shè)備、ALD設(shè)備等。晶盛機(jī)電自2017年開(kāi)始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到
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?MOSFET共源放大器的頻率響應(yīng)

在本文中，我們通過(guò)研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數(shù)來(lái)了解其頻率響應(yīng)。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號(hào)和小信號(hào)行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細(xì)地研究其頻率響應(yīng)。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導(dǎo)出CS放大器的全傳遞函數(shù)。然而，在我們這么做之前，讓我們花點(diǎn)時(shí)間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數(shù)（TF）分析。s域傳輸函數(shù)TF是表示如何由線(xiàn)性系統(tǒng)操縱輸入信號(hào)（x）以產(chǎn)生輸出信號(hào)（y）的方程式。其形式為：&n
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。根據(jù)電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數(shù)百安。額定擊穿電壓，也可稱(chēng)之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結(jié)溫范圍）內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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Nexperia在A(yíng)PEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在A(yíng)PEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專(zhuān)用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機(jī)通常有多達(dá)48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護(hù)。單個(gè)PCB上有多達(dá)96
關(guān)鍵字： Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET

MOSFET共源放大器介紹

在本文中，我們介紹了具有不同負(fù)載類(lèi)型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn)，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級(jí)放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號(hào)方面，源端子對(duì)于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負(fù)載的共源放大器。&nb
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?MOSFET共源放大器介紹

在本文中，我們介紹了具有不同負(fù)載類(lèi)型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn)，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級(jí)放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號(hào)方面，源端子對(duì)于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負(fù)載的共源放大器。&nb
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠(chǎng)智能化

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠(chǎng)都在擴(kuò)大生產(chǎn)線(xiàn)的智能化程度，在生產(chǎn)線(xiàn)上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠(chǎng)越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線(xiàn)的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力，需要輔助設(shè)備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)的智能化如今，從汽車(chē)、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠(chǎng)，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠(chǎng)的生產(chǎn)效率和
關(guān)鍵字：電力轉(zhuǎn)換 SiC MOSFET

瘋狂的碳化硅，國(guó)內(nèi)狂追！

近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車(chē)半導(dǎo)體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對(duì)碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長(zhǎng)期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長(zhǎng)的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息，為了滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實(shí)一項(xiàng)多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在
關(guān)鍵字：碳化硅英飛凌晶圓

2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。產(chǎn)品型號(hào)：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線(xiàn)電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開(kāi)關(guān)損
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而大部分的 SiC MOSFET 都沒(méi) 有標(biāo) 出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛凌的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱(chēng)短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)
關(guān)鍵字： infineon MOSFET